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半导体与光电流

本专题涉及半导体与光电流的标准有500条。

国际标准分类中，半导体与光电流涉及到光电子学、激光设备、半导体分立器件、整流器、转换器、稳压电源、集成电路、微电子学、光学和光学测量、金属材料试验、造船和海上构筑物综合、光纤通信、半导体材料、开关装置和控制器、词汇、变压器、电抗器、电感器、电工器件、辐射测量、航空航天用电气设备和系统、电工和电子试验、绝缘流体、电子显示器件、机器、装置、设备的特性和设计、电容器、电子电信设备用机电元件、电子元器件综合、航空航天制造用材料、电气设备元件、环境试验。

在中国标准分类中，半导体与光电流涉及到半导体光敏器件、、激光器件、半导体发光器件、半导体集成电路、光通信设备、电力半导体器件、部件、电感器、变压器、半导体整流器件、微电路综合、光电子器件综合、半导体分立器件综合、交直流电源装置、金属物理性能试验方法、低压配电电器、轴系设备、船舶电气、观通、导航设备综合、热加工工艺、物理学与力学、元素半导体材料、电源设备、船用发电、变电与配电设备、半导体二极管、微波、毫米波二、三极管、变压器、半金属与半导体材料综合、电子设备机械结构件、低压电器综合、电容器、电力电容器、基础标准与通用方法、航空与航天用金属铸锻材料。


CZ-CSN，关于半导体与光电流的标准

英国标准学会，关于半导体与光电流的标准

  • BS IEC 60747-5-4:2022 半导体器件-光电器件 半导体激光器
  • BS IEC 60747-5-4:2006 半导体器件.分立器件.光电器件.半导体激光器
  • BS IEC 60747-6:2000 分立半导体器件和集成电路.半导体闸流管
  • BS IEC 60747-6:2001 分立半导体器件和集成电路.半导体闸流管
  • BS EN IEC 60747-5-5:2020 半导体器件 光电器件 光电耦合器
  • 19/30404095 DC BS EN IEC 60747-5-4 半导体器件 第5-4部分 光电器件 半导体激光器
  • BS EN 62415:2010 半导体器件.恒定电流电迁移试验
  • 23/30473272 DC BS IEC 60747-5-4 AMD 1. 半导体器件 第 5-4 部分 光电器件 半导体激光器
  • BS IEC 60747-18-3:2019 半导体器件 半导体生物传感器 具有流体系统的无透镜 CMOS 光子阵列传感器封装模块的流体流动特性
  • BS EN 62007-2:2000 光纤系统半导体光电器件.测量方法
  • BS IEC 60092-304:2002 船上电气装置.设备-半导体变流器
  • BS EN 62007-2:2009 光纤系统用半导体光电器件.测量方法
  • BS EN 60747-5-5:2011 半导体器件.分立器件.光电器件.光电耦合器
  • BS IEC 60747-5-11:2019 半导体器件 光电器件 发光二极管 发光二极管辐射和非辐射电流的测试方法
  • BS IEC 60747-5-16:2023 半导体器件-光电器件 发光二极管 基于光电流谱的GaN基发光二极管平带电压测试方法
  • BS IEC 60747-18-2:2020 半导体器件 半导体生物传感器 无透镜 CMOS 光子阵列传感器封装模块的评估流程
  • BS EN 62007-1:2000 光纤系统半导体光电器件.基本额定值及特性
  • BS IEC 60747-5-1:1998 分立半导体器件和集成电路.光电器件.概述
  • BS EN 60747-5-1:1998 半导体分立器件和集成电路 光电器件 总则
  • BS EN 60747-5-1:2001 半导体分立器件和集成电路.光电器件.总则
  • 18/30361905 DC BS EN 60747-18-3 半导体器件 第18-3部分 半导体生物传感器 具有流体系统的无透镜 CMOS 光子阵列传感器封装模块的流体流动特性
  • PD IEC TR 60747-5-12:2021 半导体器件 光电器件 发光二极管 LED效率测试方法
  • BS IEC 60747-5-8:2019 半导体器件 光电器件 发光二极管 发光二极管光电效率的测试方法
  • BS IEC 60747-5-3:1998 分立半导体器件和集成电路.光电器件.测量方法
  • BS EN 60747-5-3:1998 半导体分立器件和集成电路 光电器件 测量方法
  • BS EN 60747-5-3:2001 半导体分立器件和集成电路.光电器件.测量方法
  • 21/30440970 DC BS EN IEC 60747-5-16 半导体器件 第 5-16 部分 光电器件 发光二极管 基于光电流谱的平带电压测试方法
  • 18/30350443 DC BS EN 60747-5-5。半导体器件。第 5-5 部分。光电器件。光电耦合器
  • BS EN 61643-341:2002 低压电涌保护装置.半导体闸流管电涌抑制器(TSS)规范
  • BS IEC 60747-2:2000 分立的半导体器件器件和集成电路.整流二极管
  • BS IEC 60747-5-15:2022 半导体器件-光电器件 发光二极管 基于电反射光谱的平带电压测试方法
  • BS 6493-1.5:1992 半导体器件 离散设备 光电器件的建议 第 5 节：光电器件的建议
  • 17/30355780 DC BS EN 60747-18-2 半导体器件 第18-2部分 半导体生物传感器 无透镜CMOS光子阵列传感器封装模块的评估流程
  • 19/30392174 DC BS EN 60747-5-6 半导体器件 第5-6部分 光电器件 发光二极管
  • 18/30388245 DC BS EN IEC 60747-5-11 半导体器件 第5-11部分 光电器件 发光二极管 发光二极管辐射和非辐射电流的测试方法
  • BS EN 120000:1996 电子元器件质量评定协调体系.光电子和液晶半导体器件总规范
  • BS EN 62007-1:2009 光纤系统用半导体光电子器件.基本等级和特性的规范模板
  • BS EN 62007-1:2015 光纤系统用半导体光电子器件.基本等级和特性的规范模板
  • BS IEC 60747-5-13:2021 半导体器件 光电子设备 LED封装的硫化氢腐蚀试验
  • BS EN 60747-5-2:1998 分立半导体器件和集成电路 光电器件 基本额定值和特征
  • BS EN 60747-5-2:2001 分立半导体器件和集成电路.光电器件.基本额定值和特征
  • PD IEC TR 62240-2:2018 航空电子设备的流程管理 电子元件运行能力 半导体微电路寿命
  • BS EN 60947-4-2:2000 低压开关装置和控制装置.电流接触器和电动起动器.交流半导体电动控制器和电流起动器
  • BS IEC 60747-5-9:2019 半导体器件 光电器件 发光二极管 基于温变电致发光的内量子效率测试方法
  • BS EN 62047-9:2011 半导体装置.微电子机械装置.MEMS的晶圆与晶圆结合强度测量
  • BS EN 62047-9:2013 半导体装置 微电子机械装置 MEMS的晶圆与晶圆结合强度测量
  • BS EN 60947-4-3:2000 低压开关装置和控制装置.电流接触器和电动起动器.非电动机负荷用交流半导体控制器和电流接触器
  • BS EN IEC 62007-1:2015+A1:2022 用于光纤系统应用的半导体光电器件 基本额定值和特性的规范模板
  • 18/30367363 DC BS IEC 60747-5-8 半导体器件 第5-8部分 光电器件 发光二极管 发光二极管光电效率的测试方法

行业标准-电子，关于半导体与光电流的标准

  • SJ 2214.10-1982 半导体光敏二、三极管光电流的测试方法
  • SJ 2214.3-1982 半导体光敏二极管暗电流的测试方法
  • SJ 2214.8-1982 半导体光敏三极管暗电流的测试方法
  • SJ 2215.10-1982 半导体光耦合器直流电流传输比的测试方法
  • SJ 1795-1981 50～1000mA小电流半导体闸流管（暂行）
  • SJ 20642-1997 半导体光电模块总规范
  • SJ 20786-2000 半导体光电组件总规范
  • SJ 2215.3-1982 半导体光耦合器（二极管）正向电流的测试方法
  • SJ 2215.4-1982 半导体光耦合器（二极管）反向电流的测试方法
  • SJ 50033/109-1996 半导体光电子器件.GJ9031T、GJ9032T和GJ9034T型半导体激光二极管.详细规范
  • SJ/T 2214-2015 半导体光电二极管和光电晶体管测试方法
  • SJ 2355.3-1983 半导体发光器件测试方法.反向电流的测试方法
  • SJ/T 2215-2015 半导体光电耦合器测试方法
  • SJ 2247-1982 半导体光电子器件外形尺寸
  • SJ 2215.9-1982 半导体光耦合器（三极管）反向截止电流的测试方法
  • SJ 50033/111-1996 半导体光电子器件GTI6型硅NPN光电晶体管详细规范
  • SJ 20642.5-1998 半导体光电模块GH82型光耦合器详细规范
  • SJ 20642.4-1998 半导体光电模块GH81型光耦合器详细规范
  • SJ 20642.6-1998 半导体光电模块GH83型光耦合器详细规范
  • SJ 50033/112-1996 半导体光电子器件.GD3251Y型光电二极管详细规范
  • SJ 50033/113-1996 半导体光电子器件.GD3252Y型光电二极管详细规范
  • SJ/T 11856.3-2022 光纤通信用半导体激光器芯片技术规范 第3部分：光源用电吸收调制型半导体激光器芯片
  • SJ 20644.1-2001 半导体光电子器件 GD3550Y型PIN光电二极管详细规范
  • SJ 20644.2-2001 半导体光电子器件 GD101型PIN光电二极管详细规范
  • SJ 20786.1-2002 半导体光电组件.CBGS2301微型双向光电定位器.详细规范
  • SJ 2214.5-1982 半导体光敏二极管结电容的测试方法
  • SJ 20642.3-1998 半导体光电模块GD83型PIN-FET光接收模块详细规范
  • SJ 20642.2-1998 半导体光电模块GD82型PIN-FET光接收模块详细规范
  • SJ 50597.3-1994 半导体集成电路JH009、JH2010型HTL与非门详细规范
  • SJ 50033/136-1997 半导体光电子器件.GF116型红色发光二极管详细规范
  • SJ 50033/143-1999 半导体光电子器件.GF1120型红色发光二极管详细规范
  • SJ 50033/137-1997 半导体光电子器件.GF216型橙色发光二极管详细规范
  • SJ 20642.1-1998 半导体光电模块GD81型DIN-FET光接收模块详细总规范
  • SJ/T 11405-2009 光纤系统用半导体光电子器件.第2部分:测量方法
  • SJ 50033/139-1998 半导体光电子器件.GF4111型绿色发光二极管详细规范
  • SJ 50033/138-1998 半导体光电子器件.GF318型黄色发光二极管详细规范
  • SJ 50033/58-1995 半导体光电子器件GF413型绿色发光二极管详细规范
  • SJ/T 11393-2009 半导体光电子器件 功率发光二极管空白详细规范
  • SJ 50033/142-1999 半导体光电子器件.GF4112型绿色发光二极管详细规范
  • SJ 50033/57-1995 半导体光电子器件 GF115型红色发光二极管详细规范
  • SJ 2215.6-1982 半导体光耦合器（二极管）结电容的测试方法
  • SJ/T 11866-2022 半导体光电子器件 硅衬底白光功率发光二极管详细规范
  • SJ/T 11400-2009 半导体光电子器件 小功率发光二极管空白详细规范
  • SJ/Z 9014.3-1987 半导体器件 分立器件和集成电路 第6部分：闸流晶体管
  • SJ 2214.4-1982 半导体光敏二极管反向击穿电压的测试方法
  • SJ 2215.12-1982 半导体光耦合器入出间隔离电容的测试方法
  • SJ 50033/114-1996 半导体光电子器件.GD3283Y型位敏探测器详细规范
  • SJ 2215.13-1982 半导体光耦合器入出间绝缘电阻的测试方法
  • SJ 2355.4-1983 半导体发光器件测试方法.结电容的测试方法
  • SJ 50033/99-1995 半导体光电子器件.GF511型橙/绿双色发光二极管详细规范
  • SJ 20642.7-2000 半导体光电器件GR1325J型长波长发光二极管组件详细规范
  • SJ/T 11817-2022 半导体光电子器件 灯丝灯用发光二极管空白详细规范
  • SJ 20281-1993 半导体集成电路JT54LS13、JT54LS14和JT54LS132型LS—TTL与非门详细规范
  • SJ 50033/140-1999 半导体光电子器件 3DA502型硅微波脉冲功率晶体管详细规范
  • SJ 50033/117-1997 半导体分立器件 2CK38型硅大电流开关二极管详细规范
  • SJ 50033/115-1997 半导体分立器件 2CK28型硅大电流开关二极管详细规范
  • SJ 50033/116-1997 半导体分立器件 2CK29型硅大电流开关二极管详细规范
  • SJ 50033/110-1996 半导体光电子器件GR9413型红外发射二极管详细规范
  • SJ 2215.5-1982 半导体光耦合器（二极管）反向击穿电压的测试方法
  • SJ 53930/1-2002 半导体光电子器件.GR8813型红外发射二极管详细规范
  • SJ 2658.4-1986 半导体红外发光二极管测试方法.电容的测试方法
  • SJ 2215.7-1982 半导体光耦合器集电极-发射极反向击穿电压的测试方法
  • SJ/T 10947-1996 电子元器件详细规范 FG341052、FG343053型半导体绿色发光二极管
  • SJ 2658.3-1986 半导体红外发光二极管测试方法.反向电压测试方法
  • SJ 20279-1993 半导体集成电路JT54LS08、JT54LS09、JT54LS11、JT54LS15、JT54LS11、JT54LS15、JT54LS21型LS-TTL与门详细规范
  • SJ 50597/51-1999 半导体集成电路.JW1846/JW1847型电流型脉冲宽度调制控制器详细规范
  • SJ 2214.6-1982 半导体光敏三极管集电极.发射极反向击穿电压的测试方法
  • SJ/T 10042-1991 电子元器件详细规范.半导体集成电路.CT54LS00/CT74LS00型四2输入与非门
  • SJ/T 10823-1996 电子元器件详细规范 半导体集成电路CH2009型HTL三3输入与非门
  • SJ/T 10084-1991 电子元器件详细规范.半导体集成电路CT54H20/CT74H20型双4输入与非门
  • SJ/T 10824-1996 电子元器件详细规范 半导体集成电路CH2010型HTL四2输入与非门
  • SJ/T 10822-1996 电子元器件详细规范 半导体集成电路CH2008型HTL双4输入与非门
  • SJ/T 10820-1996 电子元器件详细规范 半导体集成电路CH2001型HTL双4输入与非门
  • SJ 1488-1979 反向阻断型高频半导体闸流管额定高频通态平均电流IT的测试方法
  • SJ/T 2658.3-2015 半导体红外发射二极管测量方法.第3部分:反向电压和反向电流
  • SJ/T 11067-1996 红外探测材料中半导体光电材料和热释电材料常用名词术语
  • SJ/T 10827-1996 电子元器件详细规范 半导体集成电路CJ0451型HTL双外围正与驱动器
  • SJ/T 10826-1996 电子元器件详细规范 半导体集成电路CJ0450型HTL双外围正与驱动器
  • SJ/T 2658.16-2016 半导体红外发射二极管测量方法 第16部分:光电转换效率
  • SJ/T 10948-1996 电子元器件详细规范 FG313052、FG314053、FG313054、FG314055型半导体红色发光二极管
  • SJ/T 10828-1996 电子元器件详细规范 半导体集成电路CJ0452型HTL双外围正与非驱动器
  • SJ 2658.5-1986 半导体红外发光二极管测试方法.正向串联电阻的测试方法
  • SJ 20280-1993 半导体集成电路JT54LS00（03、04、05、10、12、20、22、30）型LS-TTL与非门详细规范
  • SJ/T 10815-1996 电子元器件详细规范 半导体集成电路CT1030型TTL8输入与非门（可供认证用）

贵州省地方标准，关于半导体与光电流的标准

美国国家标准学会，关于半导体与光电流的标准

国家军用标准-总装备部，关于半导体与光电流的标准

  • GJB 33/17-2011 半导体光电子器件 GO11型半导体光电耦合器详细规范
  • GJB 33/16-2011 半导体光电子器件 3DU32型半导体光敏晶体管详细规范
  • GJB 5018-2001 半导体光电子器件筛选与验收通用要求
  • GJB 33/18-2011 半导体光电子器件 GO417型双向半导体光电耦合模拟开关详细规范
  • GJB/Z 41.3-1993 军用半导体分立器件系列型谱 半导体光电子器件
  • GJB 8121-2013 半导体光电组件通用规范
  • GJB 8120-2013 半导体光电模块通用规范
  • GJB 8119-2013 半导体光电子器件通用规范
  • GJB 33/15-2011 半导体光电子器件 BT401型半导体红外发射二极管详细规范
  • GJB 597/2A-1994 半导体集成电路CMOS与门、与非门详细规范
  • GJB 33/20-2011 半导体光电子器件 GH302型光电耦合器详细规范
  • GJB 33/22-2011 半导体光电子器件 GO103型光电耦合器详细规范
  • GJB 33/21-2011 半导体光电子器件 GD310A系列光电耦合器详细规范
  • GJB 33/23-2011 半导体光电子器件 GH3201Z-4型光电耦合器详细规范
  • GJB 33/19-2011 半导体光电子器件 GH302-4型光电耦合器详细规范
  • GJB 597/2-1988 半导体集成电路CMOS（正逻辑）与非门详细规范
  • GJB 33/12A-2021 半导体分立器件2CK36 型硅大电流开关二极管详细规范
  • GJB 33/13A-2021 半导体分立器件2CK37 型硅大电流开关二极管详细规范
  • GJB 33A/13-2003 半导体分立器件 2CK37 型硅大电流开关二极管详细规范
  • GJB 33A/12-2003 半导体分立器件 2CK36 型硅大电流开关二极管详细规范
  • GJB/Z 42.3-1993 军用微电路系列型谱 半导体集成电路 微型计算机与存储器集成电路

RU-GOST R，关于半导体与光电流的标准

  • GOST 18986.3-1973 半导体二极管.恒定直流电压与恒定直流电流测定方法
  • GOST R 50471-1993 半导体光电发射体.半值角的测量方法
  • GOST 18986.1-1973 半导体二极管.反向直流电流测定方法
  • GOST 29283-1992 半导体仪器.分立器件仪器与集成电路.第5部分.光电子仪器
  • GOST 26282-1984 功率5kVA以内的半导体电能变流器.参数
  • GOST 29209-1991 半导体器件.分立器件式器件与集成电路.第2部分.整流二极管
  • GOST 19656.2-1974 超高频混频半导体二极管.平均整流电流测量方法
  • GOST 18986.14-1985 半导体二极管.微分与动态电阻测量方法
  • GOST R 59605-2021 光学和光子学 半导体光电探测器 光电和光接收器件 术语和定义
  • GOST 27299-1987 半导体光电子器体.术语、定义和参数的字母代号
  • GOST 18986.16-1972 半导体整流二极管.直流电压平均值和反向电流平均值的测量方法
  • GOST 25953-1983 功率为5kVA及其以上的半导体电能变流器.参数
  • GOST 17704-1972 半导体器件.光电式辐射能接收器.分类和代号体系
  • GOST 17772-1988 半导体光电探测器和光电接收器.光电参数和测定特性的测量方法
  • GOST 19656.7-1974 超高频检波半导体二极管.电流灵敏度测量方法
  • GOST 20766-1975 电离辐射半导体光谱探测器.型式和基本参数
  • GOST 21934-1983 半导体光电式和光接收辐射接收机式装置.术语和定义
  • GOST R 59607-2021 光学和光子学 半导体光电探测器 光电和光接收器件 测量光电参数和确定特性的方法
  • GOST 29210-1991 半导体器件.分立器件式器件与集成电路.第3部分.信号二极管（包括转换器）及电流与电压控制二极管
  • GOST 18986.13-1974 遂道式半导体二极管.峰值电流、谷值电流、峰值电压、谷值电压、溶液电压测量方法
  • GOST 26830-1986 功率5kVA及其以内的半导体电能变流器.一般技术条件
  • GOST 18230-1972 电离辐射半导体探测器用分光仪的电源.型式和基本参数
  • GOST 19868-1974 电离辐射半导体探测器用分光计的线性放大器.参数测量法

国际电工委员会，关于半导体与光电流的标准

美国电信工业协会，关于半导体与光电流的标准

国家质检总局，关于半导体与光电流的标准

  • GB/T 10236-2006 半导体变流器与供电系统的兼容及干扰防护导则
  • GB/T 17950-2000 半导体变流器 第6部分:使用熔断器保护半导体变流器防止过电流的应用导则
  • GB 15651.4-2017 半导体器件 分立器件 第5-4部分:光电子器件 半导体激光器
  • GB/T 13422-2013 半导体变流器 电气试验方法
  • GB/T 13422-1992 半导体电力变流器 电气试验方法
  • GB/T 3859.3-1993 半导体变流器 变压器和电抗器
  • GB/T 6616-2023 半导体晶片电阻率及半导体薄膜薄层电阻的测试 非接触涡流法
  • GB 12565-1990 半导体器件 光电子器件分规范
  • GB/T 22193-2008 船舶电气设备 设备 半导体变流器
  • GB/T 15651.6-2023 半导体器件 第5-6部分：光电子器件 发光二极管
  • GB/T 3859.2-2013 半导体变流器 通用要求和电网换相变流器 第1-2部分：应用导则
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  • GB/T 1553-2009 硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法
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  • GB/T 1553-2023 硅和锗体内少数载流子寿命的测定 光电导衰减法

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  • CNS 6122-1988 单件半导体装置之环境检验法及耐久性检验法–闸流体之连续通电试验
  • CNS 6126-1988 单件半导体装置之环境检验法及耐久性检验法–闸流体之高温通电试验
  • CNS 6124-1988 单件半导体装置之环境检验法及耐久性检验法–闸流体之断续通电试验

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韩国科技标准局，关于半导体与光电流的标准

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  • LST EN 60747-5-5-2011 半导体器件 分立器件 第 5-5 部分：光电器件 光电耦合器（IEC 60747-5-5:2007）
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  • EN 62007-2:2009 光纤系统用半导体光电器件.第2部分:测量方法
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河北省标准，关于半导体与光电流的标准

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SE-SIS，关于半导体与光电流的标准

工业和信息化部，关于半导体与光电流的标准

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KR-KS，关于半导体与光电流的标准

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  • GB/T 36358-2018 半导体光电子器件 功率发光二极管空白详细规范
  • GB/T 39771.1-2021 半导体发光二极管光辐射安全 第1部分：要求与等级分类方法
  • GB/T 8446.2-2022 电力半导体器件用散热器 第2部分：热阻和流阻测量方法

行业标准-有色金属，关于半导体与光电流的标准

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PL-PKN，关于半导体与光电流的标准

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行业标准-邮电通信，关于半导体与光电流的标准

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未注明发布机构，关于半导体与光电流的标准

TH-TISI，关于半导体与光电流的标准

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印度尼西亚标准，关于半导体与光电流的标准

美国材料与试验协会，关于半导体与光电流的标准

  • ASTM F28-91(1997) 硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法
  • ASTM F673-90(1996)e1 用非接触涡流仪测定半导体膜片的电阻率的标准试验方法
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美国绝缘电缆工程师协会，关于半导体与光电流的标准

  • ICEA T-32-645-2012 确定阻水元件与挤压半导体屏蔽材料的体积电阻相容性的测试方法

澳大利亚标准协会，关于半导体与光电流的标准

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IECQ - IEC: Quality Assessment System for Electronic Components，关于半导体与光电流的标准

  • PQC 8 ISSUE 1-1996 半导体光电器件空白详细规范：具有光电晶体管输出评估级别类别 I II 或 III 的环境或外壳额定光电耦合器
  • QC 720103-1998 半导体器件 第 12-3 部分：光电器件 发光二极管的空白详细规范 显示应用（第一版；与 IEC 60747-12-3 相同；无替代）

AT-OVE/ON，关于半导体与光电流的标准

  • OVE EN IEC 60747-5-5:2021 半导体设备 第 5-5 部分：光电设备 光电耦合器（（IEC 60747-5-5:2020）EN IEC 60747-5-5:2020）（德文版）

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