俄歇电子能谱仪对表面元素半定量分析
样品表面出射俄歇电子强度与样品中该原子的浓度有线性关系 , 利用这种关系可以进行元素的半定量分析。俄歇电子强度不仅与原子多少有关 , 还与俄歇电子的逃逸深度、样品的表面光洁度、元素存在的化学状态有关。因此 , AES 技术一般不能给出所分析元素的绝对含量 , 仅能提供元素的相对含量。
必须注意的是 , AES 给出的相对含量也与谱仪的状况有关。因为不仅各元素的灵敏度因子不同 ,AES 谱仪对不同能量俄歇电子的传输效率也不同 , 并会随谱仪污染程度而改变。当谱仪分析器受到严重污染时 , 低能端俄歇峰的强度可以大幅度下降。 AES 仅提供表面 1 ～ 3nm 表面层信息 , 样品表面的C 、O 污染以及吸附物的存在 , 也会严重影响定量分析结果。由于俄歇能谱各元素的灵敏度因子与一次电子束的激发能量有关 , 因此激发源的能量也会影响定量结果。
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