T/CASAS 004.1-2018由中国团体标准 CN-TUANTI 发布于 2018-11-20,并于 2019-12-02 实施。
T/CASAS 004.1-2018在国际标准分类中归属于: 31.080.01 半导体器分立件综合。
由于4H-SiC缺陷特别是4H-SiC外延缺陷与常见的其它半导体缺陷形状、类型、起因因外延生长模式的不同而有所不同或完全不同,而且目前尚未有适用的国家标准和行业标准,因此,为了规范4H-SiC缺陷术语和定义,特制定本标准。
过去的研究报告证明,如果在外延层生长前正确处理衬底表面,晶圆衬底表面上的缺陷将会大幅减少,这是生长高品质外延层的关键所在。我们知道,氢气蚀刻方法可以去除数百奈米的体效应材料,从而改善晶圆表面的缺陷问题。 S. Soubatch等科学家研究了在1,400~1,600℃温度范围内氢气气相蚀刻方法对零偏4H-SiC(0001)晶圆的形貌和结构的影响。...
02.SiC外延片是SiC产业链条核心的中间环节目前碳化硅和氮化镓这两种芯片,如果想最大程度利用其材料本身的特性,较为理想的方案便是在碳化硅单晶衬底上生长外延层。 碳化硅外延片,是指在碳化硅衬底上生长了一层有一定要求的、与衬底晶相同的单晶薄膜(外延层)的碳化硅片。实际应用中,宽禁带半导体器件几乎都做在外延层上,碳化硅晶片本身只作为衬底,包括GaN外延层的衬底。 ...
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