ZH
EN
ES

УФ полупроводник

УФ полупроводник, Всего: 500 предметов.

В международной стандартной классификации классификациями, относящимися к УФ полупроводник, являются: Оптика и оптические измерения, Оптоэлектроника. Лазерное оборудование, Аналитическая химия, Интегральные схемы. Микроэлектроника, Керамика, Полупроводниковые приборы, Аэрокосмическое электрооборудование и системы, Полупроводниковые материалы, Медицинское оборудование, Неорганические химикаты, Радиационная защита, Оптоволоконная связь, Механические конструкции электронного оборудования, Выпрямители. Конвертеры. Стабилизированный источник питания, Продукция химической промышленности, Применение информационных технологий, Технические рисунки, Электронные компоненты в целом, Уплотнения, сальники, Сельское и лесное хозяйство, Графические символы, Печатные схемы и платы, Словари, Экологические испытания, Ветеринария, Электрические провода и кабели, Системы промышленной автоматизации, Физика. Химия, Измерения радиации, Электромеханические компоненты электронного и телекоммуникационного оборудования, Топливо.

Association Francaise de Normalisation, УФ полупроводник

NF ISO 10677:2011 Техническая керамика - источники УФ-излучения для тестирования полупроводниковых фотокаталитических материалов
NF B44-103*NF ISO 10677:2011 Тонкая керамика (современная керамика, усовершенствованная техническая керамика) - Источник ультрафиолетового света для тестирования полупроводниковых фотокаталитических материалов.
NF C96-045:1992 Полупроводниковые приборы. Интегральные схемы. Часть 11. Спецификация секций полупроводниковых интегральных схем, за исключением гибридных схем.
NF C86-503:1986 Полупроводниковые приборы. Гармонизированная система оценки качества электронных компонентов. Фототранзисторы, фототранзисторы фотодарлингтона и фототранзисторы. Спецификация пустой детали CECC 20 003.
NF S11-698:1998 Офтальмологическая оптика. Контактные линзы. Старение под воздействием УФ и видимого излучения (метод in vitro).
NF C96-005-5*NF EN IEC 60747-5-5:2020 Полупроводниковые приборы. Часть 5-5: Оптоэлектронные устройства. Фотопары.
NF EN IEC 60747-5-5:2020 Полупроводниковые приборы. Часть 5-5. Оптоэлектронные устройства. Фотопары.
NF C96-013-4/A2*NF EN 60191-4/A2:2003 Механическая стандартизация полупроводниковых приборов. Часть 4: система кодирования и классификация по формам контуров корпусов полупроводниковых приборов.
NF C96-013-4*NF EN 60191-4:2014 Механическая стандартизация полупроводниковых приборов. Часть 4. Система кодирования и классификация по формам контуров корпусов полупроводниковых приборов.
NF EN 60191-6:2011 Механическая стандартизация полупроводниковых приборов. Часть 6. Общие правила оформления габаритных чертежей корпусов полупроводниковых приборов поверхностного монтажа.
NF C93-801-2*NF EN 62007-2:2009 Полупроводниковые оптоэлектронные устройства для применения в волоконно-оптических системах. Часть 2: методы измерения.
NF C96-013-4*NF EN 60191-4:2000 Механическая стандартизация полупроводниковых приборов. Часть 4: система кодирования и классификация по формам контуров корпусов полупроводниковых приборов.
NF C96-013-4/A1*NF EN 60191-4/A1:2002 Механическая стандартизация полупроводниковых приборов. Часть 4: система кодирования и классификация по формам контуров корпусов полупроводниковых приборов.
NF C96-013-6*NF EN 60191-6:2011 Механическая стандартизация полупроводниковых приборов. Часть 6. Общие правила подготовки габаритных чертежей корпусов полупроводниковых приборов поверхностного монтажа.
NF C96-013-4/A1*NF EN 60191-4/A1:2018 Механическая стандартизация полупроводниковых приборов. Часть 4. Система кодирования и классификация по формам контуров корпусов полупроводниковых приборов.
NF EN 17178:2019 Жидкие нефтепродукты. Определение содержания летучей серы в сжиженных нефтяных газах методом ультрафиолетовой флуоресцентной спектроскопии.
NF C96-005-5/A1*NF EN 60747-5-5/A1:2015 Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Часть 5-5. Оптоэлектронные устройства. Фотопары.
NF C96-005-5*NF EN 60747-5-5:2012 Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Часть 5-5. Оптоэлектронные устройства. Фотопары.
XP CEN/TS 16599:2014 Фотокатализ - определение условий облучения для проверки фотокаталитических свойств полупроводниковых материалов.
NF EN 62007-2:2009 Оптоэлектронные полупроводниковые приборы для применения в волоконно-оптических системах. Часть 2: методы измерения

国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会, УФ полупроводник

GB/T 37131-2018 Нанотехнологии - метод испытания полупроводникового нанопорошка с использованием спектроскопии диффузного отражения УФ-ВИД.
GB/T 7092-2021 Габаритные размеры полупроводниковых интегральных схем
GB/T 15879.4-2019 Механическая стандартизация полупроводниковых устройств. Часть 4. Система кодирования и классификация по формам контуров корпусов полупроводниковых устройств.
GB/T 36358-2018 Полупроводниковые оптоэлектронные приборы. Бланк спецификации на силовые светодиоды.
GB/T 39771.2-2021 Оптическая радиационная безопасность светодиодов. Часть 2. Методы измерения.
GB/T 21548-2021 Методы измерения быстродействующих полупроводниковых лазеров с прямой модуляцией для волоконно-оптических систем связи
GB/T 36646-2018 Оборудование для получения нитридных полупроводниковых материалов методом газофазной эпитаксии гидридов

Professional Standard - Electron, УФ полупроводник

SJ/T 11818.2-2022 Полупроводниковые УФ-излучающие диоды. Часть 2. Технические характеристики чипа
SJ/T 11818.3-2022 Полупроводниковые ультрафиолетовые диоды часть 3: характеристики устройства
SJ/T 11818.1-2022 Полупроводниковые УФ-диоды. Часть 1. Методы испытаний.
SJ 2684-1986 Физические размеры светоизлучающего устройства из полупроводника
SJ 2247-1982 Контурные размеры полупроводниковых оптоэлектронных приборов
SJ 2750-1987 Габаритные размеры полупроводниковых лазерных диодов
SJ 2658.1-1986 Методы измерения полупроводниковых инфракрасных диодов Общие правила
SJ 20744-1999 Общие правила спектрального анализа инфракрасного поглощения на концентрацию примесей в полупроводниковых материалах
SJ 50033/109-1996 Полупроводниковые оптоэлектронные приборы. Детальная спецификация полупроводниковых лазерных диодов типов GJ9031T и GJ9032T и GJ9034T.
SJ/T 11397-2009 Люминофоры для светодиодов
SJ 20642-1997 Полупроводниковый оптоэлектронный модуль Общие технические условия
SJ 20786-2000 Общие технические условия на полупроводниковые оптоэлектронные сборки
SJ 2218-1982 Полупроводниковые фотопары в диодном режиме
SJ 2219-1982 Полупроводниковые фотопары в транзисторном режиме
SJ 2658.6-1986 Методы измерения полупроводниковых инфракрасных диодов Методы измерения выходной оптической мощности
SJ 20072-1992 Подробная спецификация полупроводниковых оптопар типа GH24, GH25 и GH26.
SJ 50033/110-1996 Полупроводниковые оптоэлектронные приборы. Детальная спецификация на инфракрасный светодиод типа GR9413.
SJ 53930/1-2002 Полупроводниковые оптоэлектронные приборы Детальная спецификация инфракрасного диода типа GR8813
SJ 2658.4-1986 Методы измерения полупроводниковых инфракрасных диодов Методы измерения емкости
SJ 2658.12-1986 Методы измерения полупроводниковых инфракрасных диодов Методы измерения пиковой длины волны излучения и полуширины спектра
SJ 2220-1982 Полупроводниковые фотопары в режиме транзистора Дарлингтона
SJ 2558-1984 Подробная спецификация полупроводниковых светоизлучающих цифровых дисплеев типа SM1~18.
SJ 2658.2-1986 Методы измерения полупроводниковых инфракрасных диодов Методы измерения прямого падения напряжения
SJ 2658.3-1986 Методы измерения полупроводниковых инфракрасных диодов Методы измерения обратного напряжения
SJ/T 2215-2015 Методы измерения полупроводниковых фотопар
SJ 2749-1987 Метод измерения полупроводниковых лазерных диодов
SJ 2214.1-1982 Общие методики измерений полупроводниковых фотодиодов и фототранзисторов
SJ/T 11394-2009 Методы измерения полупроводниковых светодиодов
SJ/T 2214-2015 Методы измерения полупроводниковых фотодиодов и фототранзисторов
SJ 2658.7-1986 Методы измерения полупроводниковых инфракрасных диодов Методы измерения лучистого потока
SJ 2658.10-1986 Методы измерения полупроводниковых инфракрасных диодов Методы измерения модулированных широкополосных диодов
SJ/T 11856.3-2022 Технические характеристики полупроводниковых лазерных чипов для оптоволоконной связи. Часть 3. Полупроводниковые лазерные чипы с модуляцией электрического поглощения для источников света
SJ 2355.1-1983 Общие методики измерений светоизлучающих устройств
SJ 2215.1-1982 Общие процедуры измерения полупроводниковых фотопар
SJ/T 11856.2-2022 Технические характеристики полупроводниковых лазерных чипов для оптоволоконной связи. Часть 2. Полупроводниковые лазерные чипы с вертикальным резонатором для источников света.
SJ 2658.13-1986 Методы измерения полупроводниковых инфракрасных диодов Методы измерения температурного коэффициента выходной оптической мощности
SJ/T 2658.16-2016 Метод измерения полупроводникового инфракрасного диода. Часть 16: Эффективность фотоэлектрического преобразования.
SJ 50923/2-1995 Детальная спецификация на металлический корпус типа Г2-01Б-М1,Г2-01Б-З1 для полупроводниковых светочувствительных приборов
SJ 2658.8-1986 Методы измерения полупроводниковых инфракрасных диодов Методы измерения нормальной яркости
SJ 50033.40-1994 Подробная спецификация полупроводникового кремниевого NPN фототранзистора типа GT11
SJ 50033/4-1994 Прибор полупроводниковый дискретный. Детальная спецификация на диоды полупроводниковые красные светодиоды типа ГФ 111 классов ГП и ГТ.
SJ 50033/6-1994 Прибор полупроводниковый дискретный. Детальная спецификация на диоды полупроводниковые светло-зеленые типа ГФ 411 классов ГП и ГТ.
SJ 50033/5-1994 Прибор полупроводниковый дискретный. Детальная спецификация на диоды полупроводниковые желтые светодиоды типа ГФ 311 классов ГП и ГТ.
SJ 50033/3-1994 Полупроводниковые дискретные устройства. Детальная спецификация полупроводниковых оптопар типа GH21, GH22 и GH23 классов GP, GT и GCT.
SJ 2214.10-1982 Метод измерения светового тока полупроводниковых фотодиодов и фототранзисторов
SJ 20642.5-1998 Полупроводниковый оптоэлектронный модуль Детальная спецификация оптопар типа GH82
SJ 20642.4-1998 Полупроводниковый оптоэлектронный модуль Подробная спецификация оптопар типа GH81
SJ 20642.6-1998 Полупроводниковый оптоэлектронный модуль Детальная спецификация оптопар типа GH83
SJ/T 11402-2009 Технические характеристики полупроводникового лазерного чипа, используемого в оптоволоконной связи
SJ 2658.5-1986 Методы измерения полупроводниковых инфракрасных диодов Методы измерения прямого последовательного сопротивления
SJ 2658.11-1986 Методы измерения полупроводниковых инфракрасных диодов Методы измерения импульсных характеристик
SJ 50923/1-1995 Подробная спецификация для типов A6-02A-M2(Z2) и A6-01B-M1(Z1) металлический корпус для полупроводниковых фотопар
SJ/T 11399-2009 Методы измерения микросхем светодиодов
SJ/T 11401-2009 Серийная программа для полупроводниковых светодиодов
SJ 50033/111-1996 Полупроводниковые оптоэлектронные приборы. Спецификация Delail для фототранзистора Si типа GT16.NPN
SJ 50033/41-1994 Подробная спецификация полупроводникового инфракрасного светодиода типа GR9414
SJ 2658.9-1986 Методы измерения полупроводниковых инфракрасных диодов Методы измерения пространственного распределения интенсивности и угла половинной интенсивности излучения
SJ/T 11067-1996 Обычно используемая терминология для полупроводниковых фотоэлектрических материалов и пироэлектрических материалов в материалах для обнаружения инфракрасного излучения.
SJ 2355.5-1983 Метод измерения силы света и угла половинной силы света светоизлучающих устройств
SJ/Z 3206.13-1989 Общие правила анализа спектра излучения полупроводниковых материалов
SJ 50033/101-1995 Подробная спецификация полупроводниковых лазерных диодных модулей типа GJ1325
SJ 50033/35-1994 Подробная спецификация полупроводниковой высокоскоростной оптопары типа GH30
SJ 2355.7-1983 Метод измерения пиковой длины волны излучения и спектральной полосы пропускания излучения светоизлучающих устройств
SJ/Z 9021.4-1987 Механическая стандартизация полупроводниковых компонентов. Часть 4. Классификация и система кодирования контуров корпусов полупроводниковых компонентов.
SJ/T 10308-1992 Подробная спецификация плоского керамического корпуса для полупроводниковых интегральных схем
SJ/T 10176-1991 Детальная спецификация металлического ромбовидного корпуса для полупроводниковых интегральных схем
SJ/T 11856.1-2022 Технические характеристики полупроводниковых лазерных чипов для оптоволоконной связи. Часть 1. Источник света Фабри-Перо и полупроводниковые лазерные чипы с распределенной обратной связью.
SJ 50033/112-1996 Оптоэлектронные устройства Scmiconductor. Детальная спецификация фотодиодов типа GD3251Y
SJ 2355.6-1983 Метод измерения светового потока светоизлучающих устройств
SJ 50033/113-1996 Полупроводниковые оптоэлектронные приборы. Детальная спецификация фотодиодов типа GD3252Y
SJ 2214.3-1982 Метод измерения темнового тока полупроводниковых фотодиодов
SJ 2214.5-1982 Метод измерения емкости перехода полупроводниковых фотодиодов
SJ 2214.8-1982 Метод измерения напряжения темнового тока полупроводниковых фототранзисторов
SJ/T 11398-2009 Техническая спецификация на силовые светодиодные чипы
SJ 20642.3-1998 Полупроводниковый оптоэлектронный модуль Детальная спецификация оптоприемного модуля PIN-FET типа GD83
SJ 20644.1-2001 Полупроводниковые оптоэлектронные приборы Детальная спецификация PIN-фотодиода типа GD3550Y
SJ 20644.2-2001 Полупроводниковые оптоэлектронные приборы Детальная спецификация PIN-фотодиода типа GD101
SJ 20642.2-1998 Полупроводниковый оптоэлектронный модуль Детальная спецификация оптоприемного модуля PIN-FET типа GD82
SJ 2214.2-1982 Метод измерения прямого напряжения полупроводниковых фотодиодов
SJ 2214.7-1982 Метод измерения напряжения насыщения полупроводниковых фототранзисторов
SJ 20957-2006 Общие спецификации для массива полупроводниковых лазерных диодов большой мощности
SJ 20786.1-2002 Полупроводниковая фотоэлектрическая сборка Детальная спецификация миниатюрного дуплексного фотоэлектрического прицела типа CBGS 2301
SJ 50033/136-1997 Полупроводниковые оптоэлектронные приборы. Детальная спецификация на красный светодиод типа ГФ116
SJ 50033/143-1999 Полупроводниковые оптоэлектронные приборы. Детальная спецификация красного диода типа GF1120.
SJ 50033/137-1997 Полупроводниковые оптоэлектронные приборы. Детальная спецификация на светодиод оранжево-красный светодиод типа ГФ216
SJ 20642.1-1998 Полупроводниковый оптоэлектронный модуль Детальная спецификация оптоприемного модуля PIN-FET типа GD81
SJ/T 11405-2009 Полупроводниковые оптоэлектронные устройства для применения в волоконно-оптических системах. Часть 2: Методы измерения.
SJ 50033/139-1998 Полупроводниковые оптоэлектронные приборы. Детальная спецификация на зеленый светодиод типа ГФ4111
SJ 50033/138-1998 Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Детальная спецификация на светодиод желтый типа ГФ318
SJ 50033/58-1995 Полупроводниковый оптоэлектронный прибор Детальная спецификация зеленого светодиода типа GF413
SJ/T 11393-2009 Полупроводниковые оптоэлектронные приборы. Бланк спецификации на силовые светодиоды.
SJ 50033/142-1999 Полупроводниковые оптоэлектронные приборы. Детальная спецификация зеленого диода типа GF4112.
SJ 50033/57-1995 Полупроводниковый оптоэлектронный прибор Детальная спецификация красного светодиода типа GF115
SJ/T 10307-1992 Подробная спецификация плоского керамического корпуса с фриттовым уплотнением для полупроводниковых интегральных схем
SJ 2757-1987 Метод измерения инфракрасным отражением концентрации носителей заряда в сильнолегированных полупроводниках
SJ 51420/1-1996 Подробная спецификация керамического DIP типа D для полупроводниковых интегральных схем
SJ 51420/2-1998 Подробная спецификация керамического FP типа F для полупроводниковых интегральных схем
SJ 51420/3-2003 Подробная спецификация керамического PGA для полупроводниковых интегральных схем
SJ/T 11866-2022 Полупроводниковые оптоэлектронные устройства. Подробные характеристики кремниевых подложек мощных светодиодов белого света.
SJ/T 11400-2009 Полупроводниковые оптоэлектронные устройства. Бланк спецификации на светодиоды малой мощности.
SJ 2215.6-1982 Метод измерения емкости перехода полупроводниковых фотопар (диодов)
SJ 2215.8-1982 Метод измерения выходного напряжения насыщения полупроводниковых фотопар (диодов)
SJ/T 2658.1-2015 Метод измерения полупроводниковых инфракрасных диодов. Часть 1: Общие сведения
SJ 20074-1992 Подробные характеристики интерфейса программируемого периферийного оборудования Jμ8305 полупроводниковой интегральной схемы
SJ/T 2658.12-2015 Метод измерения полупроводниковых инфракрасных диодов. Часть 12: Пиковая длина волны излучения и спектральная полоса излучения.
SJ 50033/99-1995 Полупроводниковые оптоэлектронные приборы. Подробная спецификация двухцветного светодиода o/G для типа GF511.
SJ 20642.7-2000 Полупроводниковые оптоэлектронные приборы Детальная спецификация светодиодного модуля типа GR1325J
SJ/T 11817-2022 Бланк рабочей спецификации на светодиоды для полупроводниковых оптоэлектронных приборов, ламп накаливания
SJ 2215.14-1982 Метод измерения напряжения изоляции вход-выход полупроводниковых фотопар
SJ 2215.3-1982 Метод измерения прямого тока полупроводниковых фотопар (диодов)
SJ 2214.4-1982 Метод измерения напряжения обратного пробоя полупроводниковых фотодиодов
SJ 2215.4-1982 Метод измерения обратного тока полупроводниковых фотопар (диодов)
SJ 2215.10-1982 Метод измерения коэффициента передачи постоянного тока полупроводниковых фотопар
SJ 2215.12-1982 Метод измерения входной-выходной емкости полупроводниковых фотопар
SJ 50033/114-1996 Полупроводниковые оптоэлектронные приборы. Детальная спецификация позиционно-чувствительного детектора типа GD3283Y

Korean Agency for Technology and Standards (KATS), УФ полупроводник

KS D 2717-2008(2018) Оценка соотношения металл/полупроводник в саже одностенных углеродных нанотрубок с использованием УФ-ВИД-БИК-спектроскопии поглощения
KS C 6942-1999 Общие правила использования лазерных диодных модулей для оптоволоконной передачи
KS C 6943-1999 Методы испытаний лазерных модулей волоконно-оптической передачи данных
KS C IEC 60748-11:2004 Полупроводниковые приборы. Интегральные схемы. Часть 11. Технические характеристики полупроводниковых интегральных схем, за исключением гибридных схем.
KS C IEC 60748-2-9:2002 Полупроводниковые приборы－Интегральные схемы－Часть 2:Цифровые интегральные схемы－Раздел 9:Пустые подробные спецификации для МОП-стираемых электрически программируемых постоянных запоминающих устройств, работающих в ультрафиолетовом свете
KS C IEC 60748-2-9-2002(2017) Полупроводниковые приборы－Интегральные схемы－Часть 2:Цифровые интегральные схемы－Раздел 9:Пустые подробные спецификации для МОП-стираемых электрически программируемых постоянных запоминающих устройств, работающих в ультрафиолетовом свете
KS C IEC 60748-2-9-2002(2022) Полупроводниковые приборы－Интегральные схемы－Часть 2:Цифровые интегральные схемы－Раздел 9:Пустые подробные спецификации для МОП-стираемых электрически программируемых постоянных запоминающих устройств, работающих в ультрафиолетовом свете
KS C IEC 62007-2:2003 Полупроводниковые оптоэлектронные устройства для применения в волоконно-оптических системах. Часть 2: Методы измерения.
KS C IEC 60748-11-1:2004 Полупроводниковые приборы. Интегральные схемы. Часть 11. 1. Внутренний визуальный осмотр полупроводниковых интегральных схем, за исключением гибридных схем.
KS C IEC 60747-5:2020 Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Часть 5. Оптоэлектронные устройства.
KS C IEC PAS 62240-2008(2018) Использование полупроводниковых приборов за пределами указанного производителем температурного диапазона.
KS C IEC 62007-2-2003(2018) Полупроводниковые оптоэлектронные устройства для применения в волоконно-оптических системах. Часть 2. Методы измерения

British Standards Institution (BSI), УФ полупроводник

BS ISO 10677:2011 Тонкая керамика (современная керамика, современная техническая керамика). Источник ультрафиолетового света для тестирования полупроводниковых фотокаталитических материалов
BS IEC 60747-5-4:2022 Полупроводниковые приборы - Оптоэлектронные приборы. Полупроводниковые лазеры
BS IEC 60747-5-4:2006 Полупроводниковые приборы - Дискретные приборы - Оптоэлектронные приборы - Полупроводниковые лазеры
BS IEC 60747-14-11:2021 Полупроводниковые приборы - Полупроводниковые датчики. Метод испытаний интегральных датчиков на основе поверхностных акустических волн для измерения ультрафиолета, освещенности и температуры
19/30404095 DC БС ЕН МЭК 60747-5-4. Полупроводниковые приборы. Часть 5-4. Оптоэлектронные устройства. Полупроводниковые лазеры
23/30473272 DC BS IEC 60747-5-4 AMD 1. Приборы полупроводниковые. Часть 5-4. Оптоэлектронные устройства. Полупроводниковые лазеры
18/30362458 DC БС МЭК 60747-14-11. Полупроводниковые приборы. Часть 14-11. Полупроводниковые датчики. Метод испытаний встроенного датчика на основе поверхностных акустических волн для измерения ультрафиолета, освещенности и температуры
19/30390371 DC БС МЭК 60747-14-11. Полупроводниковые приборы. Часть 14-11. Полупроводниковые датчики. Метод испытаний встроенного датчика на основе поверхностных акустических волн для измерения ультрафиолета, освещенности и температуры
BS EN IEC 60747-5-5:2020 Полупроводниковые приборы. Оптоэлектронные устройства. Фотопары
BS IEC 60748-11:2000 Полупроводниковые приборы. Интегральные схемы. Спецификация разделов полупроводниковых интегральных схем, за исключением гибридных схем.
BS IEC 60748-11:1991 Полупроводниковые приборы. Интегральные схемы. Спецификация по секциям полупроводниковых интегральных схем, за исключением гибридных схем
BS EN 62007-2:2000 Полупроводниковые оптоэлектронные устройства для применения в волоконно-оптических системах. Методы измерения
BS EN ISO 11985:1998 Офтальмологическая оптика - Контактные линзы - Старение под воздействием УФ и видимого излучения (метод in vitro)
BS EN 62007-2:2009 Полупроводниковые оптоэлектронные устройства для применения в волоконно-оптических системах. Методы измерения
PD IEC TR 61292-9:2023 Отслеживаемые изменения. Оптические усилители. Полупроводниковые оптические усилители (SOA)
BS EN 60191-4:2014 Механическая стандартизация полупроводниковых приборов. Система кодирования и классификация по формам контуров корпусов полупроводниковых приборов
BS EN 60191-4:2014+A1:2018 Механическая стандартизация полупроводниковых приборов. Система кодирования и классификация по формам контуров корпусов полупроводниковых приборов.
BS ISO 17915:2018 Оптика и фотоника. Метод измерения полупроводниковых лазеров для зондирования
BS EN 60747-5-5:2011 Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Оптоэлектронные устройства. Фотопары
BS EN 60191-6:2010 Механическая стандартизация полупроводниковых приборов. Общие правила оформления габаритных чертежей корпусов полупроводниковых приборов поверхностного монтажа
BS EN 60191-6:2005 Механическая стандартизация полупроводниковых приборов. Общие правила составления габаритных чертежей корпусов полупроводниковых приборов поверхностного монтажа.
BS EN 60191-6:2004 Механическая стандартизация полупроводниковых приборов. Часть 6. Общие правила подготовки габаритных чертежей корпусов полупроводниковых приборов поверхностного монтажа.
BS EN 60191-6:2009 Механическая стандартизация полупроводниковых приборов. Общие правила составления габаритных чертежей корпусов полупроводниковых приборов поверхностного монтажа.
BS EN 62007-1:2000 Полупроводниковые оптоэлектронные устройства для применения в волоконно-оптических системах. Основные номиналы и характеристики
BS QC 790106:1995 Спецификация гармонизированной системы оценки качества электронных компонентов. Полупроводниковые приборы. Интегральные схемы. Цифровые интегральные схемы. Пустая подробная спецификация. МОП стираемый в ультрафиолетовом свете, электрически программируемый, только для чтения...
BS IEC 60747-18-4:2023 Полупроводниковые приборы - Полупроводниковые биосенсоры. Методика оценки шумовых характеристик безлинзовых КМОП-матриц фотонных датчиков
BS EN 60191-6-18:2010 Механическая стандартизация полупроводниковых приборов. Общие правила оформления габаритных чертежей корпусов полупроводниковых приборов поверхностного монтажа. Руководство по проектированию массива шариковых решеток (BGA)
BS IEC 60747-18-2:2020 Полупроводниковые приборы. Полупроводниковые биосенсоры. Процесс оценки безлинзовых модулей фотонного матричного датчика КМОП
BS IEC 60747-18-5:2023 Полупроводниковые приборы - Полупроводниковые биосенсоры. Метод оценки характеристик светочувствительности безлинзовых модулей фотонных матриц КМОП по углу падения света
BS EN 61207-7:2014 Выражение производительности газоанализаторов. Перестраиваемые полупроводниковые лазерные газоанализаторы
BS EN 61207-7:2013 Выражение производительности газоанализаторов. Перестраиваемые полупроводниковые лазерные газоанализаторы
BS EN 60191-6-21:2010 Механическая стандартизация полупроводниковых приборов. Общие правила оформления габаритных чертежей корпусов полупроводниковых приборов поверхностного монтажа. Методы измерения размеров упаковок малого размера (СОП)
PD IEC TR 60747-5-12:2021 Полупроводниковые приборы. Оптоэлектронные устройства. Светодиоды. Метод испытания эффективности светодиодов
BS PD ISO/TS 17466:2015 Использование абсорбционной спектроскопии УФ-ВИД для характеристики коллоидных квантовых точек халькогенида кадмия
PD ISO/TS 17466:2015 Использование абсорбционной спектроскопии УФ-ВИД для характеристики коллоидных квантовых точек халькогенида кадмия
BS EN 60191-6-10:2003 Механическая стандартизация полупроводниковых приборов. Часть 6-10: Общие правила подготовки габаритных чертежей корпусов полупроводниковых приборов поверхностного монтажа. Размеры P-VSON
BS IEC 60747-5-1:1998 Дискретные полупроводниковые приборы и интегральные схемы. Оптоэлектронные устройства. Общий
BS EN 60747-5-1:1998 Дискретные полупроводниковые приборы и интегральные схемы. Оптоэлектронные устройства. Общий
BS EN 60747-5-1:2001 Дискретные полупроводниковые приборы и интегральные схемы. Оптоэлектронные устройства. Общие сведения.
BS EN 14255-4:2006 Измерение и оценка индивидуального воздействия некогерентного оптического излучения. Терминология и величины, используемые при измерениях УФ-, видимого и ИК-излучения.
PD IEC/PAS 62240:2001 Использование полупроводниковых приборов за пределами указанных производителем температурных диапазонов.
BS EN 60749-3:2017 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Внешний визуальный осмотр
BS IEC 63229:2021 Полупроводниковые приборы. Классификация дефектов эпитаксиальной пленки нитрида галлия на подложке карбида кремния
BS IEC 60747-18-3:2019 Полупроводниковые приборы. Полупроводниковые биосенсоры. Характеристики потока жидкости безлинзовых модулей фотонных матриц КМОП с жидкостной системой
BS IEC 60747-18-1:2019 Полупроводниковые приборы. Полупроводниковые биосенсоры. Метод испытаний и анализ данных для калибровки безлинзовых фотонных матриц КМОП
BS IEC 63068-3:2020 Полупроводниковые приборы. Критерии неразрушающего распознавания дефектов гомоэпитаксиальной пластины карбида кремния для силовых устройств - Метод контроля дефектов с использованием фотолюминесценции
BS EN 17178:2019 Жидкие нефтепродукты. Определение содержания общей летучей серы в сжиженных нефтяных газах методом ультрафиолетовой флуоресцентной спектроскопии

KR-KS, УФ полупроводник

KS L ISO 10677-2023 Тонкая керамика (современная керамика, усовершенствованная техническая керамика) — источник ультрафиолетового света для тестирования полупроводниковых фотокаталитических материалов.
KS C IEC 60747-5-2020 Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Часть 5. Оптоэлектронные устройства.

Military Standard of the People's Republic of China-General Armament Department, УФ полупроводник

GJB 33/15-2011 Полупроводниковый оптоэлектронный прибор. Детальная спецификация полупроводникового инфракрасного диода типа ВТ401.
GJB 8190-2015 Общие технические условия на полупроводниковые твердотельные источники света для наружного освещения самолетов
GJB 33/16-2011 Полупроводниковый оптоэлектронный прибор. Детальная спецификация на полупроводниковый фототранзистор типа 3ДУ32.
GJB 33/17-2011 Полупроводниковый оптоэлектронный прибор. Детальная спецификация полупроводниковой фотопары типа ГО11
GJB/Z 41.3-1993 Военные полупроводниковые дискретные устройства, спектральные полупроводниковые оптоэлектронные устройства
GJB 33/18-2011 Полупроводниковый оптоэлектронный прибор. Подробная спецификация двунаправленного аналогового переключателя полупроводниковой фотопары типа GO417.
GJB 1420A-1999 Общие спецификации корпусов полупроводниковых интегральных схем
GJB 8121-2013 Общие технические условия на полупроводниковые оптоэлектронные сборки
GJB 8120-2013 Общие технические условия на полупроводниковый оптоэлектронный модуль
GJB 3519-1999 Общие характеристики полупроводниковых лазерных диодов
GJB 1420B-2011 Общие технические условия на корпуса полупроводниковых интегральных схем
GJB 923A-2004 Общие технические условия на корпуса полупроводниковых дискретных приборов
GJB 923B-2021 Общие спецификации для корпусов полупроводниковых дискретных устройств
GJB 8119-2013 Общие технические условия на полупроводниковые оптоэлектронные устройства
GJB 2146A-2011 Общие технические условия на полупроводниковые светодиодные приборы
GJB 1934-1994 Общие технические условия на полужесткие коаксиальные радиочастотные кабели со гофрированными внешними жилами
GJB 1557A-2021 Размеры СВЧ-диода полупроводникового дискретного устройства
GJB 1557-1992 Размеры СВЧ-диода полупроводникового дискретного устройства
GJB 1934A-2009 Кабели, частотные, коаксиальные, полужесткие, с гофрированным внешним проводником, общие спецификации для
GJB 1420/1-2000 Подробная спецификация керамических двухрядных корпусов для полупроводниковых интегральных схем
GJB 33/20-2011 Полупроводниковый оптоэлектронный прибор. Детальная спецификация фотопары типа GH302.
GJB 33/22-2011 Полупроводниковый оптоэлектронный прибор. Детальная спецификация фотопары типа ГО103
GJB 1420B-2011(XG1-2015) Лист изменений общих технических характеристик корпусов полупроводниковых интегральных схем 1-2015
GJB 33/21-2011 Полупроводниковый оптоэлектронный прибор. Детальная спецификация копировального аппарата серии GD310A
GJB 33/23-2011 Полупроводниковый оптоэлектронный прибор. Детальная спецификация фотопары типа GH3201Z-4
GJB 33/19-2011 Полупроводниковый оптоэлектронный прибор. Детальная спецификация фотопары типа GH302-4
GJB 5018-2001 Общие требования к проверке и приемке полупроводниковых оптоэлектронных приборов

Society of Automotive Engineers (SAE), УФ полупроводник

SAE AIR5468-2000 Ультрафиолетовые (УФ) лазеры для маркировки проводов в аэрокосмической отрасли

International Electrotechnical Commission (IEC), УФ полупроводник

IEC 60747-5-4:2022 Полупроводниковые приборы. Часть 5-4. Оптоэлектронные устройства. Полупроводниковые лазеры.
IEC 60747-5-4:2006 Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Часть 5-4. Оптоэлектронные устройства. Полупроводниковые лазеры.
IEC 60747-14-11:2021 Полупроводниковые приборы. Часть 14-11. Полупроводниковые датчики. Метод испытаний интегрированных датчиков на основе поверхностных акустических волн для измерения ультрафиолета, освещенности и температуры.
IEC TR 61292-9:2013 Оптические усилители. Часть 9. Полупроводниковые оптические усилители (SOA)
IEC TR 61292-9:2023 RLV Оптические усилители. Часть 9. Полупроводниковые оптические усилители (SOA)
IEC TR 61292-9:2023 Оптические усилители. Часть 9. Полупроводниковые оптические усилители (SOA)
IEC 60191-4:2013+AMD1:2018 CSV Механическая стандартизация полупроводниковых приборов. Часть 4. Система кодирования и классификация по формам контуров корпусов полупроводниковых приборов.
IEC 60747-5-7:2016 Полупроводниковые приборы. Часть 5-7. Оптоэлектронные приборы. Фотодиоды и фототранзисторы.
IEC 60747-5-6:2016 Полупроводниковые приборы. Часть 5-6. Оптоэлектронные приборы. Светодиоды.
IEC 60747-5-6:2021 Полупроводниковые приборы. Часть 5-6. Оптоэлектронные приборы. Светодиоды.
IEC 60191-4:2002 Механическая стандартизация полупроводниковых приборов. Часть 4. Система кодирования и классификация по формам контуров корпусов полупроводниковых приборов.
IEC 60191-4:1987 Механическая стандартизация полупроводниковых приборов. Часть 4. Система кодирования и классификация по формам корпусов полупроводниковых приборов.
IEC 62007-2:1997 Полупроводниковые оптоэлектронные устройства для применения в волоконно-оптических системах. Часть 2. Методы измерения.
IEC 60747-5-6:2021 RLV Полупроводниковые приборы. Часть 5-6. Оптоэлектронные приборы. Светодиоды.
IEC 60747-5-5:2020 Полупроводниковые приборы. Часть 5-5. Оптоэлектронные устройства. Фотопары.
IEC 60191-4:1999 Механическая стандартизация полупроводниковых приборов. Часть 4. Система кодирования и классификация по формам контуров корпусов полупроводниковых приборов.
IEC 60191-4:2013 Механическая стандартизация полупроводниковых устройств. Часть 4. Система кодирования и классификация по формам контуров корпусов полупроводниковых устройств.
IEC 60191-4:2018 Механическая стандартизация полупроводниковых устройств. Часть 4. Система кодирования и классификация по формам контуров корпусов полупроводниковых устройств.
IEC 60191-6:1990 Механическая стандартизация полупроводниковых приборов; часть 6. Общие правила оформления габаритных чертежей корпусов полупроводниковых приборов поверхностного монтажа
IEC 60191-6:2004 Механическая стандартизация полупроводниковых приборов. Часть 6. Общие правила составления габаритных чертежей корпусов полупроводниковых приборов поверхностного монтажа.
IEC 60191-6:2009 Механическая стандартизация полупроводниковых приборов. Часть 6. Общие правила составления габаритных чертежей корпусов полупроводниковых приборов поверхностного монтажа.
IEC PAS 62240:2001 Использование полупроводниковых приборов за пределами указанных производителем температурных диапазонов.
IEC 62007-2:1999 Полупроводниковые оптоэлектронные устройства для применения в волоконно-оптических системах. Часть 2. Методы измерения.
IEC 60191-4/AMD1:2001 Механическая стандартизация полупроводниковых приборов. Часть 4. Система кодирования и классификация по формам контуров корпусов полупроводниковых приборов; Поправка 1
IEC 60191-4/AMD2:2002 Механическая стандартизация полупроводниковых приборов. Часть 4. Система кодирования и классификация по формам контуров корпусов полупроводниковых приборов; Поправка 2
IEC 60747-18-2:2020 Полупроводниковые устройства. Часть 18-2. Полупроводниковые биосенсоры. Процесс оценки безлинзовых модулей фотонных матриц КМОП-датчиков
IEC 60191-6/AMD1:1999 Механическая стандартизация полупроводниковых приборов. Часть 6. Общие правила оформления габаритных чертежей корпусов полупроводниковых приборов поверхностного монтажа; Поправка 1
IEC 60191-4:2013/AMD1:2018 Механическая стандартизация полупроводниковых приборов. Часть 4. Система кодирования и классификация по формам контуров корпусов полупроводниковых приборов; Поправка 1
IEC 60747-5-5:2007/AMD1:2013 Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Часть 5-5. Оптоэлектронные устройства. Фотопары.
IEC 60747-5-5:2013 Полупроводниковые приборы.Дискретные устройства.Часть 5-5: Оптоэлектронные устройства.Фотопары.

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, УФ полупроводник

GB/T 15167-1994 Общие характеристики источника света полупроводниковых лазеров
GB/T 31358-2015 Общие характеристики полупроводниковых лазеров
GB/T 29856-2013 Характеристика полупроводниковых одностенных углеродных нанотрубок с использованием ближней инфракрасной фотолюминесцентной спектроскопии
GB 15651.4-2017 Полупроводниковые приборы Дискретные устройства Часть 5-4: Оптоэлектронные устройства Полупроводниковые лазеры
GB/T 7092-1993 Габаритные размеры полупроводниковых интегральных схем
GB/T 7581-1987 Габаритные размеры полупроводниковых дискретных устройств
GB/T 31359-2015 Методы испытаний полупроводниковых лазеров
GB/T 17574.9-2006 Полупроводниковые приборы. Интегральные схемы. Часть 2-9: Цифровые интегральные схемы. Бланковая подробная спецификация для МОП-электрически программируемых постоянных запоминающих устройств, стираемых ультрафиолетовым светом.
GB 12565-1990 Секционные спецификации для полупроводниковых приборов и оптоэлектронных устройств
GB/T 11417.9-2012 Офтальмологическая оптика.Контактные линзы.Часть 9:Старение под воздействием УФ и видимого излучения (метод in vitro)
GB/T 11493-1989 Бланк рабочей спецификации корпусов полупроводниковых интегральных схем
GB/T 15529-1995 Пустая подробная спецификация для светодиодных цифровых дисплеев
GB/T 15649-1995 Бланк подробной спецификации полупроводниковых лазерных диодов
GB/T 29299-2012 Общие характеристики полупроводникового лазерного дальномера
GB/T 36356-2018 Техническая спецификация на силовые светодиодные чипы
GB/T 15878-2015 Полупроводниковые интегральные схемы. Спецификация выводных рамок для небольшого корпуса.
GB/T 15651.6-2023 Полупроводниковые приборы. Часть 5-6. Оптоэлектронные устройства. Светоизлучающие диоды.
GB/T 36357-2018 Техническая спецификация на светодиодные чипы средней мощности
GB/T 21548-2008 Методы измерения быстродействующих полупроводниковых лазеров с прямой модуляцией для волоконно-оптических систем связи
GB/T 14862-1993 Методы испытаний термостойкости переход-корпус корпусов полупроводниковых интегральных схем
GB/T 24370-2009 Характеристика нанокристаллов квантовых точек CdSe. Спектроскопия поглощения УФ-ВИД.
GB/T 36359-2018 Полупроводниковые оптоэлектронные приборы. Бланк спецификации на светодиоды малой мощности.
GB/T 36360-2018 Полупроводниковые оптоэлектронные приборы. Бланк спецификации на светодиоды средней мощности.
GB/T 12565-1990 Полупроводниковые приборы. Технические характеристики оптоэлектронных устройств.

Group Standards of the People's Republic of China, УФ полупроводник

T/CASME 698-2023 Аппарат полупроводниковой лазерной терапии
T/JGXH 008-2020 Твердотельный лазер с диодной накачкой
T/QGCML 2041-2023
T/CZSBDTHYXH 001-2023 Дефекты пластин Автоматическое оборудование для оптического контроля
T/QGCML 1407-2023 Уплотнительное устройство с двойным рукавом для производства полупроводниковых фотоэлектрических систем
T/NAIA 0193-2023 Определение концентрации и чистоты ДНК плазмиды экспрессии одноцепочечных антител методом УФ-спектрофотометрии

Jilin Provincial Standard of the People's Republic of China, УФ полупроводник

DB22/T 2725-2017 Полупроводниковый лазер с волоконной решеткой 980 нм

RU-GOST R, УФ полупроводник

GOST 24458-1980 Полупроводниковые оптоэлектронные развязки. Основные параметры
GOST R 50471-1993 Полупроводниковые фотоэмиттеры. Метод измерения угла половинной интенсивности
GOST 23900-1987 Силовые полупроводниковые приборы. Габаритные и монтажные размеры
GOST 23448-1979 Полупроводниковые инфракрасные диоды. Основные размеры
GOST 27591-1988 Силовые полупроводниковые модули. Общие и монтажные размеры
GOST 19834.4-1979 Полупроводниковые излучающие инфракрасные диоды. Методы измерения мощности излучения
GOST 27299-1987 Полупроводниковые оптоэлектронные устройства. Термины, определения и буквенные обозначения параметров
GOST R 59605-2021 Оптика и фотоника. Полупроводниковые фотоэлектрические детекторы. Фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Понятия и определения
GOST 17704-1972 Полупроводниковые приборы. Фотоэлектрические приёмники лучистой энергии. Классификация и обозначения систем
GOST 21934-1983 Полупроводниковые фотоэлектрические детекторы и приемные фотоэлектрические устройства. Понятия и определения

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会, УФ полупроводник

GB/T 15651.4-2017 Полупроводниковые устройства. Дискретные устройства. Часть 5-4. Оптоэлектронные устройства. Полупроводниковые лазеры.

Professional Standard - Nuclear Industry, УФ полупроводник

EJ/T 296.2-2014 Определение следов урана в жидкой моче флюорометрически ультрафиолетом
EJ/T 20057-2014 Определение концентрации урана в атмосферных выпадениях.Жидкостная флюорометрия по ультрафиолету

International Organization for Standardization (ISO), УФ полупроводник

ISO 10677:2011 Тонкая керамика (современная керамика, усовершенствованная техническая керамика) - Источник ультрафиолетового света для тестирования полупроводниковых фотокаталитических материалов.
ISO/TS 17915:2013 Оптика и фотоника. Метод измерения полупроводниковых лазеров для зондирования.
ISO 17915:2018 Оптика и фотоника - Метод измерения полупроводниковых лазеров для зондирования
ISO/TS 17466:2015 Использование абсорбционной спектроскопии УФ-ВИД для характеристики коллоидных квантовых точек халькогенида кадмия

机械工业部, УФ полупроводник

JB/T 6306-1992 Размеры силового полупроводникового модуля

Fujian Provincial Standard of the People's Republic of China, УФ полупроводник

DB35/T 1193-2011 Полупроводниковый светодиодный чип

Defense Logistics Agency, УФ полупроводник

DLA SMD-5962-88635 REV A-1993 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, КМОП, УФ-СТИРАЕМОЕ, ПРОГРАММИРУЕМОЕ ЛОГИЧЕСКОЕ УСТРОЙСТВО
DLA MIL-PRF-19500/210 B NOTICE 1-1999 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР, ТРАНЗИСТОР, NPN, КРЕМНИЙ, ФОТО ТИПА 2N986
DLA SMD-5962-94510 REV A-2007 МИКРОСХЕМА, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, КМОП, УФ-Стираемая ПРОГРАММИРУЕМАЯ ЛОГИЧЕСКАЯ МАССИВ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-88549 REV A-1992 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, КМОП, УФ-СТИРАЕМОЕ ПРОГРАММИРУЕМОЕ ЛОГИЧЕСКОЕ УСТРОЙСТВО, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-93144 REV B-2007 МИКРОСХЕМА, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, КМОП, УФ-Стираемая ПРОГРАММИРУЕМАЯ, ЛОГИЧЕСКОЕ УСТРОЙСТВО, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-90989 REV A-2006 МИКРОСХЕМА, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, КМОП, УФ-Стираемая ПРОГРАММИРУЕМАЯ ЛОГИЧЕСКАЯ МАССИВ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-91772-1993 МИКРОСХЕМА, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, КМОП, УФ-Стираемая ПРОГРАММИРУЕМАЯ ЛОГИЧЕСКАЯ МАССИВ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-93248-1993 МИКРОСХЕМА, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, КМОП, УФ-Стираемая ПРОГРАММИРУЕМАЯ ЛОГИЧЕСКАЯ МАССИВ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-88548 REV A-1992 МИКРОСХЕМА, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, КМОП, УФ-СТИРАЕМОЕ ПРОГРАММИРУЕМОЕ ЛОГИЧЕСКОЕ УСТРОЙСТВО, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-88678 REV B-2005 МИКРОСХЕМА, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, КМОП, УФ-Стираемая, ПРОГРАММИРУЕМАЯ ЛОГИЧЕСКАЯ МАССИВ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-88724 REV D-2007 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, ПАМЯТЬ, КМОП, УФ-Стираемая, ПРОГРАММИРУЕМАЯ ЛОГИЧЕСКАЯ МАССИВ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-88726 REV E-2007 МИКРОСХЕМА, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, КМОП, УЛЬТРАФИОЛЕТОВАЯ Стираемая, ПРОГРАММИРУЕМАЯ ЛОГИЧЕСКАЯ МАССИВ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-85102 REV E-2005 МИКРОСХЕМЫ, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВЫЕ, КМОП, 8К Х 8 УФ Стираемые ПРОМ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-91584-1992 МИКРОСХЕМА, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, КМОП, УФ-Стираемая ПРОГРАММИРУЕМАЯ ЛОГИЧЕСКАЯ МАССИВ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-92062 REV B-2007 МИКРОСХЕМА, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, КМОП, УФ-СТИРАЕМОЕ ПРОГРАММИРУЕМОЕ ЛОГИЧЕСКОЕ УСТРОЙСТВО, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-89468 REV C-2007 МИКРОСХЕМА, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, КМОП, УФ-Стираемая ПРОГРАММИРУЕМАЯ ЛОГИЧЕСКАЯ МАССИВ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-89469 REV B-1994 МИКРОСХЕМА, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, КМОП, УФ-СТИРАЕМОЕ ПРОГРАММИРУЕМОЕ ЛОГИЧЕСКОЕ УСТРОЙСТВО, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-89476-1992 МИКРОСХЕМА, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, КМОП, УФ-СТИРАЕМОЕ ПРОГРАММИРУЕМОЕ ЛОГИЧЕСКОЕ УСТРОЙСТВО, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-93245-1993 МИКРОСХЕМЫ, ЦИФРОВЫЕ, ПАМЯТЬ, КМОП, РАСШИРЕННОЕ НАПРЯЖЕНИЕ, УФ-СТИРАНИЕ, ПРОГРАММИРУЕМАЯ ЛОГИЧЕСКАЯ МАССИВ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-89817 REV C-2007 МИКРОсхема, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, КМОП, 32К Х 8-БИТ УВЭПРОМ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-90658 REV A-2006 МИКРОСХЕМА, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, КМОП, 4К Х 8 УВЭПРОМ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-86063 REV H-2006 МИКРОсхема, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, CMOS, 262, 144-БИТ (32K X 8), УФ-СТИРАЯ ПРОМЫШЛЕННАЯ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA MIL-PRF-19500/467 A-2008 ПОЛУПРОВОДНИКОВОЕ УСТРОЙСТВО, ДИОД, СВЕТОИЗЛУЧАЮЩИЙ, ТИП 1N5765 ЯНВАРЬ И TX
DLA SMD-5962-87648 REV E-2006 МИКРОСХЕМЫ, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВЫЕ, КМОП, 64К Х 8 УВЭПРОМ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA QPL-28830-QPD-2011 Кабель радиочастотный, коаксиальный, полужесткий, с гофрированным внешним проводником, общие характеристики для
DLA QPL-28830-2013 Кабель радиочастотный, коаксиальный, полужесткий, с гофрированным внешним проводником, общие характеристики для
DLA SMD-5962-86805 REV F-2006 МИКРОСХЕМА, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, КМОП 64K X 16 UV EPROM, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-89614 REV F-2003 МИКРОсхема, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, КМОП, 128К Х 8-БИТ УВЭПРОМ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-89815 REV B-2007 МИКРОсхема, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, КМОП, 2К Х 8 ЗАРЕГИСТРИРОВАННЫЙ УВЭПРОМ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-93122-1993 МИКРОСХЕМА, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, КМОП 2К Х 16-БИТНАЯ МАШИНА УВЭПРОМ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA MIL-DTL-28830 D-2005 КАБЕЛЬ, РАДИОЧАСТОТНЫЙ, КОАКСИАЛЬНЫЙ, ПОЛУЖЕСТКИЙ, ГОФРИРОВАННЫЙ НАРУЖНЫЙ ПРОВОДНИК, ОБЩИЕ СПЕЦИФИКАЦИИ ДЛЯ [Использовать вместо: DLA MIL-C-0028830 A]
DLA QPL-28830-13 NOTICE 1-2008 Кабель радиочастотный, коаксиальный, полужесткий, с гофрированным внешним проводником, общие характеристики
DLA SMD-5962-87529 REV E-2006 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, КМОП, 2К Х 8 ЗАРЕГИСТРИРОВАННЫЙ УВЭПРОМ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA QPL-28830-13-2007 КАБЕЛЬ РАДИОЧАСТОТНЫЙ КОАКСИАЛЬНЫЙ ПОЛУЖЕСТКИЙ С ГОФРИРОВАННЫМ НАРУЖНЫМ ПРОВОДНИКОМ, ОБЩИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ДЛЯ
DLA SMD-5962-90754 REV A-1992 МИКРОСХЕМА, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, КМОП, УФ-СТИРАЕМОЕ АСИНХРОННОЕ РЕГИСТРИРУЕМОЕ ПРОГРАММИРУЕМОЕ ЛОГИЧЕСКОЕ УСТРОЙСТВО, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-89484 REV A-2007 МИКРОсхема, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, КМОП, ЗАРЕГИСТРИРОВАННАЯ 8К Х 8-БИТ УВЭПРОМ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ

Professional Standard - Machinery, УФ полупроводник

JB/T 5631-1991 Эпитаксиальная печь для полупроводниковых приборов. Стандарт энергоэффективности
JB/T 8175-1999 Габаритные размеры экструдированного радиатора для силовых полупроводниковых приборов

IN-BIS, УФ полупроводник

IS 5000 OD.15-1973 Схема устройства размера полупроводникового устройства OD15
IS 5000 OD.16-1973 Схема устройства размера полупроводникового устройства OD16
IS 5000 OD.30-1981 Схема устройства размера полупроводникового устройства OD30
IS 5000 OB.1-1969 Основные габаритные размеры полупроводниковых приборов ОБ1
IS 5000 OB.5-1969 Основные размеры полупроводниковых приборов ОБ5
IS 5000 OB.2-1969 Основные габаритные размеры полупроводниковых приборов ОБ2
IS 5000 OB.6-1969 Основные габаритные размеры полупроводниковых приборов ОБ6
IS 5000 OB.7-1969 Основные габаритные размеры полупроводниковых приборов OB7
IS 5000 OB.4-1969 Основные габаритные размеры полупроводниковых приборов OB4
IS 5000 OD.4-1969 Размеры полупроводникового устройства Схема устройства OD4
IS 5000 OD.7-1969 Размеры полупроводникового устройства Схема устройства OD7
IS 5000 OD.9-1969 Схема устройства размера полупроводникового устройства OD9
IS 5000 OD.1-1969 Размеры полупроводникового устройства Схема устройства OD1
IS 5000 OD.6-1969 Схема устройства размера полупроводникового устройства OD6
IS 5000 OD.2-1969 Схема устройства размера полупроводникового устройства OD2
IS 5000 OD.5-1969 Схема устройства размера полупроводникового устройства OD5
IS 5000 OD.8-1969 Размеры полупроводникового устройства Схема устройства OD8
IS 5000 OD.31-1981 Схема устройства полупроводникового устройства OD31
IS 5000 OD.13-1971 Схема устройства размера полупроводникового устройства OD13
IS 5000 OD.19-1974 Размеры полупроводникового устройства Схема устройства OD19
IS 5000 OD.12-1971 Схема устройства размера полупроводникового устройства OD12
IS 5000 OD.18-1974 Схема устройства размера полупроводникового устройства OD18
IS 5000 OD.14-1971 Размеры полупроводникового устройства Схема устройства OD14
IS 5000 OD.33-1981 Схема устройства размера полупроводникового устройства OD33
IS 5000 OD.10-1971 Схема устройства размера полупроводникового устройства OD1O
IS 5000 OD.17-1974 Размеры полупроводникового устройства Схема устройства OD17
IS 5000 OD.35-1981 Размеры полупроводникового устройства Схема устройства OD35
IS 5000 OD.11-1971 Размеры полупроводникового устройства Схема устройства OD11
IS 5000 OD.21-1979 Размер полупроводникового устройства, контур устройства OD 21
IS 5000 OD.23-1978 Размер полупроводникового устройства, контур устройства OD 23
IS 5000 OD.28-1978 Размеры полупроводникового устройства. Внешний вид устройства, наружный диаметр 28.
IS 5000 OD.20-1978 Размеры полупроводникового устройства Внешний вид устройства OD 20
IS 5000 OD.26-1978 Размер полупроводникового устройства, контур устройства OD 26
IS 5000 OD.27-1978 Размеры полупроводникового устройства. Внешний вид устройства, наружный диаметр 27.
IS 5000 OD.22-1978 Размер полупроводникового устройства, контур устройства OD 22
IS 5000 OD.25-1978 Размеры полупроводникового устройства Внешний вид устройства OD 25
IS 5000 OD.24-1979 Размер полупроводникового устройства, контур устройства OD 24
IS 5000 OD.29-1979 Размеры полупроводникового устройства. Внешний вид устройства, наружный диаметр 29.
IS 5000 OD.36-1981 Размеры полупроводникового устройства. Схема устройства. Рисунок 36.
IS 5000 OD.37-1982 Размеры полупроводникового устройства Габаритные размеры устройства наружный диаметр 37
IS 12737-1988 Стандартные процедуры испытаний полупроводниковых рентгеновских энергетических спектрометров

Taiwan Provincial Standard of the People's Republic of China, УФ полупроводник

CNS 13805-1997 Метод измерения фотолюминесценции полупроводниковых пластин оптоэлектроники

RO-ASRO, УФ полупроводник

STAS 12258/6-1987 ОПТОЭЛЕКТРОННЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ ИНФРАКРАСНЫЕ ЭММ-ДИОДЫ Терминология и существенные характеристики
STAS 12258/3-1985 Оптоэлектронные полупроводниковые приборы ФОТОТРАНЗИСТОРЫ Терминология и существенные характеристики.
STAS 12258/7-1987 ОПТОЭЛЕКТРОННЫЕ ПОЛУКОНДИКАТОРНЫЕ УСТРОЙСТВА ФОТОЭЛЕМЕНТЫ Терминология и необходимая ясность! эристика
STAS 12258/2-1984 Оптоэлектронные полупроводниковые приборы ПИОТОДИОДЫ Терминология и суть] Характеристики
STAS 12258/4-1986 Оптоэлектронные полупроводниковые приборы СВЕТОДИОДЫ Терминология и основные характеристики
STAS 12258/5-1986 ОПТОЭЛЕКТРОННЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ ДИСПЛЕИ Терминология и существенные характеристики
STAS 12258/1-1984 ОПТОЭЛЕКТРОННЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ Общая терминология и номенклатура общих основных параметров
SR CEI 748-11-1-1992 Полупроводниковые приборы Интегральные схемы Часть 11. Раздел 1. Внутренний визуальный осмотр полупроводниковых интегральных схем, за исключением гибридных схем.

(U.S.) Joint Electron Device Engineering Council Soild State Technology Association, УФ полупроводник

JEDEC JESD22-B118-2011 Внешний визуальный осмотр полупроводниковых пластин и кристаллов
JEDEC JEP78-1969 Относительные кривые спектрального отклика полупроводниковых инфракрасных детекторов

HU-MSZT, УФ полупроводник

MSZ 700/27.lap-1962 Определение тестовой вспышки STMicroelectronics

IET - Institution of Engineering and Technology, УФ полупроводник

DISTRB FEEDB SEMI LAS-1998 Полупроводниковые лазеры с распределенной обратной связью

PL-PKN, УФ полупроводник

PN T01305-1992 Полупроводниковые приборы. Интегральные схемы. Технические характеристики полупроводниковых интегральных схем, за исключением гибридных схем.

German Institute for Standardization, УФ полупроводник

DIN 41885:1976 Корпуса тип 101 для полупроводниковых приборов; основные размеры
DIN 41877:1971 Корпус 6 А 3 для полупроводниковых приборов; основные размеры
DIN 41888:1976 Корпуса типа 106 и 107 для полупроводниковых приборов; основные размеры
DIN 41871:1971 Корпуса 1 А 2 и 1 А 3 для полупроводниковых приборов; основные размеры
DIN 41884:1971 Корпус 118 А 2 для полупроводниковых приборов; основные размеры
DIN EN 60191-4:2003 Механическая стандартизация полупроводниковых приборов. Часть 4. Система кодирования и классификация по формам контуров корпусов полупроводниковых приборов (IEC 60191-4:1999 + A1:2001 + A2:2002); Немецкая версия EN 60191-4:1999 + A1:2002 + A2:2002
DIN 41814-2:1976 Корпуса для полупроводниковых приборов; тип корпуса от 160 до 168, основные размеры
DIN EN 60191-6:2010-06 Механическая стандартизация полупроводниковых приборов. Часть 6. Общие правила подготовки габаритных чертежей корпусов полупроводниковых приборов поверхностного монтажа (IEC 60191-6:2009); Немецкая версия EN 60191-6:2009 / Примечание: DIN EN 60191-6 (2005-04) рем...
DIN 50449-2:1998 Испытание материалов для полупроводниковой техники. Определение содержания примесей в полупроводниках методом инфракрасного поглощения. Часть 2. Бор в арсениде галлия.
DIN EN 60191-6-1:2002-08 Механическая стандартизация полупроводниковых приборов. Часть 6-1. Общие правила подготовки габаритных чертежей корпусов полупроводниковых приборов поверхностного монтажа; Руководство по проектированию выводных клемм типа «крыло чайки» (IEC 60191-6-1:2001); Немецкая версия EN 60...
DIN EN 60191-6-5:2002-05 Механическая стандартизация полупроводниковых приборов. Часть 6-5. Общие правила подготовки габаритных чертежей корпусов полупроводниковых приборов поверхностного монтажа; Руководство по проектированию решетки шариков с мелким шагом (FBGA) (IEC 60191-6-5:2001); Немецкий вариант...
DIN EN 60191-6-3:2001-06 Механическая стандартизация полупроводниковых приборов. Часть 6-3. Общие правила подготовки габаритных чертежей корпусов полупроводниковых приборов поверхностного монтажа; Методы измерения размеров четырехквадратных плоских упаковок (QFP) (IEC 60191-6-3:200...
DIN EN 60191-6-6:2002-02 Механическая стандартизация полупроводниковых приборов. Часть 6-6. Общие правила оформления габаритных чертежей корпусов полупроводниковых приборов поверхностного монтажа; Руководство по проектированию наземной решетки с мелким шагом (FLGA) (IEC 60191-6-6:2001); Немецкий вариант...
DIN EN 60191-6-8:2002-05 Механическая стандартизация полупроводниковых приборов. Часть 6-8. Общие правила оформления габаритных чертежей корпусов полупроводниковых приборов поверхностного монтажа; Руководство по проектированию четырехслойной керамической упаковки со стеклянным уплотнением (G-QFP) (IEC 60191-6-8:2001); Ге...
DIN EN 60191-6-2:2002-09 Механическая стандартизация полупроводниковых приборов. Часть 6-2. Общие правила подготовки габаритных чертежей корпусов полупроводниковых приборов поверхностного монтажа; Руководство по проектированию шаровых и столбчатых клемм с шагом 1,50 мм, 1,27 мм и 1,00 мм...
DIN IEC/TR 61292-9:2013 Оптические усилители. Часть 9. Полупроводниковые оптические усилители (SOA) (IEC 86C/1109/CD:2013)
DIN 41867:1972 Корпуса 50 Б3 и 50 Б4 для полупроводниковых приборов; основные размеры
DIN 41891:1971 Корпуса 200 А 3 и 200 Б 3 для полупроводниковых приборов; основные размеры
DIN 50443-1:1988 Испытание материалов для использования в полупроводниковой технике; обнаружение кристаллических дефектов и неоднородностей в монокристаллах кремния методом рентгеновской топографии
DIN 5032-9:2015-01 Фотометрия. Часть 9. Измерение фотометрических величин некогерентно излучающих полупроводниковых источников света
DIN EN 60191-6-22:2013-08 Механическая стандартизация полупроводниковых приборов. Часть 6-22. Общие правила подготовки контурных чертежей корпусов полупроводниковых приборов поверхностного монтажа. Руководство по проектированию полупроводниковых корпусов. Кремниевая шариковая сетка с мелким шагом и кремниевая...
DIN EN 17178:2018 Жидкие нефтепродукты - Определение общего содержания летучей серы в сжиженных нефтяных газах методом ультрафиолетовой флуоресцентной спектроскопии; Немецкая и английская версия prEN 17178:2018.
DIN EN 17178:2019-12 Жидкие нефтепродукты - Определение общего содержания летучей серы в сжиженных нефтяных газах методом ультрафиолетовой флуоресцентной спектроскопии; Немецкая версия EN 17178:2019
DIN EN 60191-6:2010 Механическая стандартизация полупроводниковых приборов. Часть 6. Общие правила подготовки габаритных чертежей корпусов полупроводниковых приборов поверхностного монтажа (IEC 60191-6:2009); Немецкая версия EN 60191-6:2009.

Professional Standard - Medicine, УФ полупроводник

YY 1289-2016 Оборудование для лазерной терапии Аппарат для офтальмологической диодной лазерной фотокоагуляции
YY 0845-2011 Лазерное терапевтическое оборудование.Диодное лазерное оборудование для фотодинамической терапии

Professional Standard - Petrochemical Industry, УФ полупроводник

SH/T 0409-1992 Определение содержания ароматических соединений в жидком парафине (УФ-спектрофотометрия)

CZ-CSN, УФ полупроводник

CSN 35 8761-1973 Полупроводниковые приборы. Фототранзисторы фотодиоды. Измерение фотоэлектрического тока
CSN 35 8762-1973 Полупроводниковые приборы. Фототранзисторы, фотодиоды. Измерение темнового тока

工业和信息化部, УФ полупроводник

SJ/T 2749-2016 Методы испытаний полупроводниковых лазерных диодов
SJ/T 11702-2018 Метод испытаний последовательного периферийного интерфейса полупроводниковой интегральной схемы
SJ/T 2658.14-2016 Методы измерения полупроводниковых инфракрасных диодов. Часть 14. Температура перехода.
SJ/T 2658.15-2016 Методы измерения полупроводниковых инфракрасных диодов. Часть 15. Термическое сопротивление

American Society for Testing and Materials (ASTM), УФ полупроводник

ASTM G177-03(2020) Стандартные таблицы для справочных спектральных распределений солнечного ультрафиолета: полусферическое на 37° Наклоненная поверхность
ASTM G177-03(2012) Стандартные таблицы для справочных спектральных распределений солнечного ультрафиолета: полусферическое на 37 градусах; Наклоненная поверхность
ASTM G177-03 Стандартные таблицы для справочных спектральных распределений солнечного ультрафиолета: полусфера на 37 наклоненной поверхности
ASTM G177-03e1 Стандартные таблицы для справочных спектральных распределений солнечного ультрафиолета: полусфера на 37 наклоненной поверхности
ASTM G177-03(2008)e1 Стандартные таблицы для справочных спектральных распределений солнечного ультрафиолета: полусферическое на 37x00B0; Наклоненная поверхность
ASTM F584-06 Стандартная практика визуального контроля полупроводниковой свинцовой проволоки
ASTM F584-06e1 Стандартная практика визуального контроля полупроводниковой свинцовой проволоки

European Committee for Standardization (CEN), УФ полупроводник

CWA 17857:2022 Система адаптеров на основе линз для соединения оптоволокна с инфракрасными полупроводниковыми лазерами
EN ISO 24443:2021 Косметика. Определение фотозащиты солнцезащитного крема от UVA in vitro (ISO 24443:2021, исправленная версия 2022-02)
EN ISO 24443:2012 Определение фотозащиты солнцезащитного крема от UVA in vitro

Professional Standard - Post and Telecommunication, УФ полупроводник

YD/T 701-1993 Метод испытаний сборки полупроводникового лазерного диода
YD/T 1687.1-2007 Технические требования к высокоскоростному полупроводниковому лазеру для оптоволоконной связи, часть 1:2,5 Гбит/с, охлаждаемый полупроводниковый лазер с прямой модуляцией
YD/T 1687.2-2007 Технические требования к высокоскоростному полупроводниковому лазеру для оптоволоконной связи, часть 2: 2,5 Гбит/с, неохлаждаемый полупроводниковый лазер с прямой модуляцией
YD/T 2001.2-2011 Полупроводниковые оптоэлектронные устройства для применения в волоконно-оптических системах. Часть 2: методы измерения.

JP-JEITA, УФ полупроводник

JEITA ED 7300A-2008 Рекомендуемая практика по стандарту подготовки эскизных чертежей полупроводниковой упаковки

Danish Standards Foundation, УФ полупроводник

DS/EN ISO 11985:1998 Офтальмологическая оптика. Контактные линзы. Старение под воздействием УФ и видимого излучения (метод in vitro).
DS/EN 60191-4/A2:2002 Механическая стандартизация полупроводниковых приборов. Часть 4. Система кодирования и классификация по формам контуров корпусов полупроводниковых приборов.
DS/EN 60191-4:2001 Механическая стандартизация полупроводниковых приборов. Часть 4. Система кодирования и классификация по формам контуров корпусов полупроводниковых приборов.
DS/EN 60191-4/A1:2002 Механическая стандартизация полупроводниковых приборов. Часть 4. Система кодирования и классификация по формам контуров корпусов полупроводниковых приборов.
DS/EN 60191-6:2010 Механическая стандартизация полупроводниковых приборов. Часть 6. Общие правила составления габаритных чертежей корпусов полупроводниковых приборов поверхностного монтажа.
DS/IEC 747-12:1993 Полупроводниковые приборы. Часть 12: Технические характеристики оптоэлектронных устройств.
DS/EN 60191-6-22:2013 Механическая стандартизация полупроводниковых приборов. Часть 6-22. Общие правила подготовки контурных чертежей корпусов полупроводниковых приборов поверхностного монтажа. Руководство по проектированию полупроводниковых корпусов. Кремниевая шариковая решетка с мелким шагом и кремний
DS/IEC 747-5:1986 Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства и интегральные схемы. Часть 5: Оптоэлектронные устройства
DS/EN 60747-5-5:2011 Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Часть 5-5. Оптоэлектронные устройства. Фотопары.
DS/EN 60191-6-21:2010 Механическая стандартизация полупроводниковых приборов. Часть 6-21. Общие правила подготовки контурных чертежей корпусов полупроводниковых приборов поверхностного монтажа. Методы измерения размеров корпусов малых контуров (SOP)

IEC - International Electrotechnical Commission, УФ полупроводник

IEC TR 61292-9:2017 Оптические усилители. Часть 9. Полупроводниковые оптические усилители (SOA) (издание 2.0)

American National Standards Institute （ANSI), УФ полупроводник

ANSI/TIA/EIA 455-128-1996 Методика определения порогового тока полупроводниковых лазеров

European Committee for Electrotechnical Standardization（CENELEC）, УФ полупроводник

EN IEC 60747-5-5:2020 Полупроводниковые приборы. Часть 5-5. Оптоэлектронные устройства. Фотопары.
EN 62007-2:2009 Полупроводниковые оптоэлектронные устройства для применения в волоконно-оптических системах. Часть 2. Методы измерения.
EN 60191-6:2009 Механическая стандартизация полупроводниковых приборов. Часть 6. Общие правила составления габаритных чертежей корпусов полупроводниковых приборов поверхностного монтажа.
EN 60191-6-22:2013 Механическая стандартизация полупроводниковых приборов. Часть 6-22. Общие правила подготовки контурных чертежей корпусов полупроводниковых приборов поверхностного монтажа. Руководство по проектированию полупроводниковых корпусов. Кремниевая шариковая решетка с мелким шагом и кремний

ES-UNE, УФ полупроводник

UNE-EN IEC 60747-5-5:2020 Полупроводниковые приборы. Часть 5–5. Оптоэлектронные устройства. Фотопары (одобрено Испанской ассоциацией нормализации в октябре 2020 г.)
UNE-EN 60191-6:2009 Механическая стандартизация полупроводниковых приборов. Часть 6. Общие правила подготовки габаритных чертежей корпусов полупроводниковых приборов поверхностного монтажа (Одобрено AENOR в апреле 2010 г.)
UNE-EN 60191-6-21:2010 Механическая стандартизация полупроводниковых приборов. Часть 6-21. Общие правила подготовки контурных чертежей корпусов полупроводниковых приборов поверхностного монтажа. Методы измерения размеров корпусов малых контуров (SOP) (Одобрение...
UNE-EN 60191-6-22:2013 Механическая стандартизация полупроводниковых приборов. Часть 6-22. Общие правила подготовки контурных чертежей корпусов полупроводниковых приборов поверхностного монтажа. Руководство по проектированию полупроводниковых корпусов. Кремниевая шариковая сетка с мелким шагом и кремниевая...
UNE-EN 17178:2020 Жидкие нефтепродукты. Определение общего содержания летучей серы в сжиженных нефтяных газах методом ультрафиолетовой флуоресцентной спектроскопии.
UNE-EN 60747-5-5:2011/A1:2015 Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Часть 5-5. Оптоэлектронные устройства. Фотопары (одобрено AENOR в мае 2015 г.)
UNE-EN 60747-5-5:2011 Полупроводниковые устройства. Дискретные устройства. Часть 5-5. Оптоэлектронные устройства. Фотопары (одобрено AENOR в мае 2011 г.)

国家药监局, УФ полупроводник

YY/T 1751-2020 Оборудование для лазерной терапии, полупроводниковый лазер, инструмент для интраназальной лучевой терапии

Professional Standard - Agriculture, УФ полупроводник

NY/T 1860.5-2016 Руководство по определению физико-химических свойств пестицидов. Часть 5: Ультрафиолетовое/видимое поглощение
NY/T 1860.5-2010 Руководство по определению физико-химических свойств пестицидов. Часть 5: Ультрафиолетовое/видимое поглощение

CENELEC - European Committee for Electrotechnical Standardization, УФ полупроводник

EN 60191-6:2004 Механическая стандартизация полупроводниковых приборов Часть 6. Общие правила оформления габаритных чертежей корпусов полупроводниковых приборов поверхностного монтажа
EN 62007-2:2000 Полупроводниковые оптоэлектронные устройства для применения в волоконно-оптических системах. Часть 2: Методы измерения
EN 60191-4:2014 Механическая стандартизация полупроводниковых устройств. Часть 4. Система кодирования и классификация по формам контуров корпусов полупроводниковых устройств (включает поправку A1: 2018 г.)

SE-SIS, УФ полупроводник

SIS SS CECC 20000-1983 Общая спецификация: Полупроводниковые оптоэлектронные и жидкокристаллические устройства.

GOSTR, УФ полупроводник

GOST ISO 20846-2016 Жидкие нефтепродукты. Определение содержания серы в автомобильных топливах. Метод ультрафиолетовой флуоресценции

Japanese Industrial Standards Committee (JISC), УФ полупроводник

JIS R 1750:2012 Тонкая керамика. Источник света для тестирования полупроводниковых фотокаталитических материалов, используемых при внутреннем освещении.

(U.S.) Telecommunications Industries Association , УФ полупроводник

TIA-455-128-1996 Методика определения порогового тока полупроводниковых лазеров
TIA-455-128-1996(2014) Методика определения порогового тока полупроводниковых лазеров

Lithuanian Standards Office , УФ полупроводник

LST EN 60191-4+A1-2002 Механическая стандартизация полупроводниковых устройств. Часть 4. Система кодирования и классификация по формам контуров корпусов полупроводниковых устройств (IEC 60191-4:1999+A1:2001).
LST EN 60191-4+A1-2002/A2-2002 Механическая стандартизация полупроводниковых приборов. Часть 4. Система кодирования и классификация по формам контуров корпусов полупроводниковых приборов (IEC 60191-4:1999/A2:2002).
LST EN 60191-6-2010 Механическая стандартизация полупроводниковых приборов. Часть 6. Общие правила подготовки габаритных чертежей корпусов полупроводниковых приборов поверхностного монтажа (IEC 60191-6:2009).
LST EN 60191-6-22-2013 Механическая стандартизация полупроводниковых приборов. Часть 6-22. Общие правила подготовки контурных чертежей корпусов полупроводниковых приборов поверхностного монтажа. Руководство по проектированию полупроводниковых корпусов. Кремниевая шариковая сетка с мелким шагом и кремний
LST EN 60191-4-2014 Механическая стандартизация полупроводниковых устройств. Часть 4. Система кодирования и классификация по формам контуров корпусов полупроводниковых устройств (IEC 60191-4:2013).

未注明发布机构, УФ полупроводник

BS EN ISO 11985:1998(2008) Офтальмологическая оптика. Контактные линзы. Старение под воздействием УФ и видимого излучения (метод in vitro).

Hebei Provincial Standard of the People's Republic of China, УФ полупроводник

DB13/T 5120-2019 Спецификации для испытаний на постоянном токе полупроводниковых лазерных чипов FP и DFB для оптической связи

Government Electronic & Information Technology Association, УФ полупроводник

GEIA-4900-2001 Использование полупроводниковых приборов сторонних производителей? Указанные температурные диапазоны
GEIA SP4900-2002 Использование полупроводниковых приборов сторонних производителей? Указанные температурные диапазоны. Срок подачи комментариев истекает: 27 мая 2002 г.; АНСИ/EIA-4900

SAE - SAE International, УФ полупроводник

SAE EIA-4900-2016 Использование полупроводниковых приборов за пределами установленных производителем температурных диапазонов

IECQ - IEC: Quality Assessment System for Electronic Components, УФ полупроводник

PQC 8 ISSUE 1-1996 Полупроводниковые оптоэлектронные устройства. Бланк подробной спецификации: фотопары, рассчитанные на окружающую среду или корпус, с оценочным уровнем выходного сигнала фототранзистора, категории I@ II или III

PH-BPS, УФ полупроводник

PNS ISO/TS 17466:2021 Использование абсорбционной спектроскопии УФ-ВИД для характеристики коллоидных квантовых точек халькогенида кадмия

GM North America, УФ полупроводник

GM GMP.E/P.030-1991 Полиолефиновый сплав - марка для выдувного формования, модуль упругости при изгибе 85 МПа, окрашенный, устойчивый к ультрафиолетовому излучению

AENOR, УФ полупроводник

UNE-EN 60191-6-10:2004 Механическая стандартизация полупроводниковых приборов. Часть 6-10. Общие правила подготовки габаритных чертежей корпусов полупроводниковых приборов поверхностного монтажа. Размеры P-VSON