关于俄歇电子能谱仪研究晶界扩散的方法介绍
研究晶界扩散的方法有三种：溅射剖面法、沿晶断裂法和表面累积法。
溅射剖面法是让溶质扩散到多晶试样中，然后用离子溅射剖蚀表面层，同时用AES测量，获得浓度 深度剖面图； 沿晶断裂法是把溶质蒸发到多晶试样的清洁表面，并进行热处理使其晶界扩散。然后在AES仪的超高真空中使试样沿晶断裂，利用细电子束斑获得溶质在晶界上的的浓度剖面； 表面累积法是根据监测积累在试样外表面上扩散物质的数量，测定扩散系数D=D0EXP(-ΔE/KT)。为确定系数D0和-ΔE（激活能），只要测定在一定温度范围内通过薄膜的扩散流，并将结果绘在LnD-1/T坐标上，测算出该直线的斜率和截距即可。以下是利用AES研究Cr通过Pt薄膜扩散的例子。
扩散对制备过程是，在Si (111)基质上蒸发140nm厚的Cr，随后沉积200nmPt膜。测量过程是，将该扩散对在超高真空中进行700-850K温度范围的扩散退火，当试样保持恒温时，周期性地测量Pt膜的俄歇谱，并记录Cr信号达到529eV时的时间，测试结果绘于上左图。由此可以算出D0=1.02×10-2，-ΔE=1.69eV，从而完成了测试任务。
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