俄歇电子能谱仪的应用
近年来,俄歇电子能谱仪( AES) 在材料表面化学成分分析、表面元素定性和半定量分析、元素深度分布分析及微区分析方面崭露头角。AES 的优点是,在距表面 0.5 ～ 2nm 范围内, 灵敏度高、分析速度快,能探测周期表上 He 以后的所有元素。最初,俄歇电子能谱仪主要用于研究工作 ,现已成为一种常规分析测试手段,可以用于半导体技术、冶金、催化、矿物加工和晶体生长等许多领域。俄歇效应虽早在1925年已被发现,但获得实际应用却是在1968年以后。
材料在成型过程中,由于不同的加工条件 ,导致材料内部某些合金元素或杂质元素在自由表面或内界面(例如晶界)处发生偏析。偏析的存在严重影响材料的性能。但是偏析有时仅仅发生在界面的几个原子层范围内,在俄歇电子能谱分析方法出现以前,很难得到确凿的实验证实。具有极高表面灵敏度的俄歇电子能谱仪,为成功解释各种和界面化学成分有关的材料性能特点 ,提供了有效的分析手段。
目前,在材料科学领域的许多课题中,如金属和合金晶界脆断、蠕变、腐蚀,粉末冶金,金属和陶瓷的烧结、焊接和扩散连接工艺,复合材料以及半导体材料和器件的制造工艺等,俄歇电子能谱仪的应用十分活跃。
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