ZH
EN
ES

Фотодиод

Фотодиод, Всего: 65 предметов.

В международной стандартной классификации классификациями, относящимися к Фотодиод, являются: Оптоэлектроника. Лазерное оборудование, Полупроводниковые приборы, Оптоволоконная связь, Печатные схемы и платы, Атомная энергетика.

Professional Standard - Military and Civilian Products, Фотодиод

WJ 2100-2004 Метод испытаний кремниевых фотодиодов и кремниевых лавинных фотодиодов
WJ 2265-1995 Технические характеристики кремниевых лавинных фотодиодов с предусилением
WJ 2506-1998 Правила поверки фотодиодного динамического тестера

ES-UNE, Фотодиод

UNE-EN 120005:1992 BDS: ФОТОДИОДЫ, ФОТОДИОДНЫЕ МАССИВЫ (НЕ ПРЕДНАЗНАЧЕНЫ ДЛЯ ВОЛОКОННО-ОПТИЧЕСКИХ ПРИМЕНЕНИЙ).
UNE-EN 120006:1992 BDS: PIN-ФОТОДИОДЫ ДЛЯ ВОЛОКОННО-ОПТИЧЕСКИХ ПРИМЕНЕНИЙ. (Одобрено AENOR в сентябре 1996 г.)

German Institute for Standardization, Фотодиод

DIN EN 120005:1996 Бланковая подробная спецификация - Фотодиоды, фотодиодные матрицы (не предназначены для оптоволоконных применений); Немецкая версия EN 120005:1992.
DIN EN 120005:1996-11 Пустая подробная спецификация - Фотодиоды, фотодиодные матрицы (не предназначены для оптоволоконных применений)
DIN IEC 62088:2002-09 Ядерное приборостроение. Фотодиоды для сцинтилляционных детекторов. Процедуры испытаний (IEC 62088:2001)
DIN IEC 62088:2002 Ядерное приборостроение. Фотодиоды для сцинтилляционных детекторов. Процедуры испытаний (IEC 62088:2001)

European Standard for Electrical and Electronic Components, Фотодиод

EN 120005:1992 Пустая подробная спецификация: фотодиоды, фотодиодные матрицы (не предназначены для оптоволоконных применений)
EN 120006:1992 Бланк спецификации: PIN-фотодиоды для оптоволоконных приложений.

Association Francaise de Normalisation, Фотодиод

NF EN 120005:1992 Пустая спецификация: фотодиоды, фотодиодные матрицы (не предназначены для оптоволоконных применений).
NF C93-120-005*NF EN 120005:1992 Пустая подробная спецификация: фотодиоды, фотодиодные матрицы (не предназначены для оптоволоконных применений)
NF C86-505:1986 Полупроводниковые приборы. Гармонизированная система оценки качества электронных компонентов. Фотодиоды. Фотодиоды-матрицы. Спецификация бланка детали CECC 20 005.
NF C93-872:1987 Цифровые приемники с штыревым фотодиодом.
NF C96-551/A2:1981 Оптоэлектроника Светодиоды Оптопары Листы статей по теме
NF C96-551/A3:1981 Оптоэлектроника Светодиоды Оптопары Листы статей по теме

SE-SIS, Фотодиод

SIS SS CECC 20005-1988 Бланковая детальная спецификация: Фотодиоды, фотодиодные матрицы (не предназначены для оптоволоконных сетей)
SIS SS CECC 20006-1988 Бланк спецификации: PIN-фотодиоды для оптоволоконных приложений.

Lithuanian Standards Office , Фотодиод

LST EN 120005-2001 Пустая подробная спецификация. Фотодиоды, фотодиодные матрицы (не предназначены для оптоволоконных применений)

Professional Standard - Electron, Фотодиод

SJ/T 2216-2015 Техническая спецификация фотодиода кремниевого
SJ/T 2354-2015 Методы измерения фотодиодов PIN、APD
SJ/T 2354-2015/0352 Методы измерения фотодиодов PIN、APD
SJ 2354.1-1983 Общие методики измерения электрических и оптических параметров PIN и лавинных фотодиодов
SJ/T 2214-2015 Методы измерения полупроводниковых фотодиодов и фототранзисторов
SJ 50033/102-1995 Детальная спецификация PIN-фотодиода InGaAs/InP типа GD 218
SJ 2354.5-1983 Метод измерения емкости PIN и лавинных фотодиодов
SJ 2354.3-1983 Метод измерения темнового тока PIN и лавинных фотодиодов
SJ 50033/112-1996 Оптоэлектронные устройства Scmiconductor. Детальная спецификация фотодиодов типа GD3251Y
SJ 50033/113-1996 Полупроводниковые оптоэлектронные приборы. Детальная спецификация фотодиодов типа GD3252Y
SJ 2354.6-1983 Метод измерения чувствительности PIN и лавинных фотодиодов
SJ 2354.13-1983 Метод измерения коэффициента умножения PIN и лавинных фотодиодов
SJ 2354.10-1983 Метод измерения коэффициента перекрестной освещенности матрицы PIN и лавинных фотодиодов
SJ 20644.1-2001 Полупроводниковые оптоэлектронные приборы Детальная спецификация PIN-фотодиода типа GD3550Y
SJ 20644.2-2001 Полупроводниковые оптоэлектронные приборы Детальная спецификация PIN-фотодиода типа GD101
SJ 2354.4-1983 Метод измерения прямого падения напряжения на PIN и лавинных фотодиодах
SJ 2354.14-1983 Метод измерения коэффициента избыточного шума PIN и лавинных фотодиодов
SJ 2354.2-1983 Метод измерения напряжения обратного пробоя PIN и лавинных фотодиодов
SJ 2354.11-1983 Метод измерения ширины слепой зоны ПИН и матрицы лавинного фотодиода
SJ 2354.9-1983 Метод измерения эквивалентной мощности помех PIN и лавинных фотодиодов
SJ 2354.7-1983 Метод измерения кривой спектрального отклика и диапазона спектрального отклика PIN и лавинных фотодиодов
SJ 2354.8-1983 Метод измерения времени нарастания и спада импульсов PIN и лавинных фотодиодов
SJ 2354.12-1983 Метод измерения температурного коэффициента напряжения обратного пробоя PIN и лавинных фотодиодов

Professional Standard - Machinery, Фотодиод

JB/T 5186-1991 Кремниевые фотодиоды для фотоаппаратов

Korean Agency for Technology and Standards (KATS), Фотодиод

KS C 6990-2001 Общие правила использования фотодиодов для оптоволоконной передачи
KS C 6991-2001 Методы испытаний фотодиодов для оптоволоконной передачи
KS C 6990-2013 ОБЩИЕ ПРАВИЛА О ФОТОДИОДАХ ДЛЯ ВОЛОКОННОЙ ПЕРЕДАЧИ
KS C 6991-2013 МЕТОДЫ ИСПЫТАНИЙ ФОТОДИОДОВ ДЛЯ ВОЛОКОННОЙ ПЕРЕДАЧИ
KS C 6990-2001(2011) ОБЩИЕ ПРАВИЛА О ФОТОДИОДАХ ДЛЯ ВОЛОКОННОЙ ПЕРЕДАЧИ
KS C 6991-2001(2011) МЕТОДЫ ИСПЫТАНИЙ ФОТОДИОДОВ ДЛЯ ВОЛОКОННОЙ ПЕРЕДАЧИ

British Standards Institution (BSI), Фотодиод

BS EN 120005:1986 Спецификация для гармонизированной системы оценки качества электронных компонентов. Бланк подробной спецификации. Фотодиоды, фотодиодные матрицы (не предназначены для оптоволоконных применений)
BS EN 120005:1993 Спецификация гармонизированной системы оценки качества электронных компонентов. Пустая подробная спецификация. Фотодиоды, фотодиодные матрицы (не предназначены для оптоволоконных применений)
BS IEC 60747-5-8:2019 Полупроводниковые приборы. Оптоэлектронные устройства. Светодиоды. Метод испытания оптоэлектронной эффективности светодиодов

Professional Standard - Post and Telecommunication, Фотодиод

YD/T 835-1996 Метод испытания лавинных фотодиодов

邮电部, Фотодиод

YD/T 0835-1996 Лавинный фотодиодный метод обнаружения

Japanese Industrial Standards Committee (JISC), Фотодиод

JIS C 5990:1997 Общие правила использования фотодиодов для оптоволоконной передачи
JIS C 5991:1997 Методы измерения фотодиодов для оптоволоконной передачи

CZ-CSN, Фотодиод

CSN 35 8761-1973 Полупроводниковые приборы. Фототранзисторы фотодиоды. Измерение фотоэлектрического тока
CSN 35 8762-1973 Полупроводниковые приборы. Фототранзисторы, фотодиоды. Измерение темнового тока

International Electrotechnical Commission (IEC), Фотодиод

IEC 60747-5-7:2016 Полупроводниковые приборы. Часть 5-7. Оптоэлектронные приборы. Фотодиоды и фототранзисторы.
IEC 60747-5-8:2019 Полупроводниковые приборы. Часть 5-8. Оптоэлектронные устройства. Светоизлучающие диоды. Метод испытания оптоэлектронной эффективности светоизлучающих диодов.

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, Фотодиод

GB/T 23729-2009 Фотодиоды для сцинтилляционных детекторов. Методика испытаний.

RO-ASRO, Фотодиод

STAS 12258/2-1984 Оптоэлектронные полупроводниковые приборы ПИОТОДИОДЫ Терминология и суть] Характеристики

GB-REG, Фотодиод

REG NASA-LLIS-1840--2006 Извлеченные уроки: Электрический отказ узла детектора лавинного фотодиода (APD) CALIPSO

未注明发布机构, Фотодиод

BS EN 120006:1993(1999) Спецификация Гармонизированной системы оценки качества электронных компонентов. Детальная спецификация бланка. Штыревые фотодиоды для волоконно-оптических приложений.