找不到引用BH GSO ISO 29081:2016 的标准
采用第一性原理计算方法,模拟GaN和ZnO基半导体不同物理条件下的理论价带俄歇谱;通过实验测量相关半导体的俄歇电子能谱,分别建立材料应力、电荷及电场分布、结构和导电类型等宏观参量的微纳尺度测量技术。主要取得如下研究成果:提出俄歇电子能谱广义位移的概念,把所有能导致俄歇价电子谱的动能位移及其谱峰相对强度改变的因素(包括化学、物理等)都统一起来。建立了材料微纳米尺度宏观特性的俄歇价电子能谱表征新技术。...
表面分析方法表面分析方法有数十种,常用的有离子探针、俄歇电子能谱分析和X射线光电子能谱分析,其次还有离子中和谱、离子散射谱、低能电子衍射、电子能量损失谱、紫外线电子能谱等技术,以及场离子显微镜分析等。离子探针分析离子探针分析,又称离子探针显微分析。...
表面分析方法有数十种,常用的有离子探针、俄歇电子能谱分析和X射线光电子能谱分析,其次还有离子中和谱、离子散射谱、低能电子衍射、电子能量损失谱、紫外线电子能谱等技术,以及场离子显微镜分析等。离子探针分析离子探针分析,又称离子探针显微分析。...
表面分析方法有数十种,常用的有离子探针、俄歇电子能谱分析和X射线光电子能谱分析,其次还有离子中和谱、离子散射谱、低能电子衍射、电子能量损失谱、紫外线电子能谱等技术,以及场离子显微镜分析等。离子探针分析离子探针分析,又称离子探针显微分析。...
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