砷化镓、磷化铟单晶晶向的测量方法 是非强制性国家标准,您可以免费下载前三页
而 HBT 组件在相位噪声,高 gm、高功率密度、崩溃电压与线性度上占优势,另外它可以单电源操作,因而简化电路设计及次系统实现的难度,十分适合于射频及中频收发模块的研制,特别是微波信号源与高线性放大器等电路。 砷化镓生产方式和传统的硅晶圆生产方式大不相同,砷化镓需要采用磊晶技术制造,这种磊晶圆的直径通常为 4-6 英寸,比硅晶圆的 12 英寸要小得多。...
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