T/ICMTIA 5.3-2020由中国团体标准 CN-TUANTI 发布于 2020-12-31,并于 2021-01-05 实施。
T/ICMTIA 5.3-2020在国际标准分类中归属于: 29.045 半导体材料。
本文件规定了ArF光刻胶的光刻检测要求及方法、检测标准及包装、运输、存储及环保要求。
这种方法可以用较少量的光刻胶形成更均匀的光刻胶铺展,最终以高速旋转形成满足厚薄与均匀度要求的光刻胶膜。 ( 动态喷洒法涂胶过程示意图) 随着IC集成度的提高,世界集成电路的制程工艺水平按已由微米级、亚微米级、深亚微米级进入到纳米级阶段。集成电路线宽不断缩小的趋势,对包括光刻在内的半导体制程工艺提出了新的挑战。...
目前,KrF/ArF仍是主流的加工材料。集成电路光刻胶产品技术路线演化半导体光刻胶可根据加工芯片的制程从大到小分为g线/i线光刻胶、Krf光刻胶、Arf光刻胶(干法及湿法)和EUV光刻胶。各类光刻胶中虽然各组分含量存在差异,但树脂含量一般在 20%以下,总体来适用波长越短的光刻胶,其树脂含量越低,溶剂含量越高。...
248 nm光刻胶成膜树脂和光致产酸剂化学放大型光刻胶反应机理3.2. ArF(193 nm)光刻胶当集成电路制造工艺发展到90nm 节点时,原本用于KrF光刻体系的PBOCST 光刻胶在193nm的波长下会表现出强烈的吸收,不能满足新的光刻要求。...
目前,KrF/ArF仍是主流的加工材料。集成电路光刻胶产品技术路线演化半导体光刻胶可根据加工芯片的制程从大到小分为g线/i线光刻胶、Krf光刻胶、Arf光刻胶(干法及湿法)和EUV光刻胶。各类光刻胶中虽然各组分含量存在差异,但树脂含量一般在 20%以下,总体来适用波长越短的光刻胶,其树脂含量越低,溶剂含量越高。...
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