T/IAWBS 005-2018
6 英寸碳化硅单晶抛光片

6 inch polished monocrystalline silicon carbide wafers


T/IAWBS 005-2018 中,可能用到以下仪器

 

EVG610单面/双面光刻机

EVG610单面/双面光刻机

北京亚科晨旭科技有限公司

 

奥谱天成ATT1121金属封装硅光电池(PD)

奥谱天成ATT1121金属封装硅光电池(PD)

奥谱天成(厦门)光电有限公司

 

T/IAWBS 005-2018

标准号
T/IAWBS 005-2018
发布
2018年
发布单位
中国团体标准
当前最新
T/IAWBS 005-2018
 
 
本标准适用于6 英寸4H 及6H 碳化硅单晶研磨片经单面或双面抛光后制备的碳化硅抛光片。规定了6 英寸4H 及6H 碳化硅单晶抛光片的必要的相关性术语、产品分类、技术要求、试验方法、检测规则以及标志、包装、运输、贮存等。本标准规定了碳化硅抛光片的晶向为碳化硅抛光片表面取向的正交晶向偏离为:a)&nb...

T/IAWBS 005-2018相似标准


推荐

碳化硅晶片加工过程及难点

昂贵的时间成本和复杂的加工工艺使得碳化硅衬底的成本较高,限制了碳化硅的应用放量。此外,晶片尺寸越大,对应晶体的生长与加工技术难度越大,而下游器件的制造效率越高、单位成本越低。目前国际碳化硅晶片厂商主要提供4英寸6英寸碳化硅晶片,Wolfspeed、II-VI等国际龙头企业已开始投资建设8英寸碳化硅晶片生产线。...

浙大成功生长出50mm厚6英寸碳化硅单晶

针对挑战,浙江大学通过设计碳化硅单晶生长设备的新型热场、发展碳化硅源粉的新技术、开发碳化硅单晶生长的新工艺,显著提升了碳化硅单晶的生长速率,成功生长出了厚度达到 50 mm 的 6 英寸碳化硅单晶。而且碳化硅单晶的晶体质量达到了业界水平。...

6英寸碳化硅单晶衬底研制成功

下图 中国科学院物理研究所陈小龙研究员在一幅演示碳化硅物理原理的图表前展示6英寸碳化硅单晶衬底(12月17日摄)。...

物理所成功研制6英寸碳化硅单晶衬底

6英寸SiC单晶衬底的研发成功,为高性能SiC基电子器件的国产化提供了材料基础。  相关研究得到科技部、国家自然科学基金委、协同创新中心、中科院、北京市科委、新疆生产建设兵团科技局等有关部门的支持。  图1 6英寸碳化硅晶体和单晶衬底片  图2 6英寸碳化硅单晶片的拉曼光谱(4H碳化硅单晶)  图3 6英寸碳化硅单晶片的X射线摇摆曲线(半峰宽平均值仅27.2弧秒)...


T/IAWBS 005-2018 中可能用到的仪器设备





Copyright ©2007-2022 ANTPEDIA, All Rights Reserved
京ICP备07018254号 京公网安备1101085018 电信与信息服务业务经营许可证:京ICP证110310号