EN
KR
JP
ES
RU
DE
远程 半导体 薄膜
本专题涉及远程 半导体 薄膜的标准有284条。
国际标准分类中，远程 半导体 薄膜涉及到金属材料试验、半导体分立器件、绝缘流体、电容器、电子电信设备用机电元件、集成电路、微电子学、半导体材料、真空技术、图形符号、阀门、建筑材料、频率控制和选择用压电器件与介质器件、电子显示器件。
在中国标准分类中，远程 半导体 薄膜涉及到金属物理性能试验方法、光学计量、电容器、半导体分立器件综合、电子设备专用微特电机、半金属与半导体材料综合、电力半导体器件、部件、、基础标准与通用方法、微型电机、阀门、混合集成电路、半导体集成电路、微电路综合、电子设备机械结构件、其他、膜集成电路、计算机应用、电子技术专用材料。
国家质检总局，关于远程 半导体 薄膜的标准
- GB/T 6616-2023 半导体晶片电阻率及半导体薄膜薄层电阻的测试 非接触涡流法
- GB/T 6616-1995 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层 电阻测定 非接触涡流法
- GB/T 6616-2009 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法 非接触涡流法
ECIA - Electronic Components Industry Association，关于远程 半导体 薄膜的标准
- 401-1973 用于功率半导体应用的纸 纸/薄膜 薄膜介电电容器
国家计量检定规程，关于远程 半导体 薄膜的标准
- JJG(核工) 4-1991 半导体望远镜（工作级）检定规程
英国标准学会，关于远程 半导体 薄膜的标准
- BS IEC 62951-4:2019 半导体器件 柔性和可拉伸半导体器件 柔性半导体器件基材上柔性导电薄膜的疲劳评估
- BS IEC 62951-6:2019 半导体器件 柔性和可拉伸半导体器件 柔性导电薄膜方块电阻的测试方法
- BS IEC 62951-7:2019 半导体器件 柔性和可拉伸半导体器件 表征柔性有机半导体薄膜封装阻隔性能的测试方法
- BS IEC 62951-1:2017 半导体器件 柔性和可拉伸半导体器件 柔性基板上导电薄膜的弯曲测试方法
- BS EN 62047-3:2006 半导体器件.微机电设备.拉伸测试的薄膜标准试样
- BS IEC 62951-3:2018 半导体器件 柔性和可拉伸的半导体器件 膨胀情况下柔性基板上薄膜晶体管特性的评估
- BS EN 62047-18:2013 半导体器件.微型机电装置.薄膜材料的弯曲测试方法
- BS EN 62047-2:2006 半导体器件.微型机电器件.薄膜材料的拉伸试验方法
- BS EN 62047-21:2014 半导体器件. 微型机电装置. 薄膜MEMS材料泊松比试验方法
- BS EN 62047-6:2010 半导体装置.微机电装置.薄膜材料的轴向疲劳试验方法
- BS EN 62047-22:2014 半导体器件. 微型机电装置. 柔性基板上导电薄膜机电拉伸试验方法
- BS IEC 62047-29:2017 半导体器件 微机电器件 室温下独立式导电薄膜机电松弛试验方法
- BS EN 62374:2008 半导体装置 依赖时间的栅极介电薄膜的介质击穿（TDDB）试验
- BS EN 62374:2007 半导体装置.依赖时间的栅极介电薄膜的介质击穿(TDDB)试验
- BS IEC 60748-23-5:2003 半导体器件 集成电路 混合集成电路和薄膜结构 生产线认证 资格审批程序
- BS IEC 62047-37:2020 半导体器件 微机电器件 传感器用MEMS压电薄膜环境试验方法
- BS IEC 62047-30:2017 半导体器件 微机电器件 MEMS压电薄膜机电转换特性测量方法
- BS EN 62047-14:2012 半导体装置.微型电机装置.金属薄膜材料的成形极限测量方法
- 19/30404655 DC BS EN IEC 63229 半导体器件 碳化硅衬底氮化镓外延薄膜缺陷的分类
- BS EN 62047-8:2011 半导体装置.微电机装置.薄膜拉伸性能测量用带材弯曲试验方法
- BS IEC 62047-36:2019 半导体器件 微机电器件 MEMS压电薄膜的环境和介电耐受测试方法
- BS QC 760200:1997 电子元件质量评估协调制度 半导体器件 集成电路 基于能力审批程序的薄膜集成电路和混合薄膜集成电路分规范
- BS QC 760100:1997 电子元件质量评估协调制度 半导体器件 集成电路 基于资格审批程序的薄膜集成电路和混合薄膜集成电路分规范
- BS IEC 60748-23-1:2002 半导体器件.集成电路.混合集成电路和薄膜结构.生产线认证.总规范
- BS EN 62047-17:2015 半导体器件. 微型机电装置. 用于测量薄膜力学性能的胀形试验方法
- BS QC 760201:1997 电子元件质量评估协调制度 半导体器件 集成电路 基于能力审批程序的薄膜集成电路和混合薄膜集成电路空白详细规范
- BS QC 760101:1997 电子元件质量评估协调制度 半导体器件 集成电路 基于资质审批程序的薄膜集成电路和混合薄膜集成电路空白详细规范
- BS IEC 60748-23-5:2004 半导体器件.集成电路.第23-5部分:混合集成电路和薄膜结构.生产线认证.合格鉴定规程
- BS IEC 60748-23-5:2003(2004) 半导体器件 - 集成电路 - 第23-5部分：混合集成电路和薄膜结构 - 生产线认证 - 资格批准程序
- BS IEC 60748-23-4:2002 半导体器件.集成电路.混合集成电路和薄膜结构.生产线认证.空白详细规范
- BS EN 62047-12:2011 半导体装置.微型机电装置.使用MEMS结构的共振,薄膜材料的弯曲挠度试验方法
- BS IEC 60748-23-3:2002 半导体器件.集成电路.混合集成电路和薄膜结构.生产线认证.生产商自审清单和报告
- BS IEC 60748-23-2:2002 半导体器件.集成电路.混合集成电路和薄膜结构.生产线认证.内部目视检查和特殊试验
- 18/30383935 DC BS EN IEC 62047-37 半导体器件 微机电装置 第37部分 传感器应用MEMS压电薄膜的环境测试方法
- BS EN 62047-16:2015 半导体器件. 微型机电装置. 用于测定MEMS薄膜晶片曲率剩余应力的试验方法和悬臂梁挠度法
国际电工委员会，关于远程 半导体 薄膜的标准
- IEC 62951-4:2019 半导体器件.柔性和可伸展半导体器件.第4部分:柔性半导体器件衬底上柔性导电薄膜的疲劳评价
- IEC 62951-6:2019 半导体器件.柔性和可拉伸的半导体器件.第6部分:柔性导电薄膜片电阻的试验方法
- IEC 62951-1:2017 半导体器件. 柔性和可伸缩半导体器件. 第1部分: 柔性基板上导电薄膜的拉伸试验方法
- IEC 62951-3:2018 半导体器件 - 柔性和可拉伸半导体器件 - 第3部分:凸出下柔性基板上薄膜晶体管特性的评估
- IEC 60748-20:1988/AMD1:1995 修改件1——半导体器件 集成电路 第20部分:薄膜集成电路和混合薄膜集成电路总规范
- IEC 62374:2007 半导体器件.栅极介电薄膜用时间相关的电介质击穿(TDDB)试验
- IEC 60748-22-1:1991 半导体器件.集成电路.第22部分第1节:符合性能审批程序的薄膜集成电路和混合薄膜集成电路空白详细规范
- IEC 62047-2:2006 半导体装置.微型机电装置.第2部分:薄膜材料的拉伸试验方法
- IEC 62047-3:2006 半导体器件.微机电设备.第3部分:拉伸试验的薄膜标准试验片
- IEC 62047-18:2013 半导体器件.微型机电器件.第18部分:薄膜材料的弯曲测试方法
- IEC 62047-6:2009 半导体装置.微电机装置.第6部分:薄膜材料的轴向疲劳试验方法
- IEC 62047-21:2014 半导体器件. 微型机电装置. 第21部分: 薄膜MEMS材料泊松比试验方法
- IEC 62047-29:2017 半导体器件 - 微机电器件 - 第29部分:室温下独立导电薄膜的机电弛豫试验方法
- IEC 62047-22:2014 半导体器件. 微型机电装置. 第22部分: 柔性基板上导电薄膜机电拉伸试验方法
- IEC 62047-14:2012 半导体装置.微电机装置.第14部分:金属薄膜材料的成型极限测量方法
- IEC 62047-37:2020 半导体器件微机电器件第37部分:传感器用MEMS压电薄膜的环境试验方法
- IEC 62047-30:2017 半导体器件 - 微机电器件 - 第30部分:MEMS压电薄膜机电转换特性的测量方法
- IEC 62047-36:2019 半导体器件微机电器件第36部分:MEMS压电薄膜的环境和介电耐受试验方法
- IEC 62047-17:2015 半导体器件 - 微机电器件 - 第17部分:用于测量薄膜机械性能的膨胀测试方法
- IEC 62047-8:2011 半导体装置.微电机装置.第8部分:薄膜的拉力特性测量的带状抗弯试验方法
- IEC 60748-23-1:2002 半导体器件.集成电路.第23-1部分:混合集成电路和薄膜结构.生产线认证.总规范
- IEC 60748-23-5:2003 半导体器件.集成电路.第23-5部分:混合集成电路和薄膜结构.生产线认证.鉴定批准
- IEC 62047-12:2011 半导体器件.微电机器件.第12部分:使用MEMS结构共振的薄膜材料的弯曲疲劳测试方法
- IEC 60748-23-4:2002 半导体器件.集成电路.第23-4部分:混合集成电路和薄膜结构.生产线认证.空白详细规范
- IEC 60748-21:1997 半导体器件 集成电路 第21部分:实行鉴定批准程序的膜集成电路和混合膜集成电路分规范
- IEC 60748-23-2:2002 半导体器件.集成电路.第23-2部分:混合集成电路和薄膜结构.生产线认证.内部审查和特殊试验
- IEC 62047-16:2015 半导体设备 微机电设备 第16部分：确定 MEMS 薄膜残余应力的测试方法 晶片曲率和悬臂梁偏转方法
- IEC 60748-23-3:2002 半导体器件.集成电路.第23-3部分:混合集成电路和薄膜结构.生产线认证.生产者自审清单和报告
- IEC 60748-22-1:1997 半导体器件 集成电路 第22-1部分:实行能力批准程序的膜集成电路和混合膜集成电路空白详细规范
美国国家标准学会，关于远程 半导体 薄膜的标准
- ANSI/EIA 401:1973 功率半导体设备用纸介质和纸/薄膜介质电容器
韩国科技标准局，关于远程 半导体 薄膜的标准
- KS C IEC 62951-1:2022 半导体器件.柔性和可拉伸半导体器件.第1部分:柔性衬底上导电薄膜的弯曲试验方法
- KS C IEC 60748-20:2021 半导体器件集成电路第20部分:薄膜集成电路和混合薄膜集成电路总规范
- KS C IEC 60748-20-1:2003 半导体器件.集成电路.第20部分:薄膜集成电路及混合薄膜集成电路的总规范.
- KS C IEC 60748-20:2003 半导体器件.集成电路.第20部分:薄膜集成电路及混合薄膜集成电路的总规范
- KS C IEC 60748-20:2019 半导体器件 - 集成电路 - 第20部分:薄膜集成电路和混合薄膜集成电路的通用规范
- KS C IEC 60748-2-20:2019 半导体器件 - 集成电路 - 第20部分:薄膜集成电路和混合薄膜集成电路的通用规范
- KS C IEC 62047-18:2016 半导体器件《微机电器件》第18部分：薄膜材料弯曲试验方法
- KS C IEC 62047-22:2016 半导体器件《微机电器件》第18部分：薄膜材料弯曲试验方法
- KS C IEC 62047-18-2016(2021) 半导体器件微机电器件第18部分:薄膜材料弯曲试验方法
- KS C IEC 62047-22-2016(2021) 半导体器件微机电器件第18部分:薄膜材料弯曲试验方法
- KS C IEC 62047-22-2021 半导体器件 微机电器件 第18部分：薄膜材料弯曲试验方法
- KS C IEC 62047-18-2021 半导体器件 微机电器件 第18部分：薄膜材料弯曲试验方法
- KS C IEC 60748-20-1-2019 半导体器件 集成电路 第20部分：薄膜集成电路和混合薄膜集成电路通用规范 第1节：内部目视检查要求
- KS C IEC 62047-8:2015 半导体器件《微机电器件》第8部分：薄膜拉伸性能测量的条带弯曲试验方法
- KS C IEC 62047-8-2020 半导体器件 微机电器件 第8部分：薄膜拉伸性能测量的带状弯曲试验方法
- KS C IEC 60748-20-1-2003(2019) 半导体器件 - 集成电路 - 第20部分:薄膜集成电路和混合薄膜集成电路的通用规范 - 第1部分:内部目视检查的要求
- KS C IEC 62047-8-2015(2020) 半导体器件 - 微机电装置 - 第8部分:带弯曲为薄膜的拉伸性能测定的测试方法
- KS C IEC 60748-23-1:2004 半导体器件.集成电路.第23-1部分:混合集成电路和薄膜结构.生产线认证.总规范
- KS C IEC 60748-23-1-2004(2019) 半导体器件集成电路第23－1部分:混合集成电路和薄膜结构生产线认证总规范
- KS C IEC 60748-23-1-2019 半导体器件 集成电路 第23部分 1：混合集成电路和薄膜结构 生产线认证 通用规范
- KS C IEC 60748-23-3:2004 半导体器件.集成电路.第23-3部分:混合集成电路和薄膜结构.生产线认证.生产者自审清单和报告
- KS C IEC 60748-23-3-2004(2019) 半导体器件集成电路第23－3部分:混合集成电路和薄膜结构生产线认证制造商自审检查表和报告
- KS C IEC 60748-23-3-2019 半导体器件 集成电路 第23部分 3：混合集成电路和薄膜结构 生产线认证 制造商自审检查表和报告
KR-KS，关于远程 半导体 薄膜的标准
- KS C IEC 62951-1-2022 半导体器件.柔性和可拉伸半导体器件.第1部分:柔性衬底上导电薄膜的弯曲试验方法
- KS C IEC 60748-20-2021 半导体器件集成电路第20部分:薄膜集成电路和混合薄膜集成电路总规范
- KS C IEC 60748-2-20-2019 半导体器件 - 集成电路 - 第20部分:薄膜集成电路和混合薄膜集成电路的通用规范
- KS C IEC 60748-20-2019 半导体器件 - 集成电路 - 第20部分:薄膜集成电路和混合薄膜集成电路的通用规范
- KS C IEC 62047-18-2016 半导体器件 - 微机电装置 - 第18部分:薄膜材料弯曲试验方法
- KS C IEC 62047-22-2016 半导体器件 - 微机电装置 - 第18部分:薄膜材料弯曲试验方法
IEC - International Electrotechnical Commission，关于远程 半导体 薄膜的标准
- IEC 62951-7:2019 半导体器件 柔性和可拉伸半导体器件 第7部分：表征柔性有机半导体薄膜封装阻隔性能的测试方法（1.0版）
- IEC 60748-22:1997 半导体器件 集成电路 第22部分：基于能力批准程序的薄膜集成电路和混合薄膜集成电路分规范（第 2.0 版；IECQ QC 760200）
丹麦标准化协会，关于远程 半导体 薄膜的标准
- DS/IEC 748-20:1990 半导体器件.集成电路.第20部分:薄膜集成电路、混合薄膜集成电路的一般规格
- DS/IEC 748-21:1993 半导体装置．集成电路．第21部分：基于认证批准程序的薄膜集成电路和混合薄膜集成电路分规范
- DS/EN 62047-2:2007 半导体器件 微机电器件 第2部分：薄膜材料的拉伸试验方法
- DS/EN 62047-3:2007 半导体器件-微机电器件-第3部分：拉伸试验用薄膜标准试件
- DS/EN 62047-18:2013 半导体器件微机电器件第18部分：薄膜材料的弯曲试验方法
- DS/IEC 748-21-1:1993 半导体装置．集成电路．第21部分：第1节：基于认证批准程序的薄膜集成电路和混合薄膜集成电路空白详细规范
- DS/IEC 748-22-1:1993 半导体装置．集成电路．第22部分：第1节：基于能力批准程序的薄膜集成电路和混合薄膜集成电路空白详细规范
- DS/EN 62047-6:2010 半导体器件微机电器件第6部分：薄膜材料轴向疲劳试验方法
- DS/EN 62047-14:2012 半导体器件 微机电器件 第14部分：金属薄膜材料成形极限测量方法
- DS/EN 62047-8:2011 半导体器件微机电器件第8部分：薄膜拉伸性能测量的条带弯曲试验方法
- DS/EN 62047-12:2012 半导体器件-微机电器件-第12部分：利用MEMS结构共振的薄膜材料弯曲疲劳试验方法
GSO，关于远程 半导体 薄膜的标准
- GSO IEC 60748-20:2014 半导体工具 集成电路 第20部分：薄膜集成电路和薄膜混合集成电路通用规范
- OS GSO IEC 60748-20:2014 半导体器件 集成电路 第20部分：薄膜集成电路和混合薄膜集成电路通用规范
- BH GSO IEC 60748-20:2016 半导体器件 集成电路 第20部分：薄膜集成电路和混合薄膜集成电路通用规范
- OS GSO IEC 60748-22:2014 半导体器件集成电路 第22部分：基于能力批准程序的薄膜集成电路和混合薄膜集成电路分规范
- GSO IEC 60748-22:2014 半导体器件集成电路 第22部分：基于能力批准程序的薄膜集成电路和混合薄膜集成电路分规范
- OS GSO IEC 62374:2014 半导体器件 栅极介电薄膜的时间相关介电击穿 (TDDB) 测试
- BH GSO IEC 62374:2016 半导体器件 栅极介电薄膜的时间相关介电击穿 (TDDB) 测试
- GSO IEC 62047-2:2014 半导体器件 微机电器件 第2部分：薄膜材料拉伸试验方法
- OS GSO IEC 62047-2:2014 半导体器件 微机电器件 第2部分：薄膜材料拉伸测试方法
- BH GSO IEC 62047-2:2016 半导体器件 微机电器件 第2部分：薄膜材料拉伸测试方法
- OS GSO IEC 60748-22-1:2014 半导体器件 集成电路 第22-1部分：基于能力批准程序的薄膜集成电路和混合薄膜集成电路的空白详细规范
- OS GSO IEC 60748-21-1:2014 半导体器件 集成电路 第21-1部分：基于资格审批程序的薄膜集成电路和混合薄膜集成电路的空白详细规范
- GSO IEC 62047-18:2021 半导体器件 微机电器件 第18部分：薄膜材料的弯曲测试方法
- GSO IEC 62047-3:2014 半导体器件 微机电器件 第3部分：拉伸试验用薄膜标准试件
- BH GSO IEC 62047-3:2016 半导体器件 微机电器件 第3部分：拉伸试验用薄膜标准试件
- GSO IEC 60748-21-1:2014 半导体工具 集成电路 第 (21-1) 部分：正在根据能力认证程序制定薄膜集成电路和薄膜混合集成电路的详细规范
- BH GSO IEC 62047-6:2016 半导体器件 微机电器件 第6部分：薄膜材料轴向疲劳试验方法
- GSO IEC 62047-6:2013 半导体器件 微机电器件 第6部分：薄膜材料轴向疲劳试验方法
- GSO IEC 62047-21:2021 半导体器件 微机电器件 第21部分：薄膜MEMS材料泊松比的测试方法
- BH GSO IEC 62047-21:2022 半导体器件 微机电器件 第21部分：薄膜MEMS材料泊松比的测试方法
- GSO IEC 60748-22-1:2014 半导体工具 集成电路 第22-1部分：基于能力认证程序的薄膜集成电路和混合薄膜集成电路的详细规范正在准备中
- GSO IEC 62047-22:2021 半导体器件 微机电器件 第22部分：柔性基板上导电薄膜的机电拉伸试验方法
- BH GSO IEC 62047-22:2022 半导体器件 微机电器件 第22部分：柔性基板上导电薄膜的机电拉伸试验方法
- GSO IEC 62047-14:2021 半导体器件 微机电器件 第14部分：金属薄膜材料的成形极限测量方法
- GSO IEC 62047-17:2021 半导体器件 微机电器件 第17部分：测量薄膜机械性能的凸出试验方法
- BH GSO IEC 62047-17:2022 半导体器件 微机电器件 第17部分：测量薄膜机械性能的凸出试验方法
- BH GSO IEC 62047-14:2022 半导体器件 微机电器件 第14部分：金属薄膜材料的成形极限测量方法
- OS GSO IEC 60748-23-5:2014 半导体器件 集成电路 第23-5部分：混合集成电路和薄膜结构 生产线认证 资格审批程序
- OS GSO IEC 60748-20-1:2014 半导体器件集成电路 第20部分：薄膜集成电路和混合薄膜集成电路通用规范 第1节：内部目视检查的要求
- BH GSO IEC 60748-20-1:2016 半导体器件集成电路 第20部分：薄膜集成电路和混合薄膜集成电路通用规范 第1节：内部目视检查的要求
- GSO IEC 62047-8:2014 半导体器件 微机电器件 第8部分：测量薄膜拉伸性能的条带弯曲试验方法
- OS GSO IEC 62047-8:2014 半导体器件 微机电器件 第8部分：薄膜拉伸性能测量的带材弯曲试验方法
- BH GSO IEC 62047-8:2016 半导体器件 微机电器件 第8部分：薄膜拉伸性能测量的带材弯曲试验方法
- OS GSO IEC 62047-12:2014 半导体器件 微机电器件 第12部分：利用MEMS结构谐振的薄膜材料弯曲疲劳测试方法
- BH GSO IEC 62047-12:2016 半导体器件 微机电器件 第12部分：利用MEMS结构谐振的薄膜材料弯曲疲劳测试方法
- OS GSO IEC 60748-23-4:2014 半导体器件 集成电路 第23-4部分：混合集成电路和薄膜结构 生产线认证 空白详细规范
- BH GSO IEC 60748-23-4:2016 半导体器件 集成电路 第23-4部分：混合集成电路和薄膜结构 生产线认证 空白详细规范
- GSO IEC 62047-12:2014 半导体器件 微机电器件 第12部分：使用微机电系统组件共振的薄膜材料弯曲应力测试方法
- GSO IEC 62047-16:2021 半导体器件 微机电器件 第16部分：测定 MEMS 薄膜残余应力的测试方法 晶圆曲率和悬臂梁偏转方法
- BH GSO IEC 62047-16:2022 半导体器件 微机电器件 第16部分：测定 MEMS 薄膜残余应力的测试方法 晶圆曲率和悬臂梁偏转方法
- OS GSO IEC 60748-23-2:2014 半导体器件 集成电路 第23-2部分：混合集成电路和薄膜结构 生产线认证 内部目视检查和特殊测试
- OS GSO IEC 60748-23-3:2014 半导体器件 集成电路 第23-3部分：混合集成电路和薄膜结构 生产线认证 制造商的认证自审清单和报告
- BH GSO IEC 60748-23-3:2016 半导体器件 集成电路 第23-3部分：混合集成电路和薄膜结构 生产线认证 制造商的认证自审清单和报告
- GSO IEC 60748-23-5:2014 半导体工具 集成电路 第23-5部分：混合集成电路和薄结构 生产线认证 能力认证程序
CZ-CSN，关于远程 半导体 薄膜的标准
- CSN IEC 748-20:1993 半导体设备．集成电路．第20部分：薄膜集成电路及混合薄膜集成电路的一般规范
中国团体标准，关于远程 半导体 薄膜的标准
- T/GVS 005-2022 半导体装备用绝压电容薄膜真空计比对法测试规范
法国标准化协会，关于远程 半导体 薄膜的标准
- NF C86-433:1988 半导体器件.电子元件统一质量评审体系.薄膜电阻器电路(批准程序).分规范
- NF EN 62374:2008 半导体器件 - 栅极介电薄膜的时间相关介电击穿测试 (TDDB)
- NF C86-434:1988 半导体器件.电子元件统一质量评审体系.薄膜电阻器电路(批准程序).规范CECC 64 201
- NF EN 62047-2:2006 半导体器件 微机电器件 第 2 部分：薄膜材料拉伸测试方法
- NF EN 62047-18:2014 半导体器件 微机电器件 第18部分：薄膜材料弯曲试验方法
- NF C86-411:1987 半导体器件.电子元件统一质量评定体系.薄膜混合集成电路.分规范
- NF C96-017*NF EN 62374:2008 半导体器件 与时间有关的栅极介电薄膜的介质击穿（TDDB）试验
- NF C96-050-18*NF EN 62047-18:2014 半导体器件 微型机电装置 第18部分：薄膜材料弯曲试验方法
- NF EN 62047-3:2006 半导体器件 - 微机电器件 - 第 3 部分：拉伸测试用标准薄膜试样
- NF C96-050-2*NF EN 62047-2:2006 半导体装置.微型机电装置.第2部分:薄膜材料的拉伸试验方法
- NF C96-050-3*NF EN 62047-3:2006 半导体器件 微电机设备 第3部分：拉伸试验用薄膜标准试验片
- NF EN 62047-6:2010 半导体器件微机电器件第6部分：薄膜材料轴向疲劳试验方法
- NF C96-050-21*NF EN 62047-21:2014 半导体器件. 微型机电装置. 第21部分: 薄膜MEMS材料泊松比试验方法
- NF C96-050-6*NF EN 62047-6:2010 半导体装置 微电机装置 第6部分：薄膜材料的轴向疲劳试验方法
- NF EN 62047-21:2014 半导体器件 微机电器件 第21部分：薄膜MEMS材料泊松比的测试方法
- NF C96-050-22*NF EN 62047-22:2014 半导体器件. 微型机电装置. 第22部分: 柔性基板上导电薄膜机电拉伸试验方法
- NF EN 62047-22:2014 半导体器件 微机电器件 第22部分：柔性基板上导电薄膜的机电拉伸试验方法
- NF C86-412:1987 半导体器件.电子元件统一质量评定体系.薄膜混合集成电路.空白详细规范
- NF C86-413:1987 半导体器件.电子元件统一质量评定体系.薄膜混合集成电路.功能认可.分规范
- NF C96-050-14*NF EN 62047-14:2012 半导体装置 微电机装置 第14部分：金属薄膜材料的成形极限测量方法
- NF C96-050-17*NF EN 62047-17:2015 半导体器件-微机电器件-第17部分：测量薄膜机械性能的凸起试验方法
- NF EN 62047-17:2015 半导体器件 微机电器件 第 17 部分：测量薄膜机械性能的凸出试验方法
- NF C96-050-8*NF EN 62047-8:2011 半导体装置.微机电装置.第8部分:用钢带弯曲试验法测量薄膜的拉伸性能.
- NF C86-430:1988 半导体器件.电子元件统一质量评审系统.带固定薄膜电阻器的电路.总规范
- NF EN 62047-8:2011 半导体器件微机电器件第8部分：测量薄膜拉伸性能的带材弯曲试验方法
- NF C86-414:1987 半导体器件.电子元件统一质量评定体系.薄膜混合集成电路路.功能认可..空白详细规范
- NF C86-431:1988 半导体器件.电子元件统一质量评审体系.带固定薄膜电阻器的电路.分规范.规范 CECC 64 100
- NF C86-432:1988 半导体器件.电子元件统一质量评审体系.带薄膜电阻器的电路.空白详细规范.规范 CECC 64 100
- NF C96-050-12*NF EN 62047-12:2012 半导体器件 - 微型机电装置 - 第12部分: 使用MEMS结构共振的薄膜材料的弯曲疲劳测试方法.
- NF C96-050-16*NF EN 62047-16:2015 半导体器件 微机电器件 第16部分：测定 MEMS 薄膜残余应力的测试方法 晶片曲率和悬臂梁偏转方法
- NF EN 62047-16:2015 半导体器件.微机电器件.第16部分：测定MEMS薄膜残余应力的测试方法.晶圆曲率和悬臂梁偏转方法
德国标准化学会，关于远程 半导体 薄膜的标准
- DIN EN 62374:2008-02 半导体器件-栅极介电薄膜的时间相关介电击穿（TDDB）测试
- DIN EN 62047-2:2007-02 半导体器件微机电器件第2部分：薄膜材料拉伸测试方法
- DIN EN 62374:2008 半导体器件.与时间有关的栅极介电薄膜的介质击穿(TDDB)试验
- DIN EN 62047-18:2014-04 半导体器件-微机电器件-第18部分：薄膜材料的弯曲测试方法
- DIN EN 62047-3:2007-02 半导体器件-微机电器件-第3部分：拉伸试验用薄膜标准试件
- DIN EN 62047-3:2007 半导体器件.微电机设备.第3部分:拉伸试验用薄膜标准试验片
- DIN EN 62047-2:2007 半导体装置.微型电机装置.第2部分:薄膜材料的拉伸试验方法
- DIN EN 62047-6:2010-07 半导体器件微机电器件第6部分：薄膜材料轴向疲劳试验方法
- DIN EN 62047-17:2015-12 半导体器件-微机电器件-第17部分：测量薄膜机械性能的凸起测试方法
- DIN EN 62047-14:2012-10 半导体器件微机电器件第14部分：金属薄膜材料的成形极限测量方法
- DIN EN 62047-22:2015-04 半导体器件 - 微机电器件 - 第 22 部分：柔性基板上导电薄膜的机电拉伸试验方法 (IEC 62047-22:2014)
- DIN EN 62047-8:2011-12 半导体器件微机电器件第8部分：薄膜拉伸性能测量的带材弯曲试验方法
- DIN EN 62047-21:2015-04 半导体器件-微机电器件-第21部分：薄膜MEMS材料泊松比的测试方法（IEC 62047-21:2014）
- DIN EN 62047-12:2012-06 半导体器件-微机电器件-第12部分：利用MEMS结构共振的薄膜材料弯曲疲劳测试方法
- DIN EN 62047-22:2015 半导体器件-微机电器件-第22部分：柔性基板上导电薄膜的机电拉伸试验方法（IEC 62047-22:2014）；德文版 EN 62047-22:2014
- DIN EN 62047-21:2015 半导体器件-微机电器件-第21部分：薄膜MEMS材料泊松比测试方法（IEC 62047-21:2014）；德文版 EN 62047-21:2014
- DIN EN 62047-18:2014 半导体器件. 微型机电装置. 第18部分:薄膜材料的弯曲试验方法 (IEC 62047-18-2013); 德文版本EN 62047-18-2013
- DIN EN 62047-6:2010 半导体器件. 微电机设备. 第6部分: 薄膜材料的轴向疲劳试验方法（IEC 62047-6: 2009）; 德文版本EN 62047-6: 2010
- DIN EN 62047-8:2011 半导体设备.微机电设备.第8部分:薄膜拉伸性能测量用带弯曲试验方法(IEC 62047-8-2011).德文版 EN 62047-8-2011
- DIN EN 62047-14:2012 半导体装置.微电机装置.第14部分:金属薄膜材料的成型极限测量方法(IEC 62047-14-2012).德文版本EN 62047-14-2012
- DIN EN 62047-16:2015-12 半导体器件-微机电器件-第16部分：确定MEMS薄膜残余应力的测试方法-晶圆曲率和悬臂梁偏转方法
- DIN EN 62047-12:2012 半导体器件.微电机器件.第12部分:使用MEMS结构共振的薄膜材料的弯曲疲劳测试方法(IEC 62047-12-2011).德文版本EN 62047-12-2011
美国国防后勤局，关于远程 半导体 薄膜的标准
- DLA DSCC-DWG-89100 REV B-2002 固定薄膜片状法兰安装单路TAB高功率10瓦特半导体器件
- DLA SMD-5962-88645 REV D-2007 硅单片远程终端多协议互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-89971-1992 硅单片,远程通用外围接口,高性能金属氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-88628 REV E-2007 硅单片总线控制器远程终端互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-89577 REV J-2007 硅单片,总线控制器,远程终端及显示器,氧化物半导体数字记忆微型电路
- DLA SMD-5962-89501 REV D-2007 硅单片总线控制器远程终端多协议互补型金属氧化物半导体数字微电路
IECQ - IEC: Quality Assessment System for Electronic Components，关于远程 半导体 薄膜的标准
- QC 760200-1992 半导体器件集成电路第22部分：基于能力批准程序的薄膜集成电路和混合薄膜集成电路分规范（IEC 748-22 ED 1）
- QC 760000-1988 半导体器件集成电路第20部分：薄膜集成电路和混合薄膜集成电路的通用规范（IEC 748-20 ED 1）
- QC 760101-1991 半导体器件 集成电路第21部分：第一节：基于资格批准程序的薄膜集成电路和混合薄膜集成电路的空白详细规范（IEC 748-21-1 ED 1）
- QC 760201-1991 半导体器件集成电路第22部分：第一节：基于能力批准程序的薄膜集成电路和混合薄膜集成电路的空白详细规范（IEC 748-22-1 ED l）
- QC 760100-1997 半导体器件 集成电路 第21部分：基于资格批准程序的薄膜集成电路分规范（ED 2；IEC 60748-21：1997 ED 2）
- QC 760000-1990 半导体器件集成电路第20部分：薄膜集成电路和混合薄膜集成电路的通用规范（IEC 748-20：1988；AMD 6754；1991年9月；AMD 9331 1 月 15 日 1997）
- QC 763000-1994 半导体器件 集成电路 第20部分：薄膜集成电路和混合薄膜集成电路的通用规范 第 1 节：内部目视检查要求（IEC 748-20-1 ED 1）
(美国)海军，关于远程 半导体 薄膜的标准
- NAVY QPL-15508-13-2006 薄膜执行的远程操纵阀门(150和250P.S.I. W.P.140度F最大流体系统)
欧洲电工标准化委员会，关于远程 半导体 薄膜的标准
- EN 62374:2007 半导体器件.与时间有关的栅极介电薄膜的介质击穿(TDDB)试验
- EN 62047-18:2013 半导体器件微机电器件第18部分：薄膜材料的弯曲试验方法
- EN 62047-3:2006 半导体器件.微电机器件.第3部分:拉伸试验用薄膜标准试验片
- EN 62047-21:2014 半导体器件微机电器件第21部分：薄膜MEMS材料泊松比测试方法
- EN 62047-6:2010 半导体器件微机电器件第6部分：薄膜材料轴向疲劳试验方法
- EN 62047-22:2014 半导体器件-微机电器件-第22部分：柔性基板上导电薄膜的机电拉伸试验方法
- EN 62047-14:2012 半导体器件 微机电器件 第14部分：金属薄膜材料成形极限测量方法
- EN 62047-2:2006 半导体器件微电机器件.第2部分:薄膜材料的拉伸试验方法 IEC 62047-2:2006
- EN 62047-17:2015 半导体器件-微机电器件-第17部分：测量薄膜机械性能的凸起试验方法
- EN 62047-8:2011 半导体器件.微型电机装置.第8部分:薄膜拉力特性测量的带状抗弯试验
- EN 62047-16:2015 半导体器件-微机电器件-第16部分：测定 MEMS 薄膜残余应力的试验方法 晶片曲率和悬臂梁偏转方法
- EN 62047-12:2011 半导体器件.微型电机装置.第12部分:用微型电机系统(MEMS)结构谐振进行薄膜材料的弯曲疲劳试验方法
ES-UNE，关于远程 半导体 薄膜的标准
- UNE-EN 62047-18:2013 半导体器件 微机电器件 第18部分：薄膜材料的弯曲测试方法
- UNE-EN 62047-3:2006 半导体器件 微机电器件 第3部分：拉伸测试用薄膜标准试件
- UNE-EN 62047-6:2010 半导体器件 微机电器件 第6部分：薄膜材料的轴向疲劳测试方法
- UNE-EN 62047-21:2014 半导体器件 微机电器件 第21部分：薄膜 MEMS 材料泊松比的测试方法
- UNE-EN 62047-22:2014 半导体器件 微机电器件 第22部分：柔性基板上导电薄膜的机电拉伸测试方法
- UNE-EN 62047-17:2015 半导体器件 微机电器件 第17部分：测量薄膜机械性能的凸起测试方法
- UNE-EN 62047-14:2012 半导体器件 微机电器件 第14部分：金属薄膜材料的成形极限测量方法
- UNE-EN 301908-11 V3.2.1:2006 半导体器件 微机电器件 第2部分：薄膜材料的拉伸测试方法（IEC 62047-2:2006）
- UNE-EN 62047-2:2006 半导体器件 微机电器件 第2部分：薄膜材料的拉伸测试方法（IEC 62047-2:2006）
- UNE-EN 300417-5-1 V1.1.3:2006 半导体器件 微机电器件 第2部分：薄膜材料的拉伸测试方法（IEC 62047-2:2006）
- UNE-EN 62047-8:2011 半导体器件 微机电器件 第8部分：薄膜拉伸性能测量的条带弯曲试验方法
- UNE-EN 62047-12:2011 半导体器件 微机电器件 第12部分：利用 MEMS 结构共振的薄膜材料弯曲疲劳测试方法
- UNE-EN 62047-16:2015 半导体器件 微机电器件 第16部分：测定 MEMS 薄膜残余应力的测试方法 晶圆曲率和悬臂梁偏转方法
SCC，关于远程 半导体 薄膜的标准
- DIN EN 62951-1 E:2015 文件草案 半导体器件 柔性和可拉伸半导体器件 第1部分：柔性基板上导电薄膜的弯曲测试方法 (IEC 47/2224/CD:2015)
- CEI EN 62047-21:2016 半导体器件 微机电器件 第21部分：薄膜MEMS材料泊松比测试方法
- CEI EN 62047-22:2016 半导体器件微机电器件 第22部分：柔性基板上导电薄膜的机电拉伸试验方法
- CEI EN 62047-17:2016 半导体器件微机电器件 第17部分：测量薄膜机械性能的凸出试验方法
- DANSK DS/EN 62047-17:2015 半导体器件 微机电器件 第17部分：测量薄膜机械性能的凸出试验方法
- DIN EN 62047-17:2015 半导体器件 微机电器件 第17部分：测量薄膜机械性能的凸起测试方法（IEC 62047-17:2015）
- DIN EN 62047-29 E:2016 半导体器件 微机电器件 第29部分：室温下独立式导电薄膜的机电松弛测试方法 (IEC 47F/243/CD:2016) 草案
- DIN EN 62047-30 E:2016 半导体器件 微机电器件 第30部分：MEMS 压电薄膜机电转换特性的测量方法 (IEC 47F/241/CD:2016) 草案
- CEI EN 62047-16:2016 半导体器件 微机电器件 第16部分：测定MEMS薄膜残余应力的试验方法 晶圆曲率和悬臂梁偏转方法
- DANSK DS/EN 62047-16:2015 半导体器件 微机电器件 第16部分：测定 MEMS 薄膜残余应力的测试方法 晶圆曲率和悬臂梁偏转方法
- DIN EN 62047-16:2015 半导体器件 微机电器件 第16部分：确定MEMS薄膜残余应力的测试方法 晶圆曲率和悬臂梁偏转方法（IEC 62047-16:2015）
日本工业标准调查会，关于远程 半导体 薄膜的标准
- JIS C 5630-3:2009 半导体器件.微型机电器件.第3部分:拉伸测试用薄膜标准试样
- JIS C 5630-2:2009 半导体器件.微型机电器件.第2部分:薄膜材料的拉伸测试方法
- JIS C 5630-18:2014 半导体器件. 微型机电装置. 第18部分: 薄膜材料的弯曲试验方法
- JIS C 5630-6:2011 半导体器件.微电机装置.第6部分:薄膜材料的轴向疲劳测试方法
- JIS C 5630-12:2014 半导体器件.微电机器件.第12部分:使用MEMS结构共振的薄膜材料的弯曲疲劳测试方法
立陶宛标准局，关于远程 半导体 薄膜的标准
- LST EN 62374-2008 半导体器件 栅极介电薄膜的时间相关介电击穿（TDDB）测试（IEC 62374:2007）
- LST EN 62047-3-2007 半导体器件-微机电器件-第3部分：拉伸试验用薄膜标准试件（IEC 62047-3:2006）
- LST EN 62047-2-2007 半导体器件微机电器件第2部分：薄膜材料的拉伸试验方法（IEC 62047-2:2006）
- LST EN 62047-6-2010 半导体器件微机电器件第6部分：薄膜材料轴向疲劳试验方法（IEC 62047-6:2009）
- LST EN 62047-14-2012 半导体器件微机电器件第14部分：金属薄膜材料成型极限测量方法（IEC 62047-14:2012）
- LST EN 62047-8-2011 半导体器件微机电器件第8部分：薄膜拉伸性能测量的条带弯曲试验方法（IEC 62047-8:2011）
- LST EN 62047-12-2011 半导体器件-微机电器件-第12部分：利用MEMS结构共振的薄膜材料弯曲疲劳试验方法（IEC 62047-12:2011）
未注明发布机构，关于远程 半导体 薄膜的标准
- DIN EN 62047-21 E:2012-11 半导体器件-微机电器件-第21部分：薄膜MEMS材料泊松比测试方法（草案）
- DIN EN 62047-18 E:2011-06 半导体器件 微型机电装置 第18部分：薄膜材料的弯曲试验方法（草案）
- DIN EN 62047-22 E:2012-11 半导体器件-微机电器件-第22部分：柔性基板上导电薄膜的机电拉伸试验方法（草案）
- DIN EN 62047-17 E:2011-06 半导体器件-微机电器件-第17部分：测量薄膜机械性能的凸起测试方法（草案）
- DIN EN 62047-16 E:2012-11 半导体器件-微机电器件-第16部分：确定MEMS薄膜残余应力的测试方法-晶圆曲率和悬臂梁偏转方法（草案）
美国材料与试验协会，关于远程 半导体 薄膜的标准
- ASTM F1711-96(2016) 采用四点探针法测量平板显示器制造用薄膜导体的薄层电阻的标准实施规程
- ASTM F1844-97(2002) 用非接触式涡流计测量平板显示器制造用薄膜导体耐力的标准操作规程
- ASTM F1844-97 用非接触式涡流计测量平板显示器制造用薄膜导体耐力的标准操作规程
- ASTM F1844-97(2008) 用非接触式涡流计测量平板显示器制造用薄膜导体耐力的标准实施规程
国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会，关于远程 半导体 薄膜的标准
- GB/T 11498-2018 半导体器件 集成电路 第21部分：膜集成电路和混合膜集成电路分规范(采用鉴定批准程序)
- GB/T 13062-2018 半导体器件 集成电路 第21-1部分：膜集成电路和混合膜集成电路空白详细规范(采用鉴定批准程序)
