电子束光刻投影电子束扫描系统
扫描式电子束曝光系统可以得到极高的分辨率，但其生产率较低，不能满足大规模生产的需要。成形束系统生产率固然有所提高，但其分辨率一般在0.2μm左右，难以制作纳米级图形。近年来研发的投影电子束来曝光系统，既能使曝光分辨率达到纳米量级，又能大大提高生产率，且不需要邻近效应校正。在研制中的投影式电子束曝光系统主要有两种。
一种是Lucent公司的SCALPEL系统，平行电子束照射到SiNx薄膜构成的掩模上，薄膜上的图形层材料为W/Cr。当电子穿透SiNx和W/Cr两种原子序数不同的材料时，产生大小不同的散射角。在掩模下方缩小透镜焦平面上设置大小一定的光阑时，通过光阑孔的主要是小散射角的电子，而大散射角的电子则大多数被遮挡，于是在工件面上得到了缩小的掩模图形。再经过分布重复技术，将缩小图形逐块拼接成所要的图形。近期采用散射型掩模取代了吸收型镂空掩模，以及采用角度限制光阑技术使SCALPEL技术得到迅速的发展，故投影电子束扫描系统极可能成为本世纪0.1μm以下器件大规模生产的主要光刻手段。
另一种是Nikon公司和IBM公司合作研究的下一代投影曝光技术—PREVAIL，其技术实质是采用可变轴浸没透镜，对以硅为支架的碳化硅薄膜进行投影微缩曝光。由于将大量平行像素投影和扫描探测成形相结合，从而得到较高的曝光效率，并对像差进行实时校正。通过这项技术可望研制出高分辨率与高生产率统一的电子束步进机，用于
100nm～50nm电子束曝光。
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