ZH
EN
ES

кремниевая подложка

кремниевая подложка, Всего: 22 предметов.

В международной стандартной классификации классификациями, относящимися к кремниевая подложка, являются: Полупроводниковые приборы, Полупроводниковые материалы, Материалы для аэрокосмического строительства, Цветные металлы, Аналитическая химия, Керамика.

Group Standards of the People's Republic of China, кремниевая подложка

T/CASAS 004.1-2018 Терминология дефектов как в подложках 4H-SiC, так и в эпи слоях.
T/CASAS 004.2-2018 Коллекция металлографов по дефектам как в подложках 4H-SiC, так и в эпиталях
T/CASAS 025-2023 Маркировка и размеры 8-дюймовой пластины из карбида кремния
T/CASAS 014-2021 Метод измерения изгиба базовой плоскости подложки SiC. Рентгеновская дифрактометрия высокого разрешения.

Professional Standard - Electron, кремниевая подложка

SJ/T 11865-2022 Подложка из карбида кремния n-типа диаметром 150 мм для силовых устройств
SJ/T 11493-2015 Метод испытаний для измерения концентрации азота в кремниевых подложках методом вторичной ионной масс-спектрометрии
SJ/T 11869-2022 Подробная спецификация кремниевой подложки, светодиодный чип белого света
SJ/T 11868-2022 Подробные характеристики кремниевых подложек синих светодиодных чипов
SJ/T 11867-2022 Подробные характеристики кремниевых подложек, светодиодов синего света малой мощности
SJ/T 11498-2015 Метод испытаний для измерения загрязнения кислородом сильнолегированных кремниевых подложек методом вторичной ионной масс-спектрометрии
SJ/T 11866-2022 Полупроводниковые оптоэлектронные устройства. Подробные характеристики кремниевых подложек мощных светодиодов белого света.
SJ/T 11864-2022 Полуизолирующая монокристаллическая подложка из карбида кремния

British Standards Institution (BSI), кремниевая подложка

BS IEC 63229:2021 Полупроводниковые приборы. Классификация дефектов эпитаксиальной пленки нитрида галлия на подложке карбида кремния
18/30386543 DC BS EN 63229 Ред.1.0. Полупроводниковые приборы. Классификация дефектов эпитаксиальных пластин нитрида галлия на подложке карбида кремния
19/30404655 DC BS EN IEC 63229. Полупроводниковые приборы. Классификация дефектов эпитаксиальной пленки нитрида галлия на подложке карбида кремния

Society of Automotive Engineers (SAE), кремниевая подложка

SAE AMS3673B-1997 Ткань, стеклянно-алюминиевая лицевая панель, задняя часть из силиконовой резины

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, кремниевая подложка

GB/T 24580-2009 Метод испытаний для измерения загрязнения бором сильнолегированных кремниевых подложек n-типа методом вторичной ионной масс-спектрометрии

International Electrotechnical Commission (IEC), кремниевая подложка

IEC 63229:2021 Полупроводниковые приборы. Классификация дефектов эпитаксиальной пленки нитрида галлия на подложке из карбида кремния.

Professional Standard - Non-ferrous Metal, кремниевая подложка

YS/T 839-2012 Метод испытаний для измерения толщины изолятора и показателя преломления на кремниевых подложках методом эллипсометрии

American Society for Testing and Materials (ASTM), кремниевая подложка

ASTM F576-00 Стандартный метод испытаний для измерения толщины изолятора и показателя преломления на кремниевых подложках методом эллипсометрии

International Organization for Standardization (ISO), кремниевая подложка

ISO 23170:2022 Химический анализ поверхности. Профилирование по глубине. Неразрушающее профилирование по глубине наноразмерных тонких пленок оксидов тяжелых металлов на подложках Si с рассеянием ионов средней энергии.

Korean Agency for Technology and Standards (KATS), кремниевая подложка

KS L 2107-1999 Методы испытаний адгезии кремнеземного покрытия к стеклянной подложке