晶型结构分析 X射线衍射法GB/T 30905-2014无机化工产品 元素含量的测定 X射线荧光光谱法GB/T 30906-2014三聚磷酸钠中三聚磷酸钠含量的测定 离子色谱法GB/T 30907-2014胶鞋 运动鞋减震性能试验方法GB/T 30908-2014摄影 加工废液 硼的测定GB/T 30909-2014胶鞋 丙烯腈迁移量的测定GB/T 30910-2014胶鞋 2-巯基苯并噻唑、二硫化二苯并噻唑迁移量的测定...
X射线光刻基础工艺X射线波长极短,使得其不会发生严重的衍射现象。我们在使用X射线进行曝光时对波长的选择是受到一定因素限制的,在曝光过程中,光刻胶会吸收X射线光子,而产生射程随X射线波长变化而相继改变的光电子,这些光电子会降低光刻分辨率,X射线的波长越短,光电子的射程越远,对光刻越不利。因此增加X射线的波长有助于提高光刻分辨率。...
56. design of experiments (DOE):为了达到费用最小化、降低试验错误、以及保证数据结果的统计合理性等目的,所设计的初始工程批试验计划。...
抛光目的是进一步去除加工表面残留的损伤层,抛光片可直接用于制作器件,也可作为外延的衬底材料。衬底制备的基本步骤外延生长工艺目前业界主要包括 MOCVD(化学气相沉淀)技术以及 MBE(分子束外延)技术两种。 例如,全新光电采用 MOCVD,英特磊采用 MBE 技术。 ...
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