德国SENTECH刻蚀机RIE刻蚀ICP刻蚀 SI500

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AI问答

可以做哪些实验，检测什么？可以用哪些耗材和试剂？

产品描述

系统配置:

编号	设备配置	具体指标
1	晶片尺寸	8"，使用载盘可以适用于2", 3", 4", 6" 晶圆, 以及小片样品)
2	等离子源	PTSA ICP等离子源 13.56 MHz, 功率1200 W 集成自动匹配网络
3	射频偏置电源	13.56 MHz, 600 W
4	电极温控	-30?C ~ 250?C （低温可选-150 ?C）
5	反应腔本底真空	≤ 1 x 10-6 mbar
6	气体管路	标准气柜***多可以配置16路气体管道。（可以增加气柜）
7	PC	Windows 7 Professional SENTECH高级等离子设备操作软件
8	预真空室	配置。
9	He晶片冷却	配置。
10	机械钳	配置。
11	深硅刻蚀典型指标	- 刻蚀速率： 2~5 ?m/min - 选择比(SiO2)： 90:1 特性: l 全自动/手动过程控制 l Recipe控制刻蚀过程 l 智能过程控制，包括跳转、循环调用recipe l 多用户权限设置 l 数据资料记录 l LAN网络接口 l Windows NT 操作软件选项: l 增加气路 l PTSA源石英窗口 l 在线监测窗口，穿过PTSA源 l 循环冷却器，用于下电极温度控制 (-30?C to 80?C) l 高密度等离子体磁性衬板 l 对等离子源和磁性衬板的外部升高装置 l Cassette到cassette操作方式 l 穿墙式安装方式 l 干涉式终点探测和刻蚀深度测量系统

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注：该产品未在中华人民共和国食品药品监督管理部门申请医疗器械注册和备案，不可用于临床诊断或治疗等相关用途

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