IEC 60747-6-2-1991
半导体器件 分立器件 第6部分:晶闸管 第2节:电流在100A以下的环境或外壳额定的双向三极闸流晶体管空白详细规范

Semiconductor devices; discrete devices; part 6: thyristors; section 2: blank detail specification for bidirectional triode thyristors (triacs), ambient or case, up to 100 A

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标准号
IEC 60747-6-2-1991
发布日期
1991-05
实施日期
废止日期
无
中国标准分类号
L43
国际标准分类号
31.240
发布单位
IX-IEC
适用范围
Defines quality assessment procedures in such a manner that electronic components are acceptable in all other participating countries without the need for further testing. Refers to IEC 747-10/QC 700000 and IEC 747-11/QC 750000.

IEC 60747-6-2-1991系列标准

IEC 60747-1 AMD 1-2010 半导体器件.第1部分:总则 IEC 60747-1 AMD 3-1996 半导体器件 分立器件和集成电路 第1部分:总则 修改3 IEC 60747-1 Corrigendum 1-2008 半导体装置.第1部分:总则.技术勘误1 IEC 60747-1 Edition 2.1-2010 半导体器件.第1部分:总则 IEC 60747-1-2010 半导体器件.第1部分:一般 IEC 60747-1-2006/AMD1-2010 修改件1.半导体器件.第1部分:总则 IEC 60747-10 AMD 1-1995 半导体器件.第10部分:分立器件和集成电路的总规范.第1次修改 IEC 60747-10 AMD 3-1996 半导体器件 第10部分:分立器件和集成电路总规范 修改3 IEC 60747-10-1991/AMD3-1996 修改件3.半导体器件.第10部分:分立器件和集成电路总规范 IEC 60747-10-1991/AMD3-1996 修改件3.半导体器件.第10部分:分立器件和集成电路总规范 IEC 60747-11 AMD 1-1991 半导体器件 第11部分:分立器件分规范 修改1 IEC 60747-11 AMD 2-1996 半导体器件 第11部分:分立器件分规范 修改2 IEC 60747-11-1985/AMD2-1996 修正案2——半导体器件 离散设备 第11部分:分段 分立器件规范 IEC 60747-11-1985/AMD1-1991 修改件1——半导体器件 离散设备 第11部分:分段 分立器件规范 IEC 60747-11-1985/AMD2-1996 修正案2——半导体器件 离散设备 第11部分:分段 分立器件规范 IEC 60747-12-1-1995 半导体器件 第12部分:光电子器件 第2节:纤维光学系统和子系统用带/不带尾纤的光发射或红外发射二极管空白详细规范 IEC 60747-12-6-1997 半导体器件 第12-6部分:光电子器件 纤维光学系统或子系统用带/不带尾纤的雪崩光电二极管空白详细规范 IEC 60747-12-2-1995 半导体器件 第12部分:光电子器件 第2节:纤维光学系统和子系统带尾纤的激光二极管模块空白详细规范 IEC 60747-12-3-1998 半导体器件 第12-3部分:光电子器件 显示用发光二极管空白详细规范 IEC 60747-12-4-1997 半导体器件 第12-4部分:光电子器件 纤维光学系统或子系统用带/不带尾纤的PIN-FET模块空白详细规格 IEC 60747-12-5-1997 半导体器件 第12-5部分:光电子器件 纤维光学系统或子系统用带/不带尾纤的PIN光电二极管空白详细规范 IEC 60747-12-6-1997 半导体器件 第12-6部分:光电子器件 纤维光学系统或子系统用带/不带尾纤的雪崩光电二极管空白详细规范 IEC 60747-14-1-2010 半导体器件.第14-1部分:半导体传感器.传感器用总规范 IEC 60747-14-10-2019 半导体器件.第14-10部分:半导体传感器.可穿戴葡萄糖传感器的性能评估方法 IEC 60747-14-11-2021 IEC 60747-14-2-2000 半导体器件 第14-2部分:半导体元件 霍尔元件 IEC 60747-14-3-2009 半导体器件.第14-3部分:半导体敏感器.压力敏感器 IEC 60747-14-4-2011 半导体器件.分立器件.第14-4部分:半导体感应器 IEC 60747-14-5-2010 半导体器件.第14-5部分:半导体传感器.PN-结点半导体温度传感器 IEC 60747-15-2010 半导体器件.分立器件.第15部分:单独的电力半导体器件 IEC 60747-16-1 AMD 1-2007 半导体器件.第16-1部分:微波集成电路.放大器.修改件1 IEC 60747-16-1 AMD 2-2017 半导体器件.第16-1部分:微波集成电路.放大器.修改件2 IEC 60747-16-1 Edition 1.1-2007 半导体器件.第16-1部分:微波集成电路.放大器 IEC 60747-16-1 Edition 1.2-2017 半导体器件. 第16-1部分: 微波集成电路. 放大器 IEC 60747-16-1-2001/AMD2-2017 修改件2.半导体器件.第16-1部分:微波集成电路.放大器 IEC 60747-16-1-2001/AMD1-2007 修改件1.半导体器件.第16-1部分:微波集成电路.放大器 IEC 60747-16-1-2001/AMD2-2017 修改件2.半导体器件.第16-1部分:微波集成电路.放大器 IEC 60747-16-10-2004 半导体器件.第16-10部分:单片型微波集成电路的技术验收程序(TAS) IEC 60747-16-2 AMD 1-2007 半导体器件.第16-2部分:微波集成电路.频率预定标器 IEC 60747-16-2 Edition 1.1-2008 半导体器件.第16-2部分:微波集成电路.频率预定标器 IEC 60747-16-2-2001/AMD1-2007 修改件1.半导体器件.第16-2部分:微波集成电路.频率预分频器 IEC 60747-16-2-2001/AMD1-2007 修改件1.半导体器件.第16-2部分:微波集成电路.频率预分频器 IEC 60747-16-3 AMD 1-2009 半导体装置.第16-3部分:微波集成电路.频率转换器.修改件1 IEC 60747-16-3 Edition 1.1-2010 半导体器件.第16-3部分:微波集成电路.变频器 IEC 60747-16-3-2010 IEC 60747-16-3-2002/AMD1-2009 修改件1.半导体器件.第16-3部分:微波集成电路.变频器 IEC 60747-16-3-2002/AMD2-2017 修改件2.半导体器件.第16-3部分:微波集成电路.变频器 IEC 60747-16-4 AMD 1-2009 半导体装置.第16-4部分:微波集成电路.开关.修改件1 IEC 60747-16-4 Edition 1.1-2011 半导体器件.第16-4部分:微波集成电路.开关 IEC 60747-16-4-2004/AMD2-2017 修改件2.半导体器件.第16-4部分:微波集成电路.开关 IEC 60747-16-4-2004/AMD1-2009 修改件1.半导体器件.第16-4部分:微波集成电路.开关 IEC 60747-16-4-2004/AMD2-2017 修改件2.半导体器件.第16-4部分:微波集成电路.开关 IEC 60747-16-5-2013/AMD1-2020 修改件1.半导体器件.第16-5部分:微波集成电路.振荡器 IEC 60747-16-5-2013/AMD1-2020 修改件1.半导体器件.第16-5部分:微波集成电路.振荡器 IEC 60747-16-6-2019 半导体器件第16-6部分:微波集成电路倍频器 IEC 60747-17 CORR 1-2021 半导体装置. 第17部分: 基本和加强隔离用磁性和电容性耦合器; 勘误1 IEC 60747-17-2020 半导体器件第17部分:基本和加强绝缘用磁性和电容耦合器 IEC 60747-18-1-2019 半导体器件第18-1部分:半导体生物传感器无透镜CMOS光子阵列传感器校准的试验方法和数据分析 IEC 60747-18-2-2020 半导体器件.第18-2部分:半导体生物传感器.无透镜CMOS光子阵列传感器组件的评估过程 IEC 60747-18-3-2019 半导体器件.第18-3部分:半导体生物传感器.带射流系统的无透镜CMOS光子阵列传感器组件的流体流动特性 IEC 60747-19-1-2019 半导体器件第19-1部分:智能传感器智能传感器控制方案 IEC 60747-2 AMD 1-1992 第1次修改 IEC 60747-2 AMD 2-1993 半导体器件.分立器件.第2部分:整流二极管.修改件2 IEC 60747-2-1-1989 半导体器件 分立器件 第2部分:整流二极管 第1节:电流在100A以下环境和外壳额定的整流二极管(包括雪崩整流二极管)空白详细规范 IEC 60747-2-2016 半导体器件.第2部分:分立器件.整流二极管 IEC 60747-2-2-1993 半导体器件 分立器件 第2部分:整流二极管 第1节:电流在100A以上环境和外壳额定的整流二极管(包括雪崩整流二极管)空白详细规范 IEC 60747-3 AMD 1-1991 半导体器件 分立器件 第3部分:信号二极管(包括开关二极管)及调整二极管 修改1 IEC 60747-3 AMD 2-1993 半导体器件 分立器件 第3部分:信号二极管(包括开关二极管)及调整二极管 修改2 IEC 60747-3-1-1986 半导体器件 分立器件 第3部分:信号二极管(包括开关二极管)及调整二极管 第1节:信号二极管、开关二极管和可控雪崩二极管空白详细规范 IEC 60747-3-2013 半导体器件.第3部分:分立器件:信号二极管、开关二极管及调整二极管 IEC 60747-3-2-1986 半导体器件 分立器件 第3部分:信号二极管(包括开关二极管)及调整二极管 第2节:电压调整二极管和电压基准二极管(不包括温度补偿精密基准二极管)空白详细规范 IEC 60747-4 AMD 1-2017 半导体装置.分立装置.第4部分:微波二极管和晶体管.修改件1 IEC 60747-4 AMD 2-1999 半导体器件 分立器件 第4部分:微波二极管和晶体管 修改2 IEC 60747-4 Edition 1.2-2001 半导体器件.分立器件.第4部分:微波器件 IEC 60747-4-1-2000 半导体器件 分立器件 第4-1部分:微波二极管和晶体管 微波场效应晶体管 空白详细规范 IEC 60747-4-2007/AMD1-2017 修改件1.半导体器件.分立器件.第4部分:微波二极管和晶体管 IEC 60747-4-2-2000 半导体器件 分立器件 第4-2部分:微波二极管和晶体管 集成电路微波放大器 空白详细规范 IEC 60747-4-2007/AMD1-2017 修改件1.半导体器件.分立器件.第4部分:微波二极管和晶体管 IEC 60747-5-1 AMD 1-2001 半导体分立器件和集成电路 第5-1部分:光电子器件 总规范 修改1 IEC 60747-5-1 AMD 2-2002 半导体分立器件和集成电路.第5-1部分:光电子器件.总则 IEC 60747-5-1 Edition 1.2-2002 半导体分立器件和集成电路.第5-1部分:光电子器件.总则 IEC 60747-5-1-1997/AMD2-2002 修改件2.分立半导体器件和集成电路.第5-1部分:光电子器件.总则 IEC 60747-5-1-1997/AMD1-2001 修改件1.分立半导体器件和集成电路.第5-1部分:光电子器件.总则 IEC 60747-5-1-1997/AMD2-2002 修改件2.分立半导体器件和集成电路.第5-1部分:光电子器件.总则 IEC 60747-5-10-2019 半导体器件第5-10部分:光电子器件发光二极管基于室温基准点的内部量子效率试验方法 IEC 60747-5-11-2019 半导体器件第5-11部分:光电子器件发光二极管发光二极管辐射电流和非辐射电流的试验方法 IEC 60747-5-13-2021 IEC 60747-5-14-2022 半导体器件第5-14部分:光电子器件发光二极管基于热反射法的表面温度试验方法 IEC 60747-5-15-2022 半导体器件第5-15部分:光电子器件发光二极管基于电反射光谱法的平带电压试验方法 IEC 60747-5-9-2019 半导体器件第5-9部分:光电子器件发光二极管基于温度依赖性电致发光的内部量子效率试验方法 IEC 60747-5-2 AMD 1-2002 半导体分立器件和集成电路.第5-2部分:光电子器件.基础额定值及特性 IEC 60747-5-2 Edition 1.1-2009 分立半导体器件及集成电路.第5-2部分:光电元件.基本额定值及特性 IEC 60747-5-2-1997/AMD1-2002 修改件1.分立半导体器件和集成电路.第5-2部分:光电子器件.基本额定值和特性 IEC 60747-5-2-1997/AMD1-2002 修改件1.分立半导体器件和集成电路.第5-2部分:光电子器件.基本额定值和特性 IEC 60747-5-3 AMD 1-2002 半导体分立器件和集成电路.第5-3部分:光电子器件.测量方法 IEC 60747-5-3 Edition 1.1-2009 分立半导体器件及集成电路.第5-3部分:光电元件.测量方法 IEC 60747-5-3-1997/AMD1-2002 修改件1.分立半导体器件和集成电路.第5-3部分:光电子器件.测量方法 IEC 60747-5-3-1997/AMD1-2002 修改件1.分立半导体器件和集成电路.第5-3部分:光电子器件.测量方法 IEC 60747-5-4-2022 半导体器件第5-4部分:光电子器件半导体激光器 IEC 60747-5-5 AMD 1-2013 半导体器件.分立器件.第5-5部分:光电器件.光电耦合器 IEC 60747-5-5 Edition 1.1-2013 半导体器件.分立器件.第5-5部分:光电器件.光电耦合器 IEC 60747-5-5-2020 半导体器件第5-5部分:光电子器件光电耦合器 IEC 60747-5-5-2007/AMD1-2013 修改件1.半导体器件.分立器件.第5-5部分:光电子器件.光电耦合器 IEC 60747-5-6-2021 半导体设备. 第5-6部分: 光电设备. 发光二极管 IEC 60747-5-7-2016 半导体设备. 第5-7部分: 光电设备. 光电二极管和光电晶体管 IEC 60747-5-8-2019 半导体器件第5-8部分:光电子器件发光二极管发光二极管光电效率试验方法 IEC 60747-5-9-2019 半导体器件第5-9部分:光电子器件发光二极管基于温度依赖性电致发光的内部量子效率试验方法 IEC 60747-6 AMD 1-1991 第1次修改 IEC 60747-6 AMD 2-1994 第2次修改 IEC 60747-6-1-1989 半导体器件 分立器件 第6部分:晶闸管 第1节:电流在100A以下的环境和外壳额定的反向阻断三极闸流晶体管空白详细规范 IEC 60747-6-3-1993 半导体器件 分立器件 第6部分:晶闸管 第3节:电流在100A以上的环境和外壳额定的反向阻断三极闸流晶体管空白详细规范 IEC 60747-6-3-1993 半导体器件 分立器件 第6部分:晶闸管 第3节:电流在100A以上的环境和外壳额定的反向阻断三极闸流晶体管空白详细规范 IEC 60747-7 AMD 1-1991 半导体分立器件和集成电路.第7部分:双极晶体管.修改件1 IEC 60747-7 AMD 2-1994 半导体分立器件和集成电路.第7部分:双极性晶体管.补充件2 IEC 60747-7-1-1989 半导体器件 分立器件 第7部分:双极晶体管 第1节:低频和高频放大环境额定双极晶体管空白详细规范 IEC 60747-7-5-2005 半导体器件.分立器件.第7-5部分:电源转换用双极晶体管 IEC 60747-7-2-1989 半导体器件 分立器件 第7部分:双极晶体管 第2节:低频放大外壳额定双极晶体管空白详细规范 IEC 60747-7-2010/AMD1-2019 修改件1.半导体器件.分立器件.第7部分:双极晶体管 IEC 60747-7-3-1991 半导体器件 分立器件 第7部分:双极晶体管 第3节:开关用双极晶体管空白详细规范 IEC 60747-7-4-1991 半导体器件 分立器件 第7部分:双极晶体管 第4节:高频放大外壳额定双极晶体管空白详细规范 IEC 60747-7-5-2005 半导体器件.分立器件.第7-5部分:电源转换用双极晶体管 IEC 60747-8 AMD 1-2021 半导体器件. 分立器件. 第8部分: 场效应晶体管. 修改件1 IEC 60747-8 AMD 2-1993 第2次修改 IEC 60747-8 Edition 3.1-2021 半导体器件. 分立器件. 第8部分: 场效应晶体管 IEC 60747-8-1-1987 半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管 第1节:5W、1GHz以下的单栅场效应晶体管空白详细规范 IEC 60747-8-am1 ed3.0 IEC 60747-8-2-1993 半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管 第2节:外壳额定功率放大场效应晶体管空白详细规范 IEC 60747-8-2010/AMD1-2021 修改件1.半导体器件.分立器件.第8部分:场效应晶体管 IEC 60747-8-3-1995 半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管 第3节:外壳额定开关场效应晶体管空白详细规范 IEC 60747-8-4-2004 半导体分立器件.第8-4部分:电力开关装置用金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFETs) IEC 60747-9 AMD 1-2001 半导体器件 分立器件 第9部分:绝缘栅双极晶体管(IGBTS) 修改1 IEC 60747-9 Edition 1.1-2001 半导体器件.分立器件.第9部分:绝缘双极晶体管(IGBTS) IEC 60747-9-2019 IEC 60747-9-2019


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