半峰宽与晶粒标准-分析测试百科网

特征指标17O-NMR半高峰宽度(以赫兹Hz表示)值应小于100，如要标识“低赫兹水”或“超低赫兹水”，应符合表1中的规定

Low Hertz 17O-NMR FWHM Natural Drinking Water

目前国内尚未制定水质17O-NMR半高峰宽测定标准，本文件的提出，旨在统一规范目前市场上17O-NMR半高峰宽的测定技术，以“17O-NMR半高峰宽(17O-NMR FWHM)”技术指标代替“小分子团”的概念

Determination of 17O-NMR FWHM in Water NMR Method

氧化镓（Ga2O3）因其具有4.9 eV超宽带隙，且具有天然的日盲紫外特性以及极高的击穿场强获得了广泛关注。氧化镓拥有日盲、耐高压高温、低损耗高功率等特点，在半导体功率器件及电力电子器件市场前景广泛。氧化镓单晶材料是氧化镓生长最理想的衬底，对提高外延薄膜的质量，降低位错密度，提高器件效率

Test method for full width at half maximum of double crystal X-ray rocking curve of Ga2O3 single crystal substrate

本文件根据碳化硅单晶的材料性能特点，并结合目前国内碳化硅晶体质量检测技术的研究水平，对碳化硅单晶摇摆曲线的测量原理、测量精度保障、测量步骤等内容作出了规定。本文件的主要结构和内容如下：本文件主题章共分为9章，主要内容包括：范围、规范性引用文件、术语和定义、测试原理、测试仪器、干扰因素

X-ray double crystal rocking curve FWHM test method for silicon carbide single wafer

本标准规定了判别双重晶粒度的方法。本标准将双重晶粒度分为两大类共六种类型，并分别描述了各类型的特征，提供了相应的表征方法及报告格式。本标准仅作为推荐性试验方法，不对材料验收测试的合格级别范围进行规定

Standard test methods for characterizing duplex grain sizes

Method of measurement for peak emission wavelength and spectral radiation bandwidth of light-emitting devices

本标准规定了利用双晶X射线衍射仪测试氮化镓单晶衬底片摇摆曲线半高宽的方法。本标准适用于化学气相沉积及其他方法生长制备的氮化镓单晶衬底片

Test method for full width at half maximum of double crystal X-ray rocking curve of GaN single crystal substrate

本标准根据金刚石单晶片的材料性能特点，并结合目前国内金刚石晶体质量检测技术的研究水平，对金刚石单晶片X射线双晶摇摆曲线的测试原理、测量精度保障、测量步骤等内容做出了规定。本标准主题章共分为11章，主要内容包括：范围、规范性引用文件、术语和定义、测试原理、测试仪器与校准、测试样品、干扰因素、测试

Test method for full width at half maximum of double crystal X-rayrocking curve of diamond single crystal substrate

5.1 Duplex grain size may occur in some metals

Standard Test Methods for Characterizing Duplex Grain Sizes

Methods of measurement for semiconductor infrared diodes Methods of measurement for peak emission wavelength and spectral half width

Semi-automatic hump technical conditions

This part of IEC 62435, is applicable to long-term storage of die and wafer devices and establishes specific storage regimen and conditions

Electronic components - Long-term storage of electronic semiconductor devices - Part 5: Die and wafer devices

Electronic components - Long-term storage of electronic semiconductor devices. - Part 5: Die and wafer devices

本标准规定了利用x射线衍射线宽化法来测定纳米材料晶粒尺寸和微观应变的方法。本标准采用的计算方法是近似函数法。本标准适用于测定晶粒尺寸一般不大于100 nm，微观应变一般不大于0. 1%的纳米材料

Determination of crystallite size and micro-strain of nano-materials.X-ray diffraction line broadening method

SILICA SAND - COARSE GRAIN

半峰宽与晶粒 标准查询与下载