共找到 414 条与 电力半导体器件、部件 相关的标准,共 28 页
이 규격은 금속 또는 세라믹 밀봉 소자 내의 대기 중 수증기 및 다른 기체들의 함량을 측
Semiconductor devices-Mechanical and climatic test methods-Part 7:Internal moisture content measurement and the analysis of other residual gases
이 규격은 반도체 소자의 저 대기압 시험을 다루고 있다. 시험은 감압 중에 대기 및 기
Semiconductor devices-Mechanical and climatic test methods-Part 2:Low air pressure
충격 시험은 거친 취급, 수송 또는 공정 과정에서 발생되는 갑작스런 힘의 작용이나 작동
Semiconductor devices-Mechanical and climatic test methods-Part 10:Mechanical shock
이 규격은 규정된 주파수 범위 내에서 가변 주파수 진동이 내부 구조적인 요소들에 대해
Semiconductor devices-Mechanical and climatictest methods-Part 12:Vibration, variable frequency
이 규격은 전기적 스트레스를 적용하지 않고 고온에서의 저장이 모든 반도체 전기 소자에
Semiconductor devices-Mechanical and climatic test methods-Part 6:Storage at high temperature
이 품종 규격은 멀티 칩 집적 회로를 포함한 캡슐 봉합된 반도체 집적 회로에 적용한다.
Semiconductor devices-Integrated circuits-Part 11:Sectional specification for semiconductor integrated circuits excluding hybrid circuits
이 규격은 반도체 광전 소자와 관련된 용어에 대하여 취급한다.
Discrete semiconductor devices and integrated circuits-Part 5-1:Optoelectronic devices-General
이 규격은 IEC 전자 부품 품질 인증 제도의 일부분이다.이 규격은 반도체 소자(혼
Semiconductor devices-Part 10:Generic specification for discrete devices and integrated circuits
이 규격은 반도체 소자에 적용 가능하다(개별 소자와 집적 회로).이 규격의 목적은
Semiconductor devices-Mechanical and climatic test methods-Part 22:Bond strength
이 규격은 광섬유 시스템 또는 서브시스템 분야에 사용하지 않는 광전 소자의 측정 방법에
Semiconductor devices-Discrete devices-Part 5-3:optoelectronic devices-Measuring method
IEC 60747의 목적은 다음과 같다.-집적 회로뿐 아니라 개별 소자에도 일반적으로
Semiconductor devices-Discrete devices and integrated circuits-Part 1:General
이 규격의 목적은 적용 가능한 규격 요구 사항에 부합하도록 집적 회로의 내부 재료, 구
Semiconductor devices-Integrated circuits-Part 11-1:Internal visual examination for semiconductor integrated circuits excluding hybrid circuits
이 규격은 소자의 다음 범주 또는 하위 범주에 적용된다:다음을 포함하는 반도체 포토
Semiconductor devices-Discrete devices-Part 5:Optoelectronic devices
이 규격은 광섬유 시스템 또는 서브시스템 분야에 사용하지 않는 광전 소자의 다음 범주
Discrete semiconductor devices and integrated circuits-Part 5-2:Optoelectronic devices Essential ratings and characteristics
이 규격은 각각의 반도체 개별 소자 및 집적 회로에 사용 가능한 방법을 나열한 것이다. 그
Semiconductor devices-Mechanical and climate test methods
この規格は,JIS C 8704-1, JIS C 8704-2及びJIS C 8706に規定する据置蓄電池(以下,蓄電池という。)の浮動充電用サイリスタ整流装置(以下,整流装置という。)で,公称直流電圧200V以下,定格直流電流600A以下のものについて規定する。ただし,通信機器用整流装置を除く。
Thyristor rectifiers for floating charge
test for genotoxicity carcinogennicity and reproductive toxicity.
Mechanical Safety of Cathode Ray Tubes Second Edition; IEC 61965:2003
この規格は,低圧配電システム。伝送及び信号回線に接続するサージ防護デベイスの設計及び構成に用いるサージ防護デベイス用素子(以下.SPDCという。)のアベランシブレークダウンダィオード(以下,ABDという。)の試験方法について規定する。この規格の試験仕様は,2端子からなるABD単体用のものとする。
Components for low-voltage surge protective devices -- Specifications for avalanche breakdown diode (ABD)
이 규격은 반사형 램프의 중앙 빔 세기와 이와 관련된 빔 각도의 측정과 결정 방법에 관
Method of measurement of centre beam intensity and beam angle(s) of reflector lamps
이 규격에서는 다음 분류도에 포함되는 반주문형 집적 회로의 하위 범주에 관한 규격을 규
Semiconductor devices-Integrated circuits-Part 5:Semicustom integrated circuits
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