T/ZZB 2833-2022
高压MOSFET用200 mm硅外延片

200 mm silicon epitaxial wafers for high voltage MOSFET

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标准号
T/ZZB 2833-2022
发布
2022年
发布单位
中国团体标准
当前最新
T/ZZB 2833-2022
 
 
适用范围
本文件规定了高压MOSFET用200 mm硅外延片（以下简称硅外延片）的术语和定义、基本要求、技术要求、试验方法、检验规则、包装、标志、 质量证明书、 运输和贮存及质量承诺。 本文件适用于直径为200 mm、外延层厚度为40 μm～80 μm、在n型重掺砷硅抛光片上生长n型掺磷外延层、晶向的硅外延片。产品主要用于制作高压金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET） 器件（简称高压MOSFET） 。

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