元素半导体材料标准-分析测试百科网

GB/T 35307-2023 流化床法颗粒硅

Fluidized bed granular silicon

ICS: 29.045
CCS: H82
发布: 2023-08-06
实施: 2024-03-01

GB/T 12963-2022 电子级多晶硅

本文件规定了电子级多晶硅的牌号和类别、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、随行文件和订货单内容。本文件适用于以氯硅烷、硅烷制得的电子级多晶硅(以下简称“多晶硅”)。

Electronic-grade polycrystalline silicon

ICS: 29.045
CCS: H82
发布: 2022-12-30
实施: 2023-07-01

GB/T 41652-2022 刻蚀机用硅电极及硅环

本文件规定了刻蚀机用硅电极及硅环的技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存和随行文件以及订货单内容。本文件适用于p直拉硅单晶加工成的刻蚀机用直径200 mm~450 mm 的硅电极及硅环。

Silicon electrode and silicon ring for plasma etching machine

ICS: 29.045
CCS: H82
发布: 2022-07-11
实施: 2023-02-01

GB/T 41325-2022 集成电路用低密度晶体原生凹坑硅单晶抛光片

本文件规定了低密度晶体原生凹坑硅单晶抛光片(以下简称Low-COP抛光片)的技术要求、试验方法、检验规则、包装、标志、运输、贮存、随行文件及订货单内容。本文件适用于对晶体原生凹坑敏感的集成电路用直径为200 mm 和300 mm、晶向、电阻率0.1 Ω·cm~100Ω·cm 的Low-COP抛光片。

Low density crystal originated pit polished monocrystalline silicon wafers for integrated circuit

ICS: 29.045
CCS: H82
发布: 2022-03-09
实施: 2022-10-01 00:00:00.0

GB/T 26069-2022 硅单晶退火片

本文件规定了硅单晶退火片(以下简称退火片)的分类、技术要求、试验方法、检验规则、包装、标志、运输、贮存、随行文件及订货单内容。本文件适用于通过退火工艺在硅单晶抛光片表面形成一定宽度洁净区的硅片,产品用于技术代180nm~22nm 的集成电路。

Annealed monocrystalline silicon wafers

ICS: 29.045
CCS: H82
发布: 2022-03-09
实施: 2022-10-01 00:00:00.0

GB/T 40561-2021 光伏硅材料氧含量的测定脉冲加热惰性气体熔融红外吸收法

本文件描述了用脉冲加热惰性气体熔融红外吸收法测定光伏硅材料中氧含量的方法。本文件适用于生产多晶硅的原料硅粉、工业硅、颗粒多晶硅等光伏硅材料中氧含量的测定,测定范围为氧的质量分数0.0010%~0.40%。其他生产光伏组件的各类晶体硅材料参照使用。

Photovoltaic silicon material—Determination of oxygen—Pulse heating inert gas fusion infrared absorption method

ICS: 29.045
CCS: H82
发布: 2021-10-11
实施: 2022-05-01 00:00:00.0

GB/T 40566-2021 流化床法颗粒硅氢含量的测定脉冲加热惰性气体熔融红外吸收法

本文件描述了用脉冲加热惰性气体熔融红外吸收法测定颗粒硅中氢含量的方法。本文件适用于流化床法颗粒硅中氢含量的测定,其他硅材料参照使用。注:本文件测定氢含量的范围取决于所用氢分析仪的量程,最大测定范围为氢量0.00008 mg~2.5 mg。以质量分数(%)表示的氢分析仪的测定范围因称取样品量的不同而不同。例如,1g 样品最大测定范围的质量分数为0.000008%~0.25%;

Granular polysilicon produced by fluidized bed method—Determination of hydrogen—Pulse heating inert gas fusion infrared absorption method