昂贵的时间成本和复杂的加工工艺使得碳化硅衬底的成本较高,限制了碳化硅的应用放量。此外,晶片尺寸越大,对应晶体的生长与加工技术难度越大,而下游器件的制造效率越高、单位成本越低。目前国际碳化硅晶片厂商主要提供4英寸至6英寸碳化硅晶片,Wolfspeed、II-VI等国际龙头企业已开始投资建设8英寸碳化硅晶片生产线。...
针对挑战,浙江大学通过设计碳化硅单晶生长设备的新型热场、发展碳化硅源粉的新技术、开发碳化硅单晶生长的新工艺,显著提升了碳化硅单晶的生长速率,成功生长出了厚度达到 50 mm 的 6 英寸碳化硅单晶。而且碳化硅单晶的晶体质量达到了业界水平。...
下图 中国科学院物理研究所陈小龙研究员在一幅演示碳化硅物理原理的图表前展示6英寸碳化硅单晶衬底(12月17日摄)。...
6英寸SiC单晶衬底的研发成功,为高性能SiC基电子器件的国产化提供了材料基础。 相关研究得到科技部、国家自然科学基金委、协同创新中心、中科院、北京市科委、新疆生产建设兵团科技局等有关部门的支持。 图1 6英寸碳化硅晶体和单晶衬底片 图2 6英寸碳化硅单晶片的拉曼光谱(4H碳化硅单晶) 图3 6英寸碳化硅单晶片的X射线摇摆曲线(半峰宽平均值仅27.2弧秒)...
Copyright ©2007-2022 ANTPEDIA, All Rights Reserved
京ICP备07018254号 京公网安备1101085018 电信与信息服务业务经营许可证:京ICP证110310号