ZH
EN
JP
ES
RU
DE

발진기

모두 433항목의 발진기와 관련된 표준이 있다.

국제 분류에서 발진기와 관련된 분류는 다음과 같습니다: 의료 장비, 판막, 주파수 제어 및 선택을 위한 압전 및 유전체 장치, 환경 테스트, 필터, 종합 전자 부품, 항공기 및 우주선 통합, 전기, 자기, 전기 및 자기 측정, 통신 단말 장비, 건물 내 시설, 어휘, 집적 회로, 마이크로 전자공학, 반도체 개별 장치, 건축 자재, 건물 구조, 통신 장비용 부품 및 액세서리, 통신 시스템, 항공우주 제조용 재료, 시계학, 시간, 속도, 가속도, 각속도 측정, 열역학 및 온도 측정, 회전 모터, 물리학, 화학, 무선 통신, 계측 및 측정 합성, 치과, 전자 장비용 기계 부품, 전기 장비 부품.

Professional Standard - Nuclear Industry, 발진기

• EJ 220-1984 발진기 스탠드

Professional Standard - Medicine, 발진기

• YY 0156-1994 마이크로 발진기

U.S. Military Regulations and Norms, 발진기

• ARMY MIL-O-14850 NOTICE 1-1997 10549785 고전압 발진기
• ARMY MIL-O-14850 (1)-1973 고전압 발진기: 10549785
• ARMY MIL-O-14850-1969 고전압 발진기: 10549785
• ARMY MIL-PRF-55310/32 A-2008 수정 제어 발진기, 유형 1(수정 발진기(XO)), 1.544~125MHz, 밀폐형 구형파 수정 CMOS
• ARMY MIL-G-45717-1961 SG-95/MPQ-25 펄스 발진기
• ARMY MIL-PRF-55310/29 C-2011 발진기, 수정 제어, 유형 1(수정 발진기(XO)), 0.2MHz ~ 85MHz, 밀폐형, 구형파, HCMOS
• ARMY MIL-PRF-55310/34 C-2013 발진기, 수정 제어, 유형 1(수정 발진기(XO)), 500KHz ~ 150MHz, 밀폐형, 저전압 CMOS
• ARMY MIL-PRF-55310/38 B-2013 발진기, 수정 제어, 유형 1(수정 발진기(XO)), 500KHz ~ 150MHz, 밀폐형, 저전압 CMOS
• ARMY MIL-PRF-55310/28 C VALID NOTICE 1-2013 발진기, 수정 제어, 유형 1(수정 발진기(XO)), 1.0MHz ~ 85MHz, 밀폐형, 구형파, TTL
• ARMY MIL-PRF-55310/30 D VALID NOTICE 1-2013 발진기, 수정 제어, 유형 1(수정 발진기(XO)), 450KHz ~ 100MHz, 밀폐형, 저전압 CMOS
• ARMY QPL-55310-70-2008 수정 제어 발진기의 일반 사양
• ARMY QPL-55310-71-2010 수정 제어 발진기의 일반 사양
• ARMY QPL-55310-74-2010 수정 제어 발진기의 일반 사양
• ARMY MIL-PRF-55310/36 B-2013 발진기, 수정 제어, 유형 1(수정 발진기(XO), 1MHz ~ 100MHz, 밀폐형, 저전압 1.8V CMOS
• ARMY MIL-PRF-55310/27 C-2008 발진기, 수정 제어, 유형 1(수정 발진기(XO)), 1.0MHZ ~ 85MHZ, 밀폐형, 구형파, 고속 CMOS
• ARMY MIL-PRF-55310/40 B-2013 발진기, 수정 제어, 유형 1(수정 발진기(XO)), 1MHz ~ 100MHz, 밀폐형, 저전압 1.8V CMOS
• ARMY MIL-PRF-55310/27 D VALID NOTICE 1-2013 발진기, 수정 제어, 유형 1(수정 발진기(XO)), 1.0MHz ~ 85MHz, 밀폐형, 구형파, 고속 CMOS
• ARMY QPL-55310-69-2006 일반 사양 수정 제어 발진기.
• ARMY QPL-55310-76-2010 발진기, 수정 제어, 일반 사양
• ARMY QPL-55310-81-2013 발진기, 수정 제어, 일반 사양
• ARMY QPL-55310-83-2013 발진기, 수정 제어, 일반 사양
• ARMY QPL-55310-84-2013 발진기, 수정 제어, 일반 사양
• ARMY MIL-PRF-55310/25 D-2009 수정 발진기(XO): 구형파 25Hz-175MHz 송신기 이중 논리 유형 1 밀폐형 수정 제어 발진기
• ARMY MIL-PRF-55310/35-2007 밀봉된 저전압 2.5VCMOS 1MHz~133MHz XO(타입 1) 수정 발진기
• ARMY MIL-PRF-49192 A-1997 SG-1170/U형 VHF 신호 발진기 발생기
• ARMY MIL-PRF-55310/28 C-2008 수정 발진기(XO): 트랜지스터 트랜지스터 로직 시리즈(TTL) 유형 1, 1.0MHz ~ 85MHz의 방형파 범위를 갖는 밀폐형 수정 제어 발진기
• ARMY MIL-PRF-55310/8 J-2009 수정 발진기(XO): 트랜지스터 트랜지스터 로직 시리즈(TTL) 유형 1, 50Hz-50MHz의 방형파를 사용하는 밀폐형 수정 제어 발진기
• ARMY MIL-PRF-55310/30 D-2008 수정 발진기(XO): 450kHz~100MHz 저전압 CMOS(상보성 금속 산화물 반도체 시리즈) 유형 1 밀폐형 수정 제어 발진기
• ARMY MIL-PRF-55310/12 H-2009 수정 발진기(XO): 0.05MHz ~ 10MHz의 방형파 범위를 갖는 CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor Series) 유형 1 밀폐형 수정 제어 발진기
• ARMY MIL-PRF-55310/37 A-2010 수정 발진기(XO): 500kHz ~ 85MHz의 방형파 범위를 갖는 CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor Series) 유형 1 밀폐형 수정 제어 발진기
• ARMY MIL-PRF-55310/27 D-2008 수정 발진기(XO): 1.0MHz ~ 85MHz의 방형파 범위를 갖는 고속 CMOS(상보성 금속 산화물 반도체 시리즈) 유형 1 밀폐형 수정 제어 발진기
• ARMY MIL-PRF-55310/32 B-2008 수정 발진기(XO): 1.544Hz~125MHz의 구형파 범위를 갖는 고급 CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor Series) 유형 1 밀폐형 수정 제어 발진기
• ARMY MIL-PRF-55310/18 F-2009 수정 발진기(XO): 트랜지스터 트랜지스터 논리 반도체 시리즈(TTL) 유형 1, 0.01Hz-50MHz의 방형파를 사용하는 밀폐형 수정 제어 발진기
• ARMY MIL-PRF-55310/31 A-2010 수정 발진기(XO): 0.75Hz ~ 200MHz의 방형파 범위를 갖는 고급 CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor Series) 유형 1 밀폐형 수정 제어 발진기
• ARMY MIL-PRF-55310/33 B-2010 수정 발진기(XO): 500kHz ~ 85MHz의 방형파 범위를 갖는 고급 CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor Series) 유형 1 밀폐형 수정 제어 발진기
• ARMY MIL-PRF-55310/34 B-2010 수정 발진기(XO): 500kHz ~ 150MHz의 방형파 범위를 갖는 저전압 CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor Series) 유형 1 밀폐형 수정 제어 발진기
• ARMY MIL-PRF-55310/38 A-2010 수정 발진기(XO): 500kHz ~ 150MHz의 방형파 범위를 갖는 저전압 CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor Series) 유형 1 밀폐형 수정 제어 발진기
• ARMY MIL-PRF-55310/35 A-2010 수정 발진기(XO): 1MHz ~ 133MHz의 방형파 범위를 갖는 2.5V 저전압 CMOS(상보성 금속 산화물 반도체 시리즈) 유형 1 밀폐형 수정 제어 발진기
• ARMY MIL-PRF-55310/36 A-2010 수정 발진기(XO): 1Hz ~ 100MHz의 방형파 범위를 갖는 1.8V 저전압 CMOS(상보성 금속 산화물 반도체 시리즈) 유형 1 밀폐형 수정 제어 발진기
• ARMY MIL-PRF-55310/39 A-2010 수정 발진기(XO): 1MHz ~ 133MHz의 방형파 범위를 갖는 2.5V 저전압 CMOS(상보성 금속 산화물 반도체 시리즈) 유형 1 밀폐형 수정 제어 발진기
• ARMY MIL-L-63119-1977 점화 수신기용 국부 발진기/믹싱 믹서
• ARMY MIL-PRF-55310/40 A-2010 저전압 1.8V CMOS 밀폐형 1~100MHz 유형 1(수정 발진기(XO)) 수정 제어 발진기

TR-TSE, 발진기

• TS 2319-1976 수정 진동자
• TS 2268-1976 발진기 및 핀 조인트 석영 크리스탈 요소 홀더

Military Standards (MIL-STD), 발진기

• DOD A-A-50891 A-1993 톱니 형성 발진기

United States Navy, 발진기

• NAVY MIL-O-85432 B NOTICE 1-1996 전압 제어 발진기
• NAVY MIL-O-85432 B-1988 전압 제어 발진기
• NAVY MIL-O-81144 B NOTICE 1-1996 MARK 37 MODS 0,2,3 어뢰 발진기 조립체
• NAVY MIL-O-81144 B-1970 MARK 37 MODS 0,2,3 어뢰 발진기 조립체
• NAVY MIL-B-82564 NOTICE 1-1998 쌍안정 멀티바이브레이터 어셈블리 LD 546989(가이드로 사용) 디스플레이 86,558m
• NAVY MIL-B-82564 (3)-1972 LD 546989 쌍안정 멀티바이브레이터 장치(MK 443 MOD 0 및 MOD 1 유도 제어 테스트 장치용)
• NAVY MIL-B-82564-1968 LD 546989 쌍안정 멀티바이브레이터 장치(MK 443 MOD 0 및 MOD 1 유도 제어 테스트 장치용)

Professional Standard - Electron, 발진기

• SJ/T 10104-1991 YX5071 레벨 발진기
• SJ/Z 9155.2-1987 수정 수정 발진기 2부: 수정 수정 발진기 사용자 가이드
• SJ 2942-1988 레벨 발진기 테스트 방법
• SJ 1852-1981 수정 발진기 용어
• SJ 51648/5-1997 ZC503형 수정 발진기의 상세 사양
• SJ 2941-1988 레벨 발진기의 일반 기술 조건
• SJ/T 10638-1995 수정진동자 시험방법
• SJ 51648.4-1995 ZC505E형 수정발진기의 상세사양
• SJ 2762-1987 표면탄성파 발진기 용어
• SJ 2763-1987 표면탄성파 발진기 치수
• SJ 51648/1-1994 ZF507 수정 발진기의 상세 사양
• SJ 51648/2-1994 ZD509형 수정 발진기의 상세 사양
• SJ/T 9570.3-1995 수정 발진기 품질 등급 표준
• SJ 20803-2001 마이크로파 회로 전압 제어 발진기 테스트 방법
• SJ 51648/3-1994 ZC505(A~D)형 수정발진기의 상세사양
• SJ 20527.2-1995 마이크로파 구성 요소 WFZ817 전압 제어 발진기의 세부 사양
• SJ 20527.3-2001 마이크로파 부품 WFZ816A 유형 전압 제어 발진기의 세부 사양
• SJ 20527.7-2003 마이크로파 구성 요소 WFZ1006 위상 고정 유전체 발진기의 세부 사양
• SJ/T 11256-2001 적격 수정 발진기 1부: 일반 사양
• SJ/T 11457.2-2022 도파관 유전체 공진기 2부: 발진기 및 필터 사용 지침
• SJ/T 11257-2001 품질 평가가 포함된 수정 발진기 파트 5: 하위 사양 - 자격 승인
• SJ/T 11258-2001 적격 수정 수정 발진기 파트 5-1: 빈 세부 사양 - 품질 승인
• SJ/T 11743.3-2019 주파수 제어 및 선택을 위한 압전 및 유전체 장치의 용어 3부: 압전 및 유전체 발진기

Korean Agency for Technology and Standards (KATS), 발진기

• KS C 6503-1999 수정 진동자
• KS C 6503-1984 수정 진동자
• KS C IEC 60679-2:2018 수정 수정 발진기 2부: 수정 수정 발진기 사용 가이드
• KS C IEC 60679-2-2023 수정 수정 발진기 2부: 수정 수정 발진기 사용 가이드
• KS C 6509-1991 수정 발진기의 일반 규칙
• KS C 6508-2013 발진기용 수정진동자(200,000kHz)
• KS C 6509-1991(2011) 수정 발진기의 일반 규칙
• KS C 6504-1987 수정 진동자 자동 온도 조절 욕조
• KS C 6508-1990 수정진동자(200∼1000kHz용)
• KS C IEC 60679-6:2018 인증된 수정 발진기 6부: 수정 수정 발진기 및 표면탄성파 발진기의 위상 지터 측정 방법에 대한 애플리케이션 가이드
• KS C IEC 60679-6-2023 적격 수정 수정 발진기 6부: 수정 수정 발진기 및 표면 탄성파 발진기의 위상 지터 측정 방법에 대한 애플리케이션 지침
• KS C 6503-1999(2009) 발진기용 수정 수정 장치
• KS C 6509-2013 수정 진동자 제어 발진기에 대한 일반 규칙
• KS C 6508-1990(2010) 발진기용 수정진동자 장치(200∼1000kHz용)
• KS C IEC 62860-1:2018 유기 트랜지스터 기반 링 발진기의 테스트 방법
• KS C IEC 61338-2:2018 도파관 유전체 공진기 2부: 발진기 및 필터 애플리케이션 가이드
• KS C IEC 61338-2-2023 도파관 유전체 공진기 2부: 발진기 및 필터 애플리케이션 가이드
• KS C IEC 60679-1:2018 인증된 압전, 유전체 및 정전기 발진기 1부: 일반 사양
• KS C IEC 60679-1-2023 인증된 압전, 유전체 및 정전기 발진기 1부: 일반 사양
• KS C IEC 60679-5:2018 수정 발진기의 품질 평가 - 파트 5: 부분 사양 - 자격
• KS C IEC 60679-4:2018 수정 발진기의 품질 평가 - 4부: 분할 사양 - 역량 인증
• KS C IEC 60679-4-2023 수정 발진기의 품질 평가 4부: 세그먼트 사양에 대한 역량 인증
• KS C IEC 60679-5-2023 수정 발진기의 품질 평가 5부: 부분 사양 자격
• KS C IEC 60679-3:2021 적격 수정 수정 발진기 3부: 표준 개요 및 리드 연결
• KS C IEC 62884-1:2019 압전, 유전체 및 정전기 발진기의 측정 기술 1부: 기본 측정 방법
• KS C IEC 62884-2:2019 압전, 유전체 및 정전기 발진기의 측정 기술 2부: 위상 지터 측정 방법
• KS C IEC 60679-5-1-2002(2017) 수정 결정 품질 평가를 위한 제어 발진기 - 파트 5-1: 빈 세부 사양 - 자격 승인
• KS C IEC 60679-4-1-2002(2017) 품질 평가된 수정 발진기 파트 4-1: 공백 상세 사양 기능 승인

Japanese Industrial Standards Committee (JISC), 발진기

• JIS C 6701:1995 수정 진동자
• JIS C 6710:1995 수정 진동자 제어 발진기에 대한 일반 규칙
• JIS C 6710:1999 수정 제어 발진기의 일반 사양
• JIS C 6710:2007 수정 제어 발진기의 일반 사양
• JIS C 6710:2021 발진기의 일반 사양 및 테스트 방법
• JIS T 5504:2021 치과용 회전 및 진동 기구.

工业和信息化部/国家能源局, 발진기

• JB/T 12922-2016 항온 배양기

Taiwan Provincial Standard of the People's Republic of China, 발진기

• CNS 12253-1988 발진기용 수정진동수정(1MHz~125MHz용)
• CNS 12254-1988 발진기용 수정진동수정(200KHz~1000KHz용)

International Electrotechnical Commission (IEC), 발진기

• IEC 60679-2:1981 수정 수정 발진기 2부: 수정 수정 발진기 사용자 가이드
• IEC PAS 60679-6:2008 품질 평가를 거친 수정 발진기 6부: 수정 수정 발진기 및 SAW 발진기의 위상 지터 측정 방법 애플리케이션 노트
• IEC 60679-6:2011 적격 수정 수정 발진기 6부: 수정 수정 발진기 및 탄성 표면파 발진기의 위상 지터 측정 방법 애플리케이션 가이드
• IEC 61338-2:2004 도파관형 유전체 공진기 2부: 발진기 및 필터 응용 가이드
• IEC 60747-16-5:2013 반도체 장치 16-5부: 마이크로파 집적 회로 발진기
• IEC 60747-16-5:2013+AMD1:2020 CSV 반도체 장치 16-5부: 마이크로파 집적 회로 발진기
• IEC 60679-1:1997 적격 수정 발진기 1부: 일반 사양
• IEC 60679-1:2007 적격 수정 발진기 1부: 일반 사양
• IEC 62860-1:2013 링 발진기를 기반으로 한 유기 트랜지스터 특성 실험 방법
• IEC 60679-3:1989 수정 크리스털 제어 발진기 3부: 표준 개요 및 리드 연결
• IEC 60747-16-5:2013/AMD1:2020 수정 1. 반도체 장치 16-5부: 마이크로파 집적 회로 발진기
• IEC 60747-16-5:2013/AMD1:2020/COR1:2020 정오표 1 반도체 장치 파트 16-5: 마이크로파 집적 회로 발진기
• IEC 60679-1/AMD1:2002 수정 발진기의 품질 평가 1부: 일반 사양 수정 1
• IEC 60122-3:2010 석영 발진기의 품질 평가 3부: 표준 프레임 및 리드 연결
• IEC 60679-4:1997 품질 평가된 수정 발진기 파트 4: 하위 사양 기능 승인
• IEC 60679-1:2017 압전, 유전체 및 정전기 발진기의 품질 평가 1부: 일반 사양
• IEC 60679-5:1998 품질 평가된 수정 발진기 파트 5: 사양 승인
• IEC 60679-1:1980 수정 진동자 제어 발진기 1부: 일반 정보, 테스트 조건 및 방법
• IEC 60679-1/AMD1:1985 수정 진동자 제어 발진기 1부: 일반 정보, 테스트 조건 및 방법
• IEC 62884-1:2017 압전, 유전체 및 정전기 발진기의 측정 기술 1부: 기본 측정 방법
• IEC 60679-1/AMD2:2003 적격 수정 진동자 제어 발진기 1부: 일반 사양 수정 사항 2
• IEC 62884-3:2018 압전, 유전체 및 정전기 발진기의 측정 기술 3부: 주파수 노화 테스트 방법
• IEC 60679-3:2012 수정 진동자 제어 발진기의 평가 기준 3부: 표준 개요 및 리드 연결
• IEC 62884-2:2017 압전, 압전 및 정전기 발진기의 측정 기술 2부: 위상 지터 측정 방법
• IEC 60679-4-1:1998 품질 평가된 석영 크리스털 발진기 파트 4-1: 빈 세부 사양 기능 승인
• IEC 60679-3:2001 적격 석영 크리스털 제어 발진기 3부: 표준 개요 및 리드 연결
• IEC 60679-5-1:1998 적격 수정 수정 발진기 파트 5-1: 빈 세부 사양 자격 승인
• IEC TS 61994-3:2004 주파수 제어 및 선택을 위한 압전 및 유전체 장치 용어집 3부: 압전 및 유전체 발진기

Military Standard of the People's Republic of China-General Armament Department, 발진기

• GJB 1648-1993 수정 발진기의 일반 사양
• GJB 3160-1998 자이로자기 발진기의 일반 사양
• GJB 1648-2-2011 수정 발진기의 일반 사양
• GJB 1648A-2011 수정 발진기의 일반 사양
• GJB 3515-1999 표면탄성파 발진기의 일반 사양
• GJB 1648/1-2011 ZA511(ZPB-5) 수정 발진기의 상세 사양
• GJB/Z 45.2-1993 군용 압전 장치 시리즈 스펙트럼 수정 발진기
• GJB 1648/2-2011 ZC547(ZWB-1) 온도 보상 수정 발진기의 세부 사양
• GJB 1648/3-2011 ZC545(ZWC-6B-1/2) 온도 보상 수정 발진기의 세부 사양
• GJB 2438/25-2021 하이브리드 집적 회로 WHZD6500M-11 마이크로파 하이브리드 통합 전압 제어 발진기의 세부 사양
• GJB 2438/23-2021 하이브리드 집적 회로 WHZD950M1050M-10 유형 마이크로파 하이브리드 통합 전압 제어 발진기 세부 사양
• GJB 2438/24-2021 하이브리드 집적 회로 WHZD800M1100M-10 유형 마이크로파 하이브리드 통합 전압 제어 발진기 세부 사양
• GJB 2438/28-2021 하이브리드 집적 회로 WHZD2200M2600M-10 유형 마이크로파 하이브리드 통합 전압 제어 발진기 세부 사양
• GJB 2438/21-2021 하이브리드 집적 회로 WHZD8240M8600M-10 유형 마이크로파 하이브리드 통합 전압 제어 발진기 세부 사양

British Standards Institution (BSI), 발진기

• BS EN 60679-6:2011 품질이 평가된 수정 진동자 제어 발진기 수정 수정 발진기 및 SAW 발진기의 위상 지터 측정 방법 애플리케이션 노트
• BS EN 61338-2:2004 도파관형 유전체 공진기, 발진기 및 필터 가이드
• BS EN 60747-16-5:2013+A1:2020 반도체 장치 마이크로파 집적 회로 발진기
• BS EN 60747-16-5:2013 반도체 장치, 마이크로파 집적 회로, 발진기
• BS ISO 3159:2009 스프링 밸런스 오실레이터가 장착된 크로노그래프 시계
• BS EN 60679-1:2007 품질이 평가된 수정 발진기 일반 사양
• BS ISO 3159:2010 타이밍 장비 밸런스 스프링 오실레이터가 장착된 정밀 시계
• BS IEC 62860-1:2013 유기 트랜지스터 기반 링 발진기의 특성 테스트 방법
• BS EN 60679-1:2017 압전, 유전체 및 정전기 발진기의 품질은 일반 사양에 따라 평가됩니다.
• BS 9620:1975 수정 발진기의 품질 평가 사양: 일반 데이터 및 테스트 방법
• BS EN 60679-3:2013 품질 등급 수정 진동자 표준 폼 팩터 및 리드 연결
• BS EN 62884-1:2017 압전, 유전체 및 정전기 발진기의 측정 기술 기본 측정 방법
• BS EN 62884-2:2017 압전, 유전체 및 정전기 발진기의 측정 기술 위상 지터 측정 방법
• BS EN IEC 62884-3:2018 압전, 유전체 및 정전기 발진기의 측정 기술 주파수 노화 테스트 방법
• BS EN 60679-4:1998 품질 평가를 거친 수정 진동자 제어 발진기 프로필 사양 역량 인정
• BS EN 60679-5:1998 품질 평가를 거친 석영 크리스털 제어 발진기 프로필 사양 자격 승인
• 19/30393894 DC BS EN 60747-16-5 AMD1 반도체 장치 파트 16-5 마이크로파 집적 회로 발진기
• BS EN 169000:1993 전자 부품의 품질 평가를 위한 조정 시스템입니다. 일반 사양. 석영 크리스털 제어 발진기
• BS EN 60679-4-1:1998 품질 평가 후 수정 진동자 제어 발진기의 블랭크 세부 사양에 대한 자격 승인
• BS EN 60679-5-1:1998 품질 평가 수정 진동자에 대한 빈 세부 사양의 자격 승인
• BS EN IEC 62884-4:2019 압전, 유전체 및 정전기 발진기의 측정 기술 단기 주파수 안정성 테스트 방법
• BS EN 169101:1995 전자 부품의 품질 평가를 위한 조정 사양 빈 세부 사양 수정 진동자 제어
• 12/30274095 DC BS EN 60679-1 AMD1 품질 평가 석영 크리스탈 제어 발진기 1부. 일반 사양

Association Francaise de Normalisation, 발진기

• NF EN 60679-6:2011 품질 보증에 따른 수정 제어 발진기 6부: 수정 발진기 및 SAW 발진기의 위상 지터 측정 방법에 대한 애플리케이션 지침
• NF C93-620-6*NF EN 60679-6:2011 수정 수정 발진기의 품질 평가 6부: 수정 수정 발진기 및 톱니파 발진기의 위상 지터 측정 방법
• NF EN ISO 1797:2017 치과용 회전 및 진동 기구용 샤프트
• NF UTE C93-611:1975 압전 장치 석영 발진기 특정 시트 모음
• NF C93-611:1975 전자 장비 부품, 압전 장치, 발진기용 수정 수정 장치.
• NF C96-627-2*NF EN 61338-2:2004 도파관 유전체 공진기 2부: 발진기 및 필터 애플리케이션 가이드
• NF C96-016-5*NF EN 60747-16-5:2014 반도체 장치 16-5부: 마이크로파 집적 회로 발진기
• NF EN 60747-16-5/A1:2020 반도체 장치 - 부품 16-5: 마이크로파 집적 회로 - 발진기
• NF EN 60747-16-5:2014 반도체 장치 - 부품 16-5: 마이크로파 집적 회로 - 발진기
• NF EN 61338-2:2004 공진 유전체 모드 가이드 2부: 필터 및 발진기 애플리케이션 가이드
• NF C93-620-1:2013 적격 수정 발진기 - 1부: 일반 사양
• UTE C93-611U*UTE C93-611:1975 전기 장비 부품 압전 장치 발진기용 수정 장치
• NF EN 60679-4-1:1999 석영 발진기 품질 보증 - 파트 4-1: 사양. 아그레망 드 사보아르페어.
• NF EN 60679-5:1999 품질 보증 파트 5의 석영 구동 발진기: 중간 사양 승인
• NF EN 60679-5-1:2000 석영 발진기 파일럿 품질 보증 파트 5-1: 사양 세부 사항 인증
• NF EN 60679-3:2013 품질이 보장된 수정 구동 발진기 3부: 표준 크기 및 출력 연결
• NF EN 60679-1:2017 품질 보증 대상 압전, 유전체 및 정전기 발진기 1부: 일반 사양
• NF C93-620-4*NF EN 60679-4:1999 품질 평가된 수정 진동자 제어 발진기 4부: 하위 사양 기능 승인
• NF EN 62884-1:2017 압전, 유전체 및 정전기 발진기의 측정 기술 1부: 기본 측정 방법
• NF C93-684-3*NF EN IEC 62884-3:2018 압전, 유전체 및 정전기 발진기의 측정 기술 3부: 주파수 노화 테스트 방법
• NF C93-684-2*NF EN 62884-2:2017 압전, 유전체 및 정전기 발진기의 측정 기술 2부: 위상 지터 측정 방법
• UTE C93-611/A1U*UTE C93-611/A1:1979 전기 장비 부품 압전 장비 발진기용 수정 수정 장치 관련 기사 표
• NF EN 60679-4:1999 품질 보증을 받는 석영 구동 발진기 4부: 중간 사양 노하우 승인
• NF EN IEC 62884-3:2018 압전, 유전체 및 정전기 발진기의 측정 기술 3부: 주파수 노화 테스트 방법
• NF EN 62884-2:2017 압전, 유전체 및 정전기 발진기의 측정 기술 2부: 위상 지터 측정 방법
• NF C93-620-5*NF EN 60679-5:1999 품질 평가된 수정 진동자 제어 발진기 파트 5: 하위 사양 자격 승인
• NF C93-620-3:2002 품질이 평가된 수정 진동자 제어 발진기 3부: 표준 폼 팩터 및 리드 커넥터
• NF C93-620-3*NF EN 60679-3:2013 품질 평가 석영 크리스털 제어 발진기 3부: 표준 개요 및 리드 커넥터
• NF EN ISO 389-3:2016 음향 청력 측정 장비 교정을 위한 기준 영점 파트 3: 순음 진동기 및 발진기의 임계 진동력에 대한 등가 기준 레벨

KR-KS, 발진기

• KS C IEC 60679-2-2018 수정 수정 발진기 2부: 수정 수정 발진기 사용 가이드
• KS C IEC 60679-2-2018(2023) 수정 발진기 2부: 수정 수정 발진기 사용 가이드
• KS C IEC 60679-6-2018(2023) 수정 수정 발진기의 품질 평가 6부: 수정 수정 발진기 및 SAW 발진기의 위상 지터 측정 방법 애플리케이션 노트
• KS C IEC 60679-6-2018 인증된 수정 발진기 6부: 수정 수정 발진기 및 표면탄성파 발진기의 위상 지터 측정 방법에 대한 애플리케이션 가이드
• KS B ISO 3159-2008 스프링 밸런스 오실레이터가 장착된 크로노그래프 시계
• KS C IEC 62860-1-2018 유기 트랜지스터 기반 링 발진기의 테스트 방법
• KS C IEC 61338-2-2018 도파관 유전체 공진기 2부: 발진기 및 필터 애플리케이션 가이드
• KS C IEC 61338-2-2018(2023) 도파관 유전체 공진기 2부: 발진기 및 필터 애플리케이션 가이드
• KS C IEC 62860-1-2018(2023) 유기 트랜지스터 기반 링 발진기의 특성 테스트 방법
• KS C IEC 60679-1-2018 인증된 압전, 유전체 및 정전기 발진기 1부: 일반 사양
• KS C IEC 60679-1-2018(2023) 압전, 유전체 및 정전기 발진기의 품질 평가 1부: 일반 사양
• KS C IEC 60679-4-2018 수정 발진기의 품질 평가 - 4부: 분할 사양 - 역량 인증
• KS C IEC 60679-5-2018 수정 발진기의 품질 평가 - 파트 5: 부분 사양 - 자격
• KS C IEC 60679-5-2018(2023) 수정 진동자 제어 발진기의 품질 평가 5부: 하위 사양.
• KS C IEC 60679-4-2018(2023) 석영 크리스털 제어 발진기의 품질 평가 파트 4: 하위 사양 성능 승인
• KS C IEC 62884-1-2019 압전, 유전체 및 정전기 발진기의 측정 기술 1부: 기본 측정 방법
• KS C IEC 60679-3-2021 적격 수정 수정 발진기 3부: 표준 개요 및 리드 연결
• KS C IEC 62884-2-2019 압전, 유전체 및 정전기 발진기의 측정 기술 2부: 위상 지터 측정 방법
• KS C IEC 62884-3-2023 압전, 유전체 및 정전기 발진기의 측정 기술 3부: 주파수 노화 테스트 방법

National Metrological Verification Regulations of the People's Republic of China, 발진기

• JJG 374-1997 레벨 발진기 교정 절차
• JJG(航天) 8-1985 비트 주파수 발진기 교정 절차
• JJG(铁道) 126-1991 레벨 발진기 교정 절차
• JJG(邮电) 013-1992 레벨 발진기 교정 절차
• JJG(电子) 12008-1987 유형 3080B 1kHz 발진기에 대한 시험 검증 절차
• JJG(电子) 11004-1988 620kHz~18.6MHz 레벨 발진기 시험 검증 절차
• JJG(电子) 01002-1989 QF16101GAJF 5MHz 전압 제어 수정 발진기 검증 절차
• JJG(电子) 11002-1988 620kHz 미만의 저주파 레벨 발진기에 대한 시험 검증 절차
• JJG 180-2002 전자 측정 장비의 수정 발진기 교정 절차
• JJG(电子) 11005-1988 18.6MHz 이상의 주파수 대역에서 전자 발진기에 대한 시험 검증 절차

Professional Standard - Post and Telecommunication, 발진기

• YD 301-1983 레벨 발진기 테스트 방법
• YD/T 650-1994 620kHz 레벨 발진기 품질 등급 표준
• YD/T 294-1982 620KHz 레벨 발진기의 주요 기술 요구 사항

American National Standards Institute （ANSI), 발진기

• ANSI/AWWA C713-2010 냉수미터 제트오실레이터형
• ANSI/AWWA C713-2005 냉수미터 제트오실레이터형
• ANSI/AWWA C713-2015 냉수미터 유체 발진기 유형
• ANSI/IEEE 1620.1:2006 링 발진기를 기반으로 하는 유기 전기 트랜지스터의 특성을 특성화하기 위한 표준 테스트 방법

Group Standards of the People's Republic of China, 발진기

• T/HEBQIA 135-2022 OC1409 항온 수정 발진기
• T/CASME 403-2023 하이브리드 집적 회로용 전압 제어 발진기
• T/SHDSGY 120-2022 회전식 항온 발진기의 온도 감시 및 조절 장치

National Metrological Technical Specifications of the People's Republic of China, 발진기

• JJF 1982-2022 레벨 발진기 교정 사양
• JJF(纺织)105-2023 항온수조 발진기의 교정 사양
• JJF(纺织) 105-2023 항온수조 발진기의 교정 사양
• JJF 1984-2022 전자 측정 장비의 수정 발진기 교정 사양

IEC - International Electrotechnical Commission, 발진기

• PAS 60679-6-2008 품질 인증을 받은 수정 발진기 "제6부: 수정 수정 발진기 및 SAW 발진기를 위한 위상 지터 측정 방법" 애플리케이션 가이드(버전 1.0)

Danish Standards Foundation, 발진기

• DS/EN 60679-6:2011 수정 수정 발진기의 품질 평가 6부: 수정 수정 발진기 및 SAW 발진기의 위상 지터 측정 방법에 대한 애플리케이션 지침
• DS/EN 169200:1998 하위 사양: 석영 수정 제어 발진기(자격 승인)
• DS/EN 61338-2:2004 도파관 유전체 공진기 2부: 발진기 및 필터 애플리케이션 가이드
• DS/EN 60747-16-5:2013 반도체 장치 16-5부: 마이크로파 집적 회로 발진기
• DS/EN 169201:1998 공백 상세 사양: 수정 진동자 제어(자격 승인)
• DS/EN 60679-1:2007 평가된 품질의 수정 크리스털 제어 발진기 파트 1: 일반 사양
• DS/EN 60679-4:1998 석영 크리스털 제어 발진기의 품질 평가 4부: 하위 사양 기능 승인
• DS/EN 60679-5:1999 석영 크리스털 제어 발진기의 품질 평가 5부: 하위 사양 자격 승인
• DS/EN 60679-3:2002 평가된 품질의 수정 크리스털 제어 발진기 파트 3: 표준 폼 팩터 및 리드 연결
• DS/EN 60679-3:2013 평가된 품질의 수정 크리스털 제어 발진기 파트 3: 표준 폼 팩터 및 리드 연결

CENELEC - European Committee for Electrotechnical Standardization, 발진기

• EN 60679-6:2011 수정 수정 발진기의 품질 평가 6부: 수정 수정 발진기 및 SAW 발진기의 위상 지터 측정 방법에 대한 애플리케이션 지침
• EN 169200:1995 하위 사양: 석영 수정 제어 발진기(자격 승인)
• EN 169201:1995 공백 상세 사양: 수정 진동자 제어 발진기(인증)
• EN 60679-1:1998 적격 수정 발진기 1부: 일반 사양
• EN 60679-3:2001 석영 크리스털 제어 발진기의 품질 평가 3부: 표준 개요 및 리드 연결
• EN IEC 62884-3:2018 압전 유전체 및 정전기 발진기의 측정 기술 3부: 주파수 노화 테스트 방법

German Institute for Standardization, 발진기

• DIN IEC 60679-2:1997 수정 수정 발진기 2부: 수정 수정 발진기 사용 지침
• DIN EN ISO 1797:2017-09 치과용 회전 및 진동 기구 핸들
• DIN 4235-1:1978 진동 방법에 의한 콘크리트 압축 1부: 진동기 및 진동 기계
• DIN IEC 60679-2:1997-09 수정 수정 발진기 - 2부: 수정 수정 발진기 사용에 대한 지침(IEC 60679-2:1981)
• DIN EN 60679-6:2011 수정 발진기의 품질 평가 6부: 수정 발진기 및 SAW 발진기의 위상 지터 측정 방법 애플리케이션 가이드(IEC 60679-6-2011) 독일어 버전 EN 60679-6-2011
• DIN EN 169200:1996 하위 사양: 석영 제어 발진기(인증)
• DIN EN 169200:1996-05 하위 사양: 석영 수정 제어 발진기(자격 승인)
• DIN EN 169201:1996 공백 상세 사양: 석영 제어 발진기(인증)
• DIN EN 61338-2:2005 도파관형 유전체 공진기 2부: 발진기 및 필터 응용 가이드
• DIN EN 61338-2:2005-02 도파관 유전체 공진기 2부: 발진기 및 필터 애플리케이션 가이드
• DIN EN 60747-16-5:2021-08 반도체 장치 16-5부: 마이크로파 집적 회로 발진기
• DIN 4235-5:1978 진동법을 이용한 콘크리트 다짐 5부: 표면 진동기를 이용한 다짐
• DIN EN 169201:1996-05 공백 상세 사양: 수정 진동자 제어(자격 승인)
• DIN EN 60679-1:2008 적격 수정 발진기 1부: 일반 사양
• DIN 4235-4:1978 진동 방법에 의한 콘크리트 다짐 4부: 거푸집 진동기를 이용한 현장 다짐
• DIN EN 60679-5:1999-05 석영 크리스털 제어 발진기의 품질 평가 5부: 하위 사양
• DIN 4235-2:1978 진동 방식에 의한 콘크리트 다짐 2부: 플러그인 오실레이터를 사용한 다짐
• DIN EN 60679-1:2018-04 압전, 유전체 및 정전기 발진기의 품질 평가 1부: 일반 사양
• DIN EN 60747-16-5/A1:2019 반도체 장치 16-5부: 마이크로파 집적 회로 발진기(IEC 47E/649/CD:2019)
• DIN EN 60679-4-1:1998-12 석영 수정 제어 발진기의 품질 평가 4-1부: 공백 상세 사양
• DIN EN 60679-4:1998-11 석영 크리스털 제어 발진기의 품질 평가 4부: 하위 사양 기능 승인
• DIN EN 60679-5-1:1999-05 석영 수정 제어 발진기의 품질 평가 5-1부: 공백 상세 사양
• DIN 4235-3:1978 진동 방법에 의한 콘크리트 압축 3부: 프리캐스트 부품 생산 시 외부 외부 진동기를 사용한 압축
• DIN EN 60679-4:1998 품질이 평가된 수정 진동자 제어 발진기 파트 4: 하위 사양 역량 인정
• DIN EN 62884-1:2018-02 압전, 유전체 및 정전기 발진기의 측정 기술 1부: 기본 측정 방법
• DIN EN 60679-5:1999 적격 수정 진동자 제어 발진기 파트 5: 하위 사양.
• DIN EN 62884-2:2018-05 압전, 유전체 및 정전기 발진기의 측정 기술 2부: 위상 지터 측정 방법
• DIN EN 60679-3:2014-01 석영 크리스털 제어 발진기의 품질 평가 3부: 표준 개요 및 리드 연결
• DIN EN IEC 62884-3:2018-10 압전, 유전체 및 정전기 발진기의 측정 기술 3부: 주파수 노화 테스트 방법

Defense Logistics Agency, 발진기

• DLA MIL-PRF-55310/21 F-2008 발진기, 수정 제어, 유형 1(수정 발진기(XO)), 1.0MHz ~ 60.0MHz, 밀폐형, 구형파, TTL
• DLA MIL-PRF-55310/21 G-2008 발진기, 수정 제어, 유형 1(수정 발진기(XO)), 1.0MHz ~ 60.0MHz, 밀폐형, 구형파, TTL
• DLA MIL-O-52374 D-2006 발진기: 고전압 일반 사양
• DLA SMD-5962-05203-2005 전자 제어 발진기 하이브리드 마이크로 회로
• DLA SMD-5962-05203 REV A-2012 마이크로회로, 하이브리드, 전압 제어 발진기
• DLA MIL-O-52374 E-2013 발진기: 고전압 일반 사양
• DLA SMD-5962-81020 REV F-2006 실리콘 모놀리식 단안정 멀티바이브레이터/불안정 멀티바이브레이터, 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
• DLA A-A-59433 VALID NOTICE 1-2004 회전 샤프트 발진기 유형 액체 교반기
• DLA A-A-59433-1999 회전 샤프트 발진기 유형 액체 교반기
• DLA SMD-5962-89778 REV A-2006 실리콘 모놀리식, 전자 제어 발진기, 선형 마이크로회로
• DLA SMD-5962-89785 REV K-2006 듀얼 채널 고이득 발진기, 하이브리드 마이크로회로
• DLA SMD-5962-89810 REV G-2007 단일 채널 고이득 발진기, 선형 하이브리드 마이크로회로
• DLA SMD-5962-87773 REV B-2007 실리콘 모놀리식 단극 다중 주파수 발진기 발광 디지털 마이크로회로
• DLA SMD-5962-96828 REV A-2002 전압 제어 발진기 실리콘 모놀리식 회로 선형 마이크로 회로
• DLA SMD-5962-79011 REV E-1994 실리콘 모놀리식 듀얼 D형 쌍안정 멀티바이브레이터 플립플롭
• DLA SMD-5962-87805 REV B-2011 초소형 회로, 디지털, 고속 CMOS, 듀얼 멀티바이브레이터, 모놀리식 실리콘
• DLA MIL-M-38510/12 J VALID NOTICE 1-2009 미세회로, 디지털, 양극, TTL, 단안정 멀티바이브레이터, 모놀리식 실리콘
• DLA SMD-5962-90557 REV C-2010 미세회로, 디지털, CMOS, 배정밀도 단안정 멀티바이브레이터, 모놀리식 실리콘
• DLA SMD-5962-81020 REV G-2013 마이크로회로, 디지털, CMOS, 단안정/불안정 멀티바이브레이터, 모놀리식 실리콘
• DLA SMD-5962-76039 REV G-2009 마이크로회로, 디지털, 저전력 쇼트키 TTL, 멀티바이브레이터, 모놀리식 실리콘
• DLA SMD-5962-87711 REV B-2009 미세회로, 디지털, 양극, TTL, 이중 단안정 멀티바이브레이터, 모놀리식 실리콘
• DLA SMD-5962-76039 REV F-2003 실리콘 모놀리식 멀티바이브레이터 쇼트키 저전력 TTL 디지털 마이크로회로
• DLA SMD-5962-76042 REV G-2005 실리콘 모놀리식 멀티바이브레이터 쇼트키 저전력 TTL 디지털 마이크로회로
• DLA SMD-5962-81021 REV E-2005 실리콘 모놀리식 전자 제어 발진기, 쇼트키 저전력 TTL 디지털 마이크로 회로
• DLA SMD-5962-89609 REV B-2012 초소형 회로, 디지털, 고속 CMOS, 전압 제어 발진기를 갖춘 위상 고정 루프, 모놀리식 실리콘
• DLA SMD-5962-97553 REV A-2006 단안정 멀티바이브레이터 트랜지스터 실리콘 모놀리식 회로 디지털 바이폴라 마이크로회로
• DLA MIL-M-38510/314 C VALID NOTICE 2-2013 마이크로회로, 디지털, 저전력 쇼트키, TTL, 단안정 멀티바이브레이터, 모놀리식 실리콘
• DLA SMD-5962-86847 REV E-2013 초소형 회로, 디지털, 고속 CMOS, 듀얼 트리거 단안정 멀티바이브레이터, 모놀리식 실리콘
• DLA MIL-M-38510/175 C VALID NOTICE 1-2011 마이크로회로, 디지털, CMOS, 포지티브 로직, 플립플롭 및 단안정 멀티바이브레이터, 모놀리식 실리콘
• DLA SMD-5962-94579 REV A-2004 실리콘 모놀리식, 저전력 6비트 D형 쌍안정 멀티바이브레이터, 디지털 마이크로회로
• DLA SMD-5962-83020 REV G-2005 실리콘 모놀리식 쌍안정 멀티바이브레이터, TTL 쇼트키 고급 저전력 디지털 마이크로회로
• DLA DSCC-DWG-05014 REV A-2013 발진기, 수정 제어, 5V, 활성화/3상태, 312KHZ~120MHZ, TTL 및 CMOS 호환, 표면 실장
• DLA SMD-5962-77055 REV B-1981 재트리거 가능 재조정 가능 단안정 멀티바이브레이터 산화물 반도체 디지털 마이크로 회로
• DLA SMD-5962-82022 REV A-2001 실리콘 모놀리식 6비트 D형 쌍안정 멀티바이브레이터, 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
• DLA SMD-5962-88757 REV C-2013 초소형 회로, 디지털, 고속 CMOS, 전압 제어 발진기를 갖춘 위상 고정 루프, TTL 호환 입력, 모놀리식 실리콘
• DLA DSCC-DWG-05013 REV A-2013 발진기, 수정 제어, 3.3V, 활성화/3상태, 312KHZ~170MHZ, TTL 및 CMOS 호환, 표면 실장
• DLA SMD-5962-76013 REV J-2005 실리콘 모놀리식 쌍안정 멀티바이브레이터 플립플롭 쇼트키 저전력 TTL 디지털 마이크로회로
• DLA SMD-5962-87505 REV C-2007 실리콘 모놀리식 쌍안정 멀티바이브레이터 플립플롭, 이미터 결합 로직, 디지털 마이크로회로
• DLA DSCC-DWG-05013-2006 외부 마운트, TTL 및 CMOS 호환, 3.3V, 312KHZ~170MHz, 3상태 수정 제어 발진기
• DLA SMD-5962-83019 REV G-2005 실리콘 모놀리식 쌍안정 멀티바이브레이터, TTL 쇼트키 고급 저전력 바이폴라 디지털 마이크로 회로
• DLA SMD-5962-84001 REV K-2005 실리콘 모놀리식 쌍안정 멀티바이브레이터, TTL 쇼트키 고급 저전력 바이폴라 디지털 마이크로 회로
• DLA SMD-5962-84010 REV D-2005 실리콘 모놀리식 쌍안정 멀티바이브레이터, TTL 쇼트키 고급 저전력 바이폴라 디지털 마이크로 회로
• DLA SMD-5962-84136 REV E-2005 실리콘 모놀리식 쌍안정 멀티바이브레이터, TTL 쇼트키 고급 저전력 바이폴라 디지털 마이크로 회로
• DLA SMD-5962-87805 REV A-2005 실리콘 모놀리식 듀얼 멀티바이브레이터 고속 상보형 금속 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
• DLA SMD-5962-84056 REV E-2002 실리콘 모놀리식 D형 듀얼 플립플롭 멀티바이브레이터, 고속 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
• DLA SMD-5962-90557 REV B-2003 실리콘 모놀리식, 이중 정확도 단안정 멀티바이브레이터, 고속 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
• DLA SMD-5962-87662 REV C-2013 마이크로회로, 디지털, 쇼트키, 이중 재트리거 가능, 재설정 가능, 단안정 멀티바이브레이터, 모놀리식 실리콘
• DLA SMD-5962-78011 REV G-2003 실리콘 모놀리식 8비트 쌍안정 멀티바이브레이터 플립플롭, 쇼트키 저전력 TTL 디지털 마이크로회로
• DLA SMD-5962-89771 REV B-2012 초소형 회로, 디지털, 고속 CMOS, 오실레이터가 있는 14단계 바이너리 카운터, TTL 호환 입력, 모놀리식 실리콘
• DLA DSCC-VID-V62/11604 REV A-2010 마이크로 회로, 디지털, 가변 분해능, 기준 발진기를 갖춘 10비트~16비트 R/D 변환기, 모놀리식 실리콘
• DLA SMD-5962-77045 REV E-1987 실리콘 모놀리식 재트리거 가능 단안정 멀티바이브레이터 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
• DLA SMD-5962-89609 REV A-2006 전자 제어 발진기, 고속 산화물 반도체 디지털 마이크로회로가 장착된 실리콘 모놀리식 위상 고정 루프
• DLA SMD-5962-87662 REV B-2006 실리콘 모놀리식 단안정 멀티바이브레이터, 재설정 가능 이중 재트리거 가능 쇼트키 디지털 마이크로회로
• DLA SMD-5962-87711 REV A-2001 실리콘 모놀리식 이중 단안정 멀티바이브레이터, 트랜지스터-트랜지스터 논리 회로, 양극 디지털 마이크로회로
• DLA SMD-5962-96751 REV A-2003 바이폴라 저전력 트랜지스터, 듀얼 JK 쌍안정 멀티바이브레이터 실리콘 모놀리식 회로 디지털 마이크로회로
• DLA SMD-5962-97562 REV A-2006 팔각형 클래스 D 트리거 쌍안정 멀티바이브레이터 트랜지스터 실리콘 모놀리식 회로 디지털 양극 마이크로회로

未注明发布机构, 발진기

• DIN IEC 679-2:1997 수정 수정 제어 발진기, 2부, 수정 수정 제어 발진기 사용자 가이드
• BS EN 169200:1996(2000) 전자 부품의 품질 평가를 위한 조정 시스템 - 하위 사양: 석영 수정 제어 발진기(자격 승인)

SE-SIS, 발진기

• SIS SEN 43 60 01-1964 발진기용 수정 수정 장치

RU-GOST R, 발진기

• GOST 22866-1977 석영 발진기 용어 및 정의
• GOST 16165-1980 공정 장비에 사용되는 트랜지스터 초음파 발진기 일반 사양
• GOST 12152-1966 주파수 특성 측정 및 주파수 스윙 발진기 교정 방법 및 도구
• GOST 16863-1971 0.1MHz~35MHz의 주파수 범위를 측정하기 위한 발진기 교정 방법 및 도구
• GOST R 52932-2008 온수 공급 시스템용 전자기, 초음파, 와전류 및 유체 발진기 카운터 일반 사양

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, 발진기

• GB 12274-1990 수정 발진기의 일반 사양
• GB 12275-1990 수정 발진기 모델 명명 방법
• GB/T 20870.5-2023 반도체 장치 16-5부: 마이크로파 집적 회로 발진기
• GB/T 12274.1-2012 적격 수정 발진기 1부: 일반 사양
• GB/T 32710.13-2016 환경 테스트 장비 및 장비에 대한 안전 사양 13부: 발진기, 진동하는 항온 수조 및 진동하는 항온 인큐베이터
• GB/T 43024.2-2023 압전, 유전체 및 정전기 발진기의 측정 기술 2부: 위상 지터 측정 방법
• GB/T 12274.401-2023 품질 평가가 포함된 수정 발진기 파트 4-1: 공백 상세 사양 기능 승인

Lithuanian Standards Office , 발진기

• LST EN 60679-6-2011 수정 발진기의 품질 평가 6부: 수정 발진기 및 SAW 발진기에 대한 위상 지터 측정 방법 적용 지침(IEC 60679-6:2011)
• LST EN 169000+A1-2001 일반 사양: 석영 크리스털 제어 발진기
• LST EN 169200-2001 하위 사양 수정 진동자 제어 발진기(인증 승인)
• LST EN 168200-2002/A1-2005 하위사양 수정진동자(적격승인)
• LST EN 168200-2002 하위사양 수정진동자(적격승인)
• LST EN 169100-2003 하위 사양: 수정 진동자 제어 발진기(성능 승인)
• LST EN 169201-2001 수정 진동자 제어 발진기의 빈 세부 사양(인증 승인)
• LST EN 168201-2001 수정진동자 상세사양(적격승인)
• LST EN 168101-2001 수정진동자 상세사양(역량인정)
• LST EN 169101-2003 공백 상세 사양: 수정 진동자 제어(기능 승인)
• LST EN 61338-2-2004 도파관형 유전체 공진기 2부: 발진기 및 필터 적용 지침(IEC 61338-2:2004)
• LST EN 60747-16-5/A1-2020 반도체 장치 16-5부: 마이크로파 집적 회로 발진기(IEC 60747-16-5:2013/A1:2020)
• LST EN 60679-1-2007 수정 진동자 제어 발진기의 품질 평가 1부: 일반 사양(IEC 60679-1:2007)

PL-PKN, 발진기

• PN T01029-1985 석영 크리스털로 제어되는 발진기. 용어
• PN-EN 60747-16-5-2014-01/A1-2021-04 E 반도체 장치 16-5부: 마이크로파 집적 회로 발진기(IEC 60747-16-5:2013/A1:2020 + COR1:2020)

IET - Institution of Engineering and Technology, 발진기

• OSCILL DES COMP SIMUL-1995 발진기 설계 및 컴퓨터 시뮬레이션

American Water Works Association (AWWA), 발진기

• AWWA C713-2015 냉수미터 유체 발진기 유형
• AWWA C713-2010 냉수미터 유체 발진기 유형

ES-UNE, 발진기

• UNE-EN ISO 1797:2017 치과용 회전 및 진동 기구용 샤프트
• UNE-EN 61338-2:2004 도파관 유전체 공진기 2부: 발진기 및 필터 애플리케이션 가이드
• UNE-EN 60747-16-5:2013/A1:2020 반도체 장치 16-5부: 마이크로파 집적 회로 발진기
• UNE-EN 60747-16-5:2013 반도체 장치 16-5부: 마이크로파 집적 회로 발진기
• UNE-EN 60679-1:2017 압전, 유전체 및 정전기 발진기의 품질 평가 1부: 일반 사양
• UNE-EN 62884-1:2017 압전, 유전체 및 정전기 발진기의 측정 기술 1부: 기본 측정 방법
• UNE-EN 60679-4:1998 평가된 석영 크리스털 제어 발진기 파트 4: 부서 사양 기능 승인
• UNE-EN 60679-5:1998 평가된 석영 크리스털 제어 발진기 파트 5: 하위 섹션 사양 자격 승인
• UNE-EN 60679-3:2013 석영 크리스털 제어 발진기의 품질 평가 3부: 표준 개요 및 리드 연결
• UNE-EN 62884-2:2017 압전, 유전체 및 정전기 발진기의 측정 기술 2부: 위상 지터 측정 방법
• UNE-EN IEC 62884-3:2018 압전, 유전체 및 정전기 발진기의 측정 기술 3부: 주파수 노화 테스트 방법
• UNE-EN 60679-4-1:1998 평가된 석영 크리스털 제어 발진기 파트 4-1: 공백 세부 사양 기능 승인
• UNE-EN 60679-5-1:1998 평가된 석영 크리스털 제어 발진기 파트 5-1: 빈 세부 사양 자격 승인

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会, 발진기

• GB/T 35011-2018 마이크로파 회로 전압 제어 발진기 테스트 방법

Professional Standard - Aerospace, 발진기

• QJ 3047-1998 유형 Z602 전압 제어 수정 발진기의 상세 사양
• QJ 3046-1998 Z601형 전압 제어 수정 발진기의 상세 사양
• QJ 2658-1994 반도체 집적 회로 TTL-MHz 주주파수 발진기 MF05 상세 사양

CZ-CSN, 발진기

• CSN 35 8490-1965 발진기 및 필터용 압전 수정 부품
• CSN 35 8490 Z1-1996 발진기 및 필터용 압전 수정 장치

IN-BIS, 발진기

• IS 9018-1978 수정 발진기에 대한 일반 요구 사항 및 테스트
• IS 6134 Pt.2-1973 마이크로파관의 측정방법 제2부 발진관
• IS 2916 Pt.8-1976 발진기에 사용되는 수정 진동자 사양 제VIII형 AA-07
• IS 2916 Pt.9-1976 발진기에 사용되는 수정 장치 사양 IX부 유형 AA-08
• IS 2916 Pt.10-1977 발진기 부품 X 유형 AA-09에 사용되는 수정 수정 장치 사양
• IS 6134 Pt.6-1981 마이크로파 튜브의 전기적 특성 측정 방법 6부 저전력 발진기 Klystron

RO-ASRO, 발진기

• STAS SR ISO 3159:1994 타이밍 도구. 손목 타이머 및 스프링 밸런스 발진기

European Committee for Electrotechnical Standardization（CENELEC）, 발진기

• EN 60747-16-5:2013 반도체 장치 16-5부: 마이크로파 집적 회로 발진기
• EN 60747-16-5:2013/A1:2020 반도체 장치 16-5부: 마이크로파 집적 회로 발진기
• EN 169101:1993 공백 상세 사양: 수정 진동자 제어 발진기(성능 승인)
• EN 60679-1:2007 적격 수정 발진기 1부: 일반 사양
• EN 60679-1:2017 적격 수정 발진기 1부: 일반 사양
• EN 61338-2:2004 도파관형 유전체 공진기 2부: 발진기 및 필터 애플리케이션 가이드 IEC 61338-2:2004
• EN 60679-5:1998 석영 크리스털 제어 발진기의 품질 평가 5부: 하위 사양 자격 승인
• EN 60679-4:1998 석영 크리스털 제어 발진기의 품질 평가 - 4부: 하위 사양 - 기능 승인
• EN 169000:1998 일반 사양: 수정 수정 발진기, 수정 사항 A1-1998 포함, CECC 69000 Edition 1-1991 대체
• EN 62884-1:2017 압전, 유전체 및 정전기 발진기의 측정 기술 1부: 기본 측정 방법
• EN 62884-2:2017 압전, 유전체 및 정전기 발진기의 측정 기술 - 2부: 위상 지터 측정 방법
• EN 60679-3:2013 평가된 품질의 수정 크리스털 제어 발진기 파트 3: 표준 폼 팩터 및 리드 연결
• EN 60679-4-1:1998 석영 수정 제어 발진기의 품질 평가 4-1부: 공백 상세 사양 기능 승인

Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 발진기

• IEC 62860-1:2013*IEEE Std 1620.1:2006 유기 트랜지스터 링 발진기 특성화를 위한 IEC/IEEE 테스트 방법
• IEEE/IEC 62860-1-2013 유기 트랜지스터 링 발진기 특성화를 위한 IEC/IEEE 테스트 방법
• IEEE Std 1620.1-2006 유기 트랜지스터 기반 링 발진기의 특성화 테스트 방법에 대한 IEEE 표준
• IEC 62860-1:2013(E) IEEE Std. 1620.1-2006 유기 트랜지스터 기반 링 발진기 특성화를 위한 IEC/IEEE 테스트 방법
• IEEE Std P1620.1/D8, Jul 2005 유기 트랜지스터 기반 링 발진기의 특성화 테스트 방법에 대한 IEEE 초안 표준

AT-OVE/ON, 발진기

• OVE EN 60747-16-5-2021 반도체 장치 파트 16-5: 마이크로파 집적 회로 발진기(독일어판)

国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会, 발진기

• GB/T 12274.4-2021 품질 평가가 포함된 수정 발진기 파트 4: 하위 사양 기능 승인

IEEE - The Institute of Electrical and Electronics Engineers@ Inc., 발진기

• IEEE 1620.1-2006 유기 트랜지스터 기반 링 발진기의 특성화 테스트 방법 (IEEE Computer Society)

기타:   발진기, 오실레이터+, 혼합 발진기, 항온 발진기, 파동 발진기, 발진기 사용, 작은 발진기, 회전 발진기, 와전류 발진기, 와전류 발진기, 회전 발진기, 마이크로 발진기, 항온 발진기, 기타 발진기, 발진기 온도 조절기, 다중 비트 발진기, 오실레이터 믹스, 고효율 발진기, 고주파 발진기, 장치 발진기.