而 HBT 组件在相位噪声,高 gm、高功率密度、崩溃电压与线性度上占优势,另外它可以单电源操作,因而简化电路设计及次系统实现的难度,十分适合于射频及中频收发模块的研制,特别是微波信号源与高线性放大器等电路。 砷化镓生产方式和传统的硅晶圆生产方式大不相同,砷化镓需要采用磊晶技术制造,这种磊晶圆的直径通常为 4-6 英寸,比硅晶圆的 12 英寸要小得多。...
FSM413红外激光测厚仪产品简介:1、利红外干涉测量技术,非接触式测量。2、适用于所有可让红外线通过的材料硅、蓝宝石、砷化镓、磷化铟、碳化硅、玻璃、石 英、聚合物…FSM413红外激光测厚仪规格:1、测量方式:红外干涉(非接触式)。2、样本尺寸:50、75、100、200、300 mm, 也可以订做客户需要的产品尺寸。3、测量厚度:15—780μm (单探头);3 mm (双探头总厚度测量)。...
半导体激光器又称激光二极管,是用半导体材料作为工作物质的激光器。由于物质结构上的差异,不同种类产生激光的具体过程比较特殊。常用工作物质有砷化镓(GaAs)、硫化镉(CdS)、磷化铟(InP)、硫化锌(ZnS)等。激励方式有电注入、电子束激励和光泵浦三种形式。 半导体激光器件,可分为同质结、单异质结、双异质结等几种。...
半导体激光器又称激光二极管,是用半导体材料作为工作物质的激光器。由于物质结构上的差异,不同种类产生激光的具体过程比较特殊。常用工作物质有砷化镓(GaAs)、硫化镉(CdS)、磷化铟(InP)、硫化锌(ZnS)等。激励方式有电注入、电子束激励和光泵浦三种形式。 半导体激光器件,可分为同质结、单异质结、双异质结等几种。...
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