另一个比较SiC和硅的方法是用大家熟悉的品质因数(FOM),即RDS(ON) ×芯片面积(品质因数越低越好)。在1200V阻断电压下,意法半导体的SiC MOSFET的FOM值很小,约为市面上最好的高压硅MOSFET(900V超结管)的十分之一。...
GaN材料电子饱和漂移速率最高,适合高频率应用场景,但是在高压高功率场景不如SiC;随着成本的下降,GaN有望在中低功率领域替代二极管、IGBT、MOSFET等硅基功率器件。以电压来分,0~300V是Si材料占据优势,600V以上是SiC占据优势,300V~600V之间则是GaN材料的优势领域。...
硅外延片是指在硅单晶衬底上外延生长一层或多层硅单晶薄膜的材料,用于制造半导体分立器件和集成电路。 当前全球市场主流的产品是200mm(8寸)、300mm(12寸)直径的半导体硅片,下游芯片制造行业的设备投资也与200mm和300mm规格相匹配。 200mm及以下半导体硅片的需求主要来源于功率器件、电源管理器、非易失性存储器、MEMS、显示驱动芯片与指纹识别芯片等。 ...
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