依据G B/T 1558-2009和G B/T 1557-2006,红外光谱法可以在对单晶硅中代位碳和间隙氧进行定性的同时进行定量测定,具有快速、方便、准确的优点。 关键词: 红外光谱法 单晶硅 碳氧含量 定量测定 · 原理利用硅中代位碳原子和间隙氧原子分别在波数607.2cm -1和1107cm -1 有特征吸收,根据吸收峰的吸收系数来确定代位碳原子浓度和间隙氧原子的浓度。 ...
针对直拉单晶硅中杂质元素以及氮氧复合体的测量,布鲁克CryoSAS全自动、高灵敏度工业低温硅质量控制分析系统,通过测试位于中/远红外波段间隙氧(1136.3cm-1, 1205.6cm-1)[7],代位碳(607.5cm-1)[6,7],III-V族元素[4,5]以及氮氧复合体吸收谱带(249.8,240.4cm-1[1,2]),通过直接或间接计算获得相应元素含量值。...
碳在硅中的固态溶解度可达4×1018/cm3,主要来源于多晶硅。碳在硅中呈替代位置,是中性等电子杂质,但易与氧和缺陷构成复合体,诱生其他缺陷,是硅中的有害杂质,当碳浓度很高时会导致P-N结过早击穿。因此,有效控制硅晶体中氧、碳的含量是非常重要的。红外吸收光谱法由于制样简单、测试快捷准确,成为商业生产硅片中氧、碳含量测定的特征技术。...
;声子光谱、半导体材料带隙,低维异质结构厚度以及电子特性研究;外延层厚度分析:同质外延,异质外延,单层,多层;红外光电探测器器件光谱响应表征:光电流谱;红外发光器件、激光器等电致发光器件中心波长、线宽、带宽表征:ICL,QCL,VCSEL;工业高纯晶体硅质量控制:间隙氧,代位碳,III_VI族杂质元素分析;光伏硅晶体质量控制:间隙氧,代位碳,施主,受主元素含量;切割前硅晶棒、硅锭中氧含量轴向分布分析...
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