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2在高纯多晶硅料中掺人过多低电阻率N型硅料苰IC的废N型硅片等。所制造出的掺硼CZ硅棒是一种高补偿的P型单晶材料。尽管电阻率合适,但硼一氧浓度非常高从而导致太阳电池性能出现较大幅度的早期光致衰减。我们强烈要求不使用低电阻率N型硅料。3一些公司拉棒工艺不过关,晶体硅中氧含量过高,内应力大,位错缺陷密度高,电阻率不均匀,都直接影响了太阳电池的效率及稳定性。我们希望改进拉棒工艺。控制氧含量。 ...
相关应用:半导体制造(光刻胶、氧化物/氮化物/SOI、晶圆背面研磨);LCD 液晶显示器(聚酰亚胺、ITO 透明导电膜);光学镀膜(硬涂层、抗反射层);MEMS 微机电系统(光刻胶、硅系膜层)。 R50四探针电阻率测量仪Filmetrics R50 系列提供接触式四点探针 (4PP) 和非接触式涡流 (EC)测量。最快 1 点/秒的速度映射导电膜的电阻率/电导率。...
单晶硅硅片 目前晶体硅太阳电池硅片分为单晶硅硅片和多晶硅硅片。 ...
工业使用者梦想通过CCZ晶体生长法得到超高电阻率的硅片,高电阻率或者超高电阻率的硅晶圆,在晶圆厚度方向电阻率具有良好的均匀性,同时沿轴向和径向的电阻率梯度也具有一定均匀性,且在整个器件加工时具备稳定性。然而,晶体生长技术推向工业生产之前都会进行无数次的设计测试和实验,为此付出的成本是无法估量的。...
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