ZH

EN

ES

удаленная полупроводниковая пленка

удаленная полупроводниковая пленка, Всего: 215 предметов.

В международной стандартной классификации классификациями, относящимися к удаленная полупроводниковая пленка, являются: Испытание металлов, Полупроводниковые приборы, Изоляционные жидкости, Конденсаторы, Электромеханические компоненты электронного и телекоммуникационного оборудования, Интегральные схемы. Микроэлектроника, Полупроводниковые материалы, Вакуумная техника, Графические символы, Клапаны, Пьезоэлектрические и диэлектрические устройства, Электронные устройства отображения.


General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, удаленная полупроводниковая пленка

  • GB/T 6616-2023 Бесконтактный вихретоковый метод измерения удельного сопротивления полупроводниковых пластин и листов полупроводниковых пленок.
  • GB/T 6616-1995 Метод испытаний для измерения удельного сопротивления полупроводникового кремния или поверхностного сопротивления полупроводниковых пленок бесконтактным вихретоковым датчиком
  • GB/T 6616-2009 Методы испытаний измерения удельного сопротивления полупроводниковых пластин или поверхностного сопротивления полупроводниковых пленок бесконтактным вихретоковым датчиком

ECIA - Electronic Components Industry Association, удаленная полупроводниковая пленка

  • 401-1973 Бумага@ Бумага/Пленка@ Пленочные диэлектрические конденсаторы для силовых полупроводниковых приборов

National Metrological Verification Regulations of the People's Republic of China, удаленная полупроводниковая пленка

  • JJG(核工) 4-1991 Правила поверки полупроводниковых телескопов (рабочего класса)

British Standards Institution (BSI), удаленная полупроводниковая пленка

  • BS IEC 62951-4:2019 Полупроводниковые приборы. Гибкие и растягивающиеся полупроводниковые устройства. Оценка усталости гибкой проводящей тонкой пленки на подложке гибких полупроводниковых устройств.
  • BS IEC 62951-6:2019 Полупроводниковые приборы. Гибкие и растяжимые полупроводниковые приборы. Метод испытания поверхностного сопротивления гибких проводящих пленок.
  • BS IEC 62951-7:2019 Полупроводниковые приборы. Гибкие и растягивающиеся полупроводниковые устройства. Метод испытаний для определения барьерных характеристик тонкопленочной герметизации гибких органических полупроводников.
  • BS IEC 62951-1:2017 Полупроводниковые приборы. Гибкие и растягивающиеся полупроводниковые приборы. Метод испытаний на изгиб проводящих тонких пленок на гибких подложках
  • BS EN 62047-3:2006 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Стандартный тонкопленочный образец для испытаний на растяжение.
  • BS IEC 62951-3:2018 Полупроводниковые приборы. Гибкие и растяжимые полупроводниковые приборы. Оценка характеристик тонкопленочных транзисторов на гибких подложках при выпучивании
  • BS EN 62047-18:2013 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Методы испытаний тонкопленочных материалов на изгиб
  • BS EN 62047-2:2006 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 2. Метод испытания тонкопленочных материалов на растяжение.
  • BS EN 62047-21:2014 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Метод определения коэффициента Пуассона тонкопленочных МЭМС-материалов
  • BS EN 62047-6:2010 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Методы испытаний тонкопленочных материалов на осевую усталость.
  • BS EN 62047-22:2014 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Метод электромеханического испытания на растяжение тонких проводящих пленок на гибких подложках
  • BS IEC 62047-29:2017 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Метод испытания на электромеханическую релаксацию отдельно стоящих проводящих тонких пленок при комнатной температуре.
  • BS EN 62374:2008 Полупроводниковые приборы. Испытание диэлектрического пробоя во времени (TDDB) для диэлектрических пленок затвора
  • BS EN 62374:2007 Полупроводниковые приборы. Испытание диэлектрического пробоя во времени (TDDB) для диэлектрических пленок затвора
  • BS IEC 60748-23-5:2003 Полупроводниковые приборы. Интегральные схемы - Гибридные интегральные схемы и пленочные структуры. Сертификация производственной линии. Процедура подтверждения квалификации
  • BS IEC 62047-37:2020 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Методы экологических испытаний тонких пьезоэлектрических пленок MEMS для сенсорных применений.
  • BS IEC 62047-30:2017 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Методы измерения характеристик электромеханического преобразования тонкой пьезоэлектрической пленки МЭМС.
  • BS EN 62047-14:2012 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Метод измерения предела формования металлических пленочных материалов
  • 19/30404655 DC BS EN IEC 63229. Полупроводниковые приборы. Классификация дефектов эпитаксиальной пленки нитрида галлия на подложке карбида кремния
  • BS EN 62047-8:2011 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Метод испытания полос на изгиб для измерения свойств тонких пленок на растяжение
  • BS IEC 62047-36:2019 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Методы испытаний на стойкость к воздействию окружающей среды и диэлектрической стойкости тонких пьезоэлектрических пленок MEMS.
  • BS QC 760200:1997 Гармонизированная система оценки качества электронных компонентов. Полупроводниковые приборы. Интегральные схемы. Секционные спецификации пленочных интегральных схем и гибридных пленочных интегральных схем на основе процедур утверждения возможностей
  • BS QC 760100:1997 Гармонизированная система оценки качества электронных компонентов. Полупроводниковые приборы. Интегральные схемы. Секционные спецификации на пленочные интегральные схемы и гибридные пленочные интегральные схемы на основании процедур аттестации
  • BS IEC 60748-23-1:2002 Полупроводниковые приборы. Интегральные схемы. Гибридные интегральные схемы и пленочные структуры. Сертификация производственной линии. Общая спецификация.
  • BS EN 62047-17:2015 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Метод испытания на выпучивание для измерения механических свойств тонких пленок
  • BS QC 760201:1997 Гармонизированная система оценки качества электронных компонентов. Полупроводниковые приборы. Интегральные схемы. Бланковая подробная спецификация на пленочные интегральные схемы и гибридные пленочные интегральные схемы на основе процедур утверждения возможностей
  • BS QC 760101:1997 Гармонизированная система оценки качества электронных компонентов. Полупроводниковые приборы. Интегральные схемы. Бланк технической спецификации на пленочные интегральные схемы и гибридные пленочные интегральные схемы на основании процедур аттестации
  • BS IEC 60748-23-5:2004 Полупроводниковые приборы. Интегральные схемы. Гибридные интегральные схемы и пленочные структуры. Сертификация производственных линий. Процедура подтверждения квалификации.
  • BS IEC 60748-23-4:2002 Полупроводниковые приборы. Интегральные схемы. Гибридные интегральные схемы и пленочные структуры. Сертификация производственной линии. Бланковая детальная спецификация.
  • BS EN 62047-12:2011 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Метод испытаний тонкопленочных материалов на усталость при изгибе с использованием резонансной вибрации МЭМС-структур
  • BS IEC 60748-23-3:2002 Полупроводниковые приборы. Интегральные схемы. Гибридные интегральные схемы и пленочные структуры. Сертификация производственной линии. Контрольный список и отчет производителей по самоаудиту
  • BS IEC 60748-23-2:2002 Полупроводниковые приборы. Интегральные схемы. Гибридные интегральные схемы и пленочные структуры. Сертификация производственных линий. Внутренний визуальный контроль и специальные испытания.
  • 18/30383935 DC БС ЕН МЭК 62047-37. Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 37. Методы экологических испытаний тонких пьезоэлектрических пленок МЭМС для сенсорного применения
  • BS EN 62047-16:2015 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Методы испытаний для определения остаточных напряжений МЭМС-пленок. Методы кривизны пластин и отклонения консольной балки.

International Electrotechnical Commission (IEC), удаленная полупроводниковая пленка

  • IEC 62951-4:2019 Полупроводниковые приборы. Гибкие и растяжимые полупроводниковые приборы. Часть 4. Оценка усталости гибкой проводящей тонкой пленки на подложке для гибких полупроводниковых приборов.
  • IEC 62951-6:2019 Полупроводниковые приборы. Гибкие и растяжимые полупроводниковые приборы. Часть 6. Метод испытания поверхностного сопротивления гибких проводящих пленок.
  • IEC 62951-1:2017 Полупроводниковые приборы. Гибкие и растяжимые полупроводниковые приборы. Часть 1. Метод испытания на изгиб проводящих тонких пленок на гибких подложках.
  • IEC 62951-3:2018 Полупроводниковые приборы. Гибкие и растяжимые полупроводниковые приборы. Часть 3. Оценка характеристик тонкопленочных транзисторов на гибких подложках в условиях выпучивания.
  • IEC 60748-20:1988/AMD1:1995 Поправка 1 – Полупроводниковые приборы. Интегральные схемы. Часть 20: Общая спецификация пленочных интегральных схем и гибридных пленочных интегральных схем.
  • IEC 62374:2007 Полупроводниковые приборы. Испытание диэлектрического пробоя во времени (TDDB) для диэлектрических пленок затвора
  • IEC 60748-22-1:1991 Полупроводниковые приборы; интегральные схемы; часть 22: раздел 1: пустая подробная спецификация для пленочных интегральных схем и гибридных пленочных интегральных схем на основе процедур утверждения возможностей
  • IEC 62047-2:2006 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 2. Метод испытания тонкопленочных материалов на растяжение.
  • IEC 62047-3:2006 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 3. Стандартный тонкопленочный образец для испытаний на растяжение.
  • IEC 62047-18:2013 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 18. Методы испытаний тонкопленочных материалов на изгиб.
  • IEC 62047-6:2009 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 6. Методы испытаний тонкопленочных материалов на осевую усталость.
  • IEC 62047-21:2014 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 21. Метод определения коэффициента Пуассона тонкопленочных МЭМС-материалов.
  • IEC 62047-29:2017 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 29. Метод испытания на электромеханическую релаксацию отдельно стоящих проводящих тонких пленок при комнатной температуре.
  • IEC 62047-22:2014 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 22. Метод электромеханического испытания на растяжение проводящих тонких пленок на гибких подложках.
  • IEC 62047-14:2012 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 14. Метод измерения предела формирования металлических пленочных материалов.
  • IEC 62047-37:2020 Полупроводниковые устройства. Микроэлектромеханические устройства. Часть 37. Методы экологических испытаний тонких пьезоэлектрических пленок MEMS для применения в датчиках.
  • IEC 62047-30:2017 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 30. Методы измерения характеристик электромеханического преобразования тонкой пьезоэлектрической пленки МЭМС.
  • IEC 62047-36:2019 Полупроводниковые устройства. Микроэлектромеханические устройства. Часть 36. Методы испытаний на стойкость к воздействию окружающей среды и диэлектрической стойкости для тонких пьезоэлектрических пленок MEMS.
  • IEC 62047-17:2015 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 17. Метод испытания на выпучивание для измерения механических свойств тонких пленок.
  • IEC 62047-8:2011 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 8. Метод испытания полос на изгиб для измерения свойств тонких пленок на растяжение.
  • IEC 60748-23-1:2002 Полупроводниковые приборы. Интегральные схемы. Часть 23-1. Гибридные интегральные схемы и пленочные структуры; Сертификация производственной линии; Общая спецификация
  • IEC 60748-23-5:2003 Полупроводниковые приборы. Интегральные схемы. Часть 23-5. Гибридные интегральные схемы и пленочные структуры; Сертификация производственной линии; Процедура подтверждения квалификации
  • IEC 62047-12:2011 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 12. Метод испытаний тонкопленочных материалов на усталость при изгибе с использованием резонансной вибрации МЭМС-структур.
  • IEC 60748-23-4:2002 Полупроводниковые приборы. Интегральные схемы. Часть 23-4. Гибридные интегральные схемы и пленочные структуры; Сертификация производственной линии; Пустая подробная спецификация
  • IEC 60748-21:1997 Полупроводниковые приборы. Схемы интегральные. Часть 21. Технические условия на пленочные интегральные схемы и гибридные пленочные интегральные схемы на основании процедуры квалификационного утверждения
  • IEC 60748-23-2:2002 Полупроводниковые приборы. Интегральные схемы. Часть 23-2. Гибридные интегральные схемы и пленочные структуры; Сертификация производственной линии; Внутренний визуальный осмотр и специальные испытания
  • IEC 62047-16:2015 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 16. Методы испытаний для определения остаточных напряжений пленок МЭМС. Кривизна пластины и методы отклонения консольной балки
  • IEC 60748-23-3:2002 Полупроводниковые приборы. Интегральные схемы. Часть 23-3. Гибридные интегральные схемы и пленочные структуры; Сертификация производственной линии; Контрольный список и отчет производителей по самоаудиту

American National Standards Institute (ANSI), удаленная полупроводниковая пленка

  • ANSI/EIA 401:1973 Бумажные, бумажные/пленочные диэлектрические конденсаторы для силовых полупроводниковых приборов

Korean Agency for Technology and Standards (KATS), удаленная полупроводниковая пленка

  • KS C IEC 62951-1:2022 Полупроводниковые приборы. Гибкие и растяжимые полупроводниковые приборы. Часть 1. Метод испытания на изгиб проводящих тонких пленок на гибких подложках.
  • KS C IEC 60748-20:2021 Полупроводниковые приборы. Интегральные схемы. Часть 20. Общие спецификации пленочных интегральных схем и гибридных пленочных интегральных схем.
  • KS C IEC 60748-20-1:2003 Полупроводниковые приборы. Интегральные схемы. Часть 20. Общие спецификации пленочных интегральных схем и гибридных пленочных интегральных схем. Раздел 1. Требования к внутреннему визуальному осмотру.
  • KS C IEC 60748-20:2003 Полупроводниковые приборы. Интегральные схемы. Часть 20. Общие спецификации пленочных интегральных схем и гибридных пленочных интегральных схем.
  • KS C IEC 60748-20:2019 Полупроводниковые приборы. Интегральные схемы. Часть 20. Общие спецификации пленочных интегральных схем и гибридных пленочных интегральных схем.
  • KS C IEC 60748-2-20:2019 Полупроводниковые приборы. Интегральные схемы. Часть 20. Общие спецификации пленочных интегральных схем и гибридных пленочных интегральных схем.
  • KS C IEC 62047-18:2016 Полупроводниковые приборы . Микроэлектромеханические устройства . Часть 18. Методы испытаний тонкопленочных материалов на изгиб.
  • KS C IEC 62047-22:2016 Полупроводниковые приборы . Микроэлектромеханические устройства . Часть 18. Методы испытаний тонкопленочных материалов на изгиб.
  • KS C IEC 62047-18-2016(2021) Полупроводниковые приборы . Микроэлектромеханические устройства . Часть 18. Методы испытаний тонкопленочных материалов на изгиб.
  • KS C IEC 62047-22-2016(2021) Полупроводниковые приборы . Микроэлектромеханические устройства . Часть 18. Методы испытаний тонкопленочных материалов на изгиб.
  • KS C IEC 62047-8:2015 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 8. Метод испытания полос на изгиб для измерения свойств тонких пленок на растяжение.
  • KS C IEC 60748-20-1-2003(2019) Полупроводниковые приборы. Интегральные схемы. Часть 20. Общие спецификации для пленочных интегральных схем и гибридных пленочных интегральных схем. Раздел 1. Требования к внутреннему визуальному осмотру.
  • KS C IEC 62047-8-2015(2020) Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 8. Метод испытания полос на изгиб для измерения свойств тонких пленок на растяжение.
  • KS C IEC 60748-23-1:2004 Полупроводниковые приборы. Интегральные схемы. Часть 23-1. Гибридные интегральные схемы и пленочные структуры. Сертификация производственной линии. Общие спецификации.
  • KS C IEC 60748-23-1-2004(2019) Полупроводниковые приборы – Интегральные схемы – Часть 23 – 1: Гибридные интегральные схемы и пленочные структуры – Сертификация производственной линии – Общая спецификация
  • KS C IEC 60748-23-3:2004 Полупроводниковые приборы. Интегральные схемы. Часть 23-3. Гибридные интегральные схемы и пленочные структуры. Сертификация производственной линии. Контрольный список и отчет для самопроверки производителей.
  • KS C IEC 60748-23-3-2004(2019) Полупроводниковые приборы - Интегральные схемы - Часть 23 - 3: Гибридные интегральные схемы и пленочные структуры - Сертификация производственной линии - Самоконтроль производителей - Контрольный список и отчет о проверке

KR-KS, удаленная полупроводниковая пленка

  • KS C IEC 62951-1-2022 Полупроводниковые приборы. Гибкие и растяжимые полупроводниковые приборы. Часть 1. Метод испытания на изгиб проводящих тонких пленок на гибких подложках.
  • KS C IEC 60748-20-2021 Полупроводниковые приборы. Интегральные схемы. Часть 20. Общие спецификации пленочных интегральных схем и гибридных пленочных интегральных схем.
  • KS C IEC 60748-2-20-2019 Полупроводниковые приборы. Интегральные схемы. Часть 20. Общие спецификации пленочных интегральных схем и гибридных пленочных интегральных схем.
  • KS C IEC 60748-20-2019 Полупроводниковые приборы. Интегральные схемы. Часть 20. Общие спецификации пленочных интегральных схем и гибридных пленочных интегральных схем.
  • KS C IEC 62047-18-2016 Полупроводниковые приборы . Микроэлектромеханические устройства . Часть 18. Методы испытаний тонкопленочных материалов на изгиб.
  • KS C IEC 62047-22-2016 Полупроводниковые приборы . Микроэлектромеханические устройства . Часть 18. Методы испытаний тонкопленочных материалов на изгиб.

Danish Standards Foundation, удаленная полупроводниковая пленка

  • DS/IEC 748-20:1990 Полупроводниковые приборы. Интегрированные схемы. Часть 20: Общая спецификация пленочных интегральных схем и гибридных пленочных интегральных схем.
  • DS/IEC 748-21:1993 Полупроводниковые приборы. Интегральные схемы. Часть 21. Раздельная спецификация на пленочные интегральные схемы и гибридные пленочные интегральные схемы на основании процедуры квалификационного утверждения
  • DS/EN 62047-2:2007 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 2. Метод испытания тонкопленочных материалов на растяжение.
  • DS/EN 62047-3:2007 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 3. Стандартный тонкопленочный образец для испытаний на растяжение.
  • DS/EN 62047-18:2013 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 18. Методы испытаний тонкопленочных материалов на изгиб.
  • DS/IEC 748-21-1:1993 Полупроводниковые приборы. Интегральные схемы. Часть 21. Раздел первый. Бланк спецификации на пленочные интегральные схемы и гибридные пленочные интегральные схемы на основании процедуры квалификационного утверждения
  • DS/IEC 748-22-1:1993 Полупроводниковые приборы. Интегральные схемы. Часть 22. Раздел первый: Бланковая подробная спецификация пленочных интегральных схем и гибридных пленочных интегральных схем на основе процедур утверждения возможностей.
  • DS/EN 62047-6:2010 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 6. Методы испытаний тонкопленочных материалов на осевую усталость.
  • DS/EN 62047-14:2012 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 14. Метод измерения пределов формирования металлических пленочных материалов.
  • DS/EN 62047-8:2011 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 8. Метод испытания полос на изгиб для измерения свойств тонких пленок на растяжение.
  • DS/EN 62047-12:2012 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 12. Метод испытаний тонкопленочных материалов на усталость при изгибе с использованием резонансной вибрации МЭМС-структур.

CZ-CSN, удаленная полупроводниковая пленка

  • CSN IEC 748-20:1993 Полупроводниковые приборы. Интегральные схемы. Часть 20: Общая спецификация пленочных интегральных схем и гибридных пленочных интегральных схем.

Group Standards of the People's Republic of China, удаленная полупроводниковая пленка

  • T/GVS 005-2022 Спецификация испытаний контрастного метода емкостно-диафрагменного вакуумметра абсолютного давления в полупроводниковой аппаратуре

Association Francaise de Normalisation, удаленная полупроводниковая пленка

  • NF C86-433:1988 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ. ГАРМОНИЗИРОВАННАЯ СИСТЕМА ОЦЕНКИ КАЧЕСТВА ЭЛЕКТРОННЫХ КОМПОНЕНТОВ. ПЛЕНОЧНЫЕ РЕЗИСТОРЫ СЕТИ (ПОРЯДОК УТВЕРЖДЕНИЯ). РАЗРЕЗНАЯ СПЕЦИФИКАЦИЯ. СПЕЦИФИКАЦИЯ CECC 64 200.
  • NF EN 62374:2008 Полупроводниковые приборы. Испытание на временной диэлектрический пробой (TDDB) для диэлектрических пленок затвора
  • NF C86-434:1988 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ. ГАРМОНИЗИРОВАННАЯ СИСТЕМА ОЦЕНКИ КАЧЕСТВА ЭЛЕКТРОННЫХ КОМПОНЕНТОВ. ПЛЕНОЧНЫЕ РЕЗИСТОРЫ СЕТИ (ПОРЯДОК УТВЕРЖДЕНИЯ). (СПЕЦИФИКАЦИЯ CECC 64 201).
  • NF EN 62047-2:2006 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 2. Методы испытаний тонкопленочных материалов на растяжение.
  • NF EN 62047-18:2014 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 18. Методы испытаний на изгиб тонкопленочных материалов.
  • NF C86-411:1987 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ. ГАРМОНИЗИРОВАННАЯ СИСТЕМА ОЦЕНКИ КАЧЕСТВА ЭЛЕКТРОННЫХ КОМПОНЕНТОВ. ПЛЕНОЧНЫЕ И ГИБРИДНЫЕ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ СХЕМЫ. РАЗРЕЗНАЯ СПЕЦИФИКАЦИЯ. (СПЕЦИФИКАЦИЯ CECC 63 100).
  • NF C96-017*NF EN 62374:2008 Полупроводниковые приборы. Испытание на временной пробой диэлектрика (TDDB) для диэлектрических пленок затвора
  • NF C96-050-18*NF EN 62047-18:2014 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 18. Методы испытаний на изгиб тонкопленочных материалов.
  • NF EN 62047-3:2006 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 3. Стандартные тонкопленочные образцы для испытаний на растяжение.
  • NF C96-050-2*NF EN 62047-2:2006 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 2. Методы испытаний тонкопленочных материалов на растяжение.
  • NF C96-050-3*NF EN 62047-3:2006 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 3. Стандартный тонкопленочный образец для испытаний на растяжение.
  • NF EN 62047-6:2010 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 6. Методы испытаний на осевую усталость тонкопленочных материалов.
  • NF C96-050-21*NF EN 62047-21:2014 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 21. Метод определения коэффициента Пуассона тонкопленочных МЭМС-материалов.
  • NF C96-050-6*NF EN 62047-6:2010 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 6. Методы испытаний тонкопленочных материалов на осевую усталость.
  • NF EN 62047-21:2014 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 21. Метод определения коэффициента Пуассона тонкопленочных МЭМС-материалов.
  • NF C96-050-22*NF EN 62047-22:2014 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 22. Метод электромеханического испытания на растяжение проводящих тонких пленок на гибких подложках.
  • NF EN 62047-22:2014 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 22. Метод электромеханического испытания на растяжение тонких проводящих пленок на гибких подложках.
  • NF C86-412:1987 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ. ГАРМОНИЗИРОВАННАЯ СИСТЕМА ОЦЕНКИ КАЧЕСТВА ЭЛЕКТРОННЫХ КОМПОНЕНТОВ. ПЛЕНОЧНЫЕ И ГИБРИДНЫЕ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ СХЕМЫ. ПУСТАЯ ДЕТАЛЬНАЯ СПЕЦИФИКАЦИЯ. (СПЕЦИФИКАЦИЯ CECC 63 101).
  • NF C86-413:1987 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ. ГАРМОНИЗИРОВАННАЯ СИСТЕМА ОЦЕНКИ КАЧЕСТВА ЭЛЕКТРОННЫХ КОМПОНЕНТОВ. ПЛЕНОЧНЫЕ ГИБРИДНЫЕ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ СХЕМЫ. УТВЕРЖДЕНИЕ ВОЗМОЖНОСТЕЙ. РАЗРЕЗНАЯ СПЕЦИФИКАЦИЯ. (СПЕЦИФИКАЦИЯ CECC 63 200).
  • NF C96-050-14*NF EN 62047-14:2012 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 14. Метод измерения предела формирования металлических пленочных материалов.
  • NF C96-050-17*NF EN 62047-17:2015 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 17. Метод испытания на выпуклость для измерения механических свойств тонких пленок.
  • NF EN 62047-17:2015 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 17. Метод испытания на выпучивание для измерения механических свойств тонких пленок.
  • NF C96-050-8*NF EN 62047-8:2011 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 8. Метод испытаний на изгиб полос для измерения свойств тонких пленок на растяжение.
  • NF C86-430:1988 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ. ГАРМОНИЗИРОВАННАЯ СИСТЕМА ОЦЕНКИ КАЧЕСТВА ЭЛЕКТРОННЫХ КОМПОНЕНТОВ. СЕТИ ФИКСИРОВАННЫХ ПЛЕНОЧНЫХ РЕЗИСТОРОВ. ОБЩАЯ СПЕЦИФИКАЦИЯ. СПЕЦИФИКАЦИЯ CECC 64 000.
  • NF EN 62047-8:2011 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 8. Метод испытания полос на изгиб для измерения свойств тонких пленок на растяжение.
  • NF C86-414:1987 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ. ГАРМОНИЗИРОВАННАЯ СИСТЕМА ОЦЕНКИ КАЧЕСТВА ЭЛЕКТРОННЫХ КОМПОНЕНТОВ. ПЛЕНОЧНЫЕ И ГИБРИДНЫЕ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ СХЕМЫ. УТВЕРЖДЕНИЕ ВОЗМОЖНОСТЕЙ. ПУСТАЯ ДЕТАЛЬНАЯ СПЕЦИФИКАЦИЯ. (СПЕЦИФИКАЦИЯ CECC 63 201).
  • NF C86-431:1988 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ. ГАРМОНИЗИРОВАННАЯ СИСТЕМА ОЦЕНКИ КАЧЕСТВА ЭЛЕКТРОННЫХ КОМПОНЕНТОВ. СЕТИ ФИКСИРОВАННЫХ ПЛЕНОЧНЫХ РЕЗИСТОРОВ. РАЗРЕЗНАЯ СПЕЦИФИКАЦИЯ. СПЕЦИФИКАЦИЯ CECC 64 100.
  • NF C86-432:1988 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ. ГАРМОНИЗИРОВАННАЯ СИСТЕМА ОЦЕНКИ КАЧЕСТВА ЭЛЕКТРОННЫХ КОМПОНЕНТОВ. ПЛЕНОЧНЫЕ РЕЗИСТОРЫ СЕТИ. ПУСТАЯ ДЕТАЛЬНАЯ СПЕЦИФИКАЦИЯ. (СПЕЦИФИКАЦИЯ CECC 64 101).
  • NF C96-050-12*NF EN 62047-12:2012 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 12. Метод испытаний тонкопленочных материалов на усталость при изгибе с использованием резонансной вибрации МЭМС-структур.
  • NF C96-050-16*NF EN 62047-16:2015 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 16. Методы испытаний для определения остаточных напряжений пленок МЭМС. Кривизна пластины и методы отклонения консольной балки
  • NF EN 62047-16:2015 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 16. Методы испытаний для определения остаточных напряжений пленок МЭМС. Методы кривизны пластин и отклонения консольной балки

German Institute for Standardization, удаленная полупроводниковая пленка

  • DIN EN 62374:2008-02 Полупроводниковые приборы — испытание на временной диэлектрический пробой (TDDB) для диэлектрических пленок затвора (IEC 62374:2007); Немецкая версия EN 62374:2007.
  • DIN EN 62047-2:2007-02 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 2. Метод испытания тонкопленочных материалов на растяжение (IEC 62047-2:2006); Немецкая версия EN 62047-2:2006.
  • DIN EN 62374:2008 Полупроводниковые приборы — испытание на временной диэлектрический пробой (TDDB) для диэлектрических пленок затвора (IEC 62374:2007); Немецкая версия EN 62374:2007.
  • DIN EN 62047-18:2014-04 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 18. Методы испытаний тонкопленочных материалов на изгиб (IEC 62047-18:2013); Немецкая версия EN 62047-18:2013
  • DIN EN 62047-3:2007-02 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 3. Стандартный тонкопленочный образец для испытаний на растяжение (IEC 62047-3:2006); Немецкая версия EN 62047-3:2006.
  • DIN EN 62047-3:2007 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 3. Стандартный тонкопленочный образец для испытаний на растяжение (IEC 62047-3:2006); Немецкая версия EN 62047-3:2006.
  • DIN EN 62047-2:2007 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 2. Метод испытания тонкопленочных материалов на растяжение (IEC 62047-2:2006); Немецкая версия EN 62047-2:2006.
  • DIN EN 62047-6:2010-07 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 6. Методы испытаний тонкопленочных материалов на осевую усталость (IEC 62047-6:2009); Немецкая версия EN 62047-6:2010.
  • DIN EN 62047-17:2015-12 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 17. Метод испытания на выпучивание для измерения механических свойств тонких пленок (IEC 62047-17:2015); Немецкая версия EN 62047-17:2015
  • DIN EN 62047-14:2012-10 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 14. Метод измерения пределов формирования металлических пленочных материалов (IEC 62047-14:2012); Немецкая версия EN 62047-14:2012.
  • DIN EN 62047-22:2015-04 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 22. Метод электромеханического испытания на растяжение проводящих тонких пленок на гибких подложках (IEC 62047-22:2014).
  • DIN EN 62047-8:2011-12 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 8. Метод испытания полос на изгиб для измерения свойств тонких пленок на растяжение (IEC 62047-8:2011); Немецкая версия EN 62047-8:2011
  • DIN EN 62047-21:2015-04 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 21. Метод определения коэффициента Пуассона тонкопленочных МЭМС-материалов (IEC 62047-21:2014).
  • DIN EN 62047-12:2012-06 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 12. Метод испытаний тонкопленочных материалов на усталость при изгибе с использованием резонансной вибрации МЭМС-структур (IEC 62047-12:2011); Немецкая версия EN 62047-12:2011.
  • DIN EN 62047-22:2015 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 22. Метод электромеханического испытания на растяжение проводящих тонких пленок на гибких подложках (IEC 62047-22:2014); Немецкая версия EN 62047-22:2014
  • DIN EN 62047-21:2015 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 21. Метод определения коэффициента Пуассона тонкопленочных МЭМС-материалов (IEC 62047-21:2014); Немецкая версия EN 62047-21:2014
  • DIN EN 62047-18:2014 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 18. Методы испытаний тонкопленочных материалов на изгиб (IEC 62047-18:2013); Немецкая версия EN 62047-18:2013
  • DIN EN 62047-6:2010 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 6. Методы испытаний тонкопленочных материалов на осевую усталость (IEC 62047-6:2009); Немецкая версия EN 62047-6:2010.
  • DIN EN 62047-8:2011 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 8. Метод испытания полос на изгиб для измерения свойств тонких пленок на растяжение (IEC 62047-8:2011); Немецкая версия EN 62047-8:2011
  • DIN EN 62047-14:2012 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 14. Метод измерения пределов формирования металлических пленочных материалов (IEC 62047-14:2012); Немецкая версия EN 62047-14:2012.
  • DIN EN 62047-16:2015-12 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 16. Методы испытаний для определения остаточных напряжений пленок МЭМС. Методы кривизны пластин и отклонения консольной балки (IEC 62047-16:2015); Немецкая версия EN 62047-16:2015
  • DIN EN 62047-12:2012 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 12. Метод испытаний тонкопленочных материалов на усталость при изгибе с использованием резонансной вибрации МЭМС-структур (IEC 62047-12:2011); Немецкая версия EN 62047-12:2011.

Defense Logistics Agency, удаленная полупроводниковая пленка

  • DLA DSCC-DWG-89100 REV B-2002 ПОЛУПРОВОДНИКОВОЕ УСТРОЙСТВО, РЕГУЛЯТОР МОЩНОСТИ В СБОРЕ
  • DLA SMD-5962-88645 REV D-2007 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, КМОП, УДАЛЕННЫЙ ТЕРМИНАЛ, МУЛЬТИПРОТОКОЛЬНАЯ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-89971-1992 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, HMOS, УДАЛЕННЫЙ УНИВЕРСАЛЬНЫЙ ПЕРИФЕРИЧЕСКИЙ ИНТЕРФЕЙС, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-88628 REV E-2007 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, КМОП, КОНТРОЛЛЕР ШИНЫ, УДАЛЕННЫЙ КЛЕММ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-89577 REV J-2007 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, КМОП, КОНТРОЛЛЕР ШИНЫ, ДИСТАНЦИОННЫЙ ТЕРМИНАЛ И МОНИТОР, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-89501 REV D-2007 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, КМОП, КОНТРОЛЛЕР ШИНЫ, УДАЛЕННЫЙ ТЕРМИНАЛ, МУЛЬТИПРОТОКОЛ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ

IECQ - IEC: Quality Assessment System for Electronic Components, удаленная полупроводниковая пленка

  • QC 760200-1992 Интегральные схемы полупроводниковых приборов. Часть 22: Частные спецификации для пленочных интегральных схем и гибридных пленочных интегральных схем на основе процедур утверждения возможностей (IEC 748-22 ED 1)
  • QC 760000-1988 Интегральные схемы полупроводниковых приборов. Часть 20: Общие спецификации для пленочных интегральных схем и гибридных пленочных интегральных схем (IEC 748-20 ED 1)
  • QC 760101-1991 Полупроводниковые приборы. Интегральные схемы. Часть 21. Раздел первый: Бланковые подробные спецификации для пленочных интегральных схем и гибридных пленочных интегральных схем на основе процедуры утверждения квалификации (IEC 748-21-1 ED 1).
  • QC 760201-1991 Интегральные схемы полупроводниковых приборов. Часть 22: Раздел первый: Бланковая подробная спецификация для пленочных интегральных схем и гибридных пленочных интегральных схем на основе процедур утверждения возможностей (IEC 748-22-1 ED l)
  • QC 760100-1997 Полупроводниковые приборы. Интегральные схемы. Часть 21. Частные спецификации для пленочных интегральных схем на основе процедур утверждения квалификации (ED 2; IEC 60748-21: 1997 ED 2)
  • QC 760000-1990 Интегральные схемы полупроводниковых устройств, часть 20: Общие спецификации для пленочных интегральных схем и гибридных пленочных интегральных схем (IEC 748-20: 1988; AMD 6754; сентябрь 1991 г.; AMD 9331, 15 января 1997 г.)
  • QC 763000-1994 Полупроводниковые приборы. Интегральные схемы. Часть 20. Общие спецификации для пленочных интегральных схем и гибридных пленочных интегральных схем. Раздел 1. Требования к внутреннему визуальному осмотру (IEC 748-20-1 ED 1).

United States Navy, удаленная полупроводниковая пленка

  • NAVY QPL-15508-13-2006 КЛАПАНЫ ДИСТАНЦИОННОГО УПРАВЛЕНИЯ С МЕМБРАННЫМ ПРИВОДОМ (ЖИДКОСТНЫЕ СИСТЕМЫ, 150 И 250 PSIWP, 140 ГРАДУСОВ F МАКСИМУМ)

European Committee for Electrotechnical Standardization(CENELEC), удаленная полупроводниковая пленка

  • EN 62374:2007 Полупроводниковые приборы. Испытание на временной пробой диэлектрика (TDDB) для диэлектрических пленок затвора
  • EN 62047-18:2013 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 18. Методы испытаний тонкопленочных материалов на изгиб.
  • EN 62047-3:2006 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 3. Стандартный тонкопленочный образец для испытаний на растяжение.
  • EN 62047-21:2014 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 21. Метод определения коэффициента Пуассона тонкопленочных МЭМС-материалов.
  • EN 62047-6:2010 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 6. Методы испытаний тонкопленочных материалов на осевую усталость.
  • EN 62047-22:2014 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 22. Метод электромеханического испытания на растяжение проводящих тонких пленок на гибких подложках.
  • EN 62047-14:2012 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 14. Метод измерения пределов формирования металлических пленочных материалов.
  • EN 62047-2:2006 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 2. Метод испытания тонкопленочных материалов на растяжение.
  • EN 62047-17:2015 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 17. Метод испытания на выпучивание для измерения механических свойств тонких пленок.
  • EN 62047-8:2011 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 8. Метод испытания полос на изгиб для измерения свойств тонких пленок на растяжение.
  • EN 62047-16:2015 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 16. Методы испытаний для определения остаточных напряжений пленок МЭМС. Методы кривизны пластины и отклонения консольной балки
  • EN 62047-12:2011 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 12. Метод испытаний тонкопленочных материалов на усталость при изгибе с использованием резонансной вибрации МЭМС-структур.

ES-UNE, удаленная полупроводниковая пленка

  • UNE-EN 62047-18:2013 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 18. Методы испытаний тонкопленочных материалов на изгиб (одобрено AENOR в ноябре 2013 г.).
  • UNE-EN 62047-3:2006 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 3. Стандартный тонкопленочный образец для испытаний на растяжение (IEC 62047-3:2006) (одобрен AENOR в январе 2007 г.)
  • UNE-EN 62047-6:2010 Полупроводниковые устройства. Микроэлектромеханические устройства. Часть 6. Методы испытаний тонкопленочных материалов на осевую усталость (одобрено AENOR в июне 2010 г.)
  • UNE-EN 62047-21:2014 Полупроводниковые устройства. Микроэлектромеханические устройства. Часть 21. Метод определения коэффициента Пуассона тонкопленочных МЭМС-материалов (одобрен AENOR в ноябре 2014 г.)
  • UNE-EN 62047-22:2014 Полупроводниковые устройства. Микроэлектромеханические устройства. Часть 22. Метод электромеханического испытания на растяжение проводящих тонких пленок на гибких подложках (одобрено AENOR в ноябре 2014 г.).
  • UNE-EN 62047-17:2015 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 17. Метод испытания на выпучивание для измерения механических свойств тонких пленок (одобрено AENOR в августе 2015 г.).
  • UNE-EN 62047-14:2012 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 14. Метод измерения пределов формирования металлических пленочных материалов (одобрено AENOR в июне 2012 г.).
  • UNE-EN 301908-11 V3.2.1:2006 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 2. Метод испытания тонкопленочных материалов на растяжение (IEC 62047-2:2006).
  • UNE-EN 62047-2:2006 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 2. Метод испытания тонкопленочных материалов на растяжение (IEC 62047-2:2006).
  • UNE-EN 300417-5-1 V1.1.3:2006 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 2. Метод испытания тонкопленочных материалов на растяжение (IEC 62047-2:2006).
  • UNE-EN 62047-8:2011 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 8. Метод испытания полос на изгиб для измерения свойств тонких пленок на растяжение (одобрено AENOR в сентябре 2011 г.)
  • UNE-EN 62047-12:2011 Полупроводниковые устройства. Микроэлектромеханические устройства. Часть 12. Метод испытания тонкопленочных материалов на усталость при изгибе с использованием резонансной вибрации МЭМС-структур (одобрено AENOR в феврале 2012 г.)
  • UNE-EN 62047-16:2015 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 16. Методы испытаний для определения остаточных напряжений пленок МЭМС. Методы кривизны пластины и отклонения консольного луча (одобрено AENOR в августе 2015 г.)

Japanese Industrial Standards Committee (JISC), удаленная полупроводниковая пленка

  • JIS C 5630-3:2009 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 3. Стандартный тонкопленочный образец для испытаний на растяжение.
  • JIS C 5630-2:2009 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 2. Метод испытания тонкопленочных материалов на растяжение.
  • JIS C 5630-18:2014 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 18. Методы испытаний тонкопленочных материалов на изгиб.
  • JIS C 5630-6:2011 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 6. Методы испытаний тонкопленочных материалов на осевую усталость.
  • JIS C 5630-12:2014 Полупроводниковые приборы.Микроэлектромеханические устройства.Часть 12. Метод испытаний тонкопленочных материалов на усталость при изгибе с использованием резонансной вибрации МЭМС-структур.

Lithuanian Standards Office , удаленная полупроводниковая пленка

  • LST EN 62374-2008 Полупроводниковые приборы. Испытание на временной пробой диэлектрика (TDDB) для диэлектрических пленок затвора (IEC 62374:2007)
  • LST EN 62047-3-2007 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 3. Стандартный тонкопленочный образец для испытаний на растяжение (IEC 62047-3:2006).
  • LST EN 62047-2-2007 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 2. Метод испытания тонкопленочных материалов на растяжение (IEC 62047-2:2006).
  • LST EN 62047-6-2010 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 6. Методы испытаний тонкопленочных материалов на осевую усталость (IEC 62047-6:2009).
  • LST EN 62047-14-2012 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 14. Метод измерения пределов формирования металлических пленочных материалов (IEC 62047-14:2012)
  • LST EN 62047-8-2011 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 8. Метод испытания полос на изгиб для измерения свойств тонких пленок на растяжение (IEC 62047-8:2011)
  • LST EN 62047-12-2011 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 12. Метод испытаний тонкопленочных материалов на усталость при изгибе с использованием резонансной вибрации МЭМС-структур (IEC 62047-12:2011)

未注明发布机构, удаленная полупроводниковая пленка

  • BS IEC 60748-23-5:2003(2004) Полупроводниковые приборы. Интегральные схемы. Часть 23-5. Гибридные интегральные схемы и пленочные структуры. Сертификация производственной линии. Процедура утверждения квалификации

American Society for Testing and Materials (ASTM), удаленная полупроводниковая пленка

  • ASTM F1711-96(2016) Стандартная практика измерения сопротивления тонкопленочных проводников при производстве плоских дисплеев с использованием метода четырехточечного зонда
  • ASTM F1844-97(2002) Стандартная практика измерения листового сопротивления тонкопленочных проводников при производстве плоских дисплеев с использованием бесконтактного вихретокового измерителя
  • ASTM F1844-97 Стандартная практика измерения листового сопротивления тонкопленочных проводников при производстве плоских дисплеев с использованием бесконтактного вихретокового измерителя
  • ASTM F1844-97(2008) Стандартная практика измерения листового сопротивления тонкопленочных проводников при производстве плоских дисплеев с использованием бесконтактного вихретокового измерителя

国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会, удаленная полупроводниковая пленка

  • GB/T 11498-2018 Полупроводниковые приборы. Интегральные схемы. Часть 21. Технические условия на пленочные интегральные схемы и гибридные пленочные интегральные схемы на основе процедур аттестации.
  • GB/T 13062-2018 Полупроводниковые приборы. Интегральные схемы. Часть 21-1. Пустая подробная спецификация для пленочных интегральных схем и гибридных пленочных интегральных схем на основе процедур аттестации.




©2007-2023 ANTPEDIA, Все права защищены.