GB/T 1558-2023
硅中代位碳含量的红外吸收测试方法

Infrared absorption test method for substituted carbon content in silicon

GBT1558-2023, GB1558-2023


 

 

非常抱歉,我们暂时无法提供预览,您可以试试: 免费下载 GB/T 1558-2023 前三页,或者稍后再访问。

您也可以尝试购买此标准,
点击右侧 “立即购买” 按钮开始采购(由第三方提供)。

 

标准号
GB/T 1558-2023
别名
GBT1558-2023, GB1558-2023
发布
2023年
发布单位
国家质检总局
当前最新
GB/T 1558-2023
 
 
被代替标准
GB/T 1558-2009

GB/T 1558-2023相似标准


推荐

红外光谱法在含量测定上应用

依据G B/T 1558-2009和G B/T 1557-2006,红外光谱法可以在对单晶代位和间隙氧进行定性同时进行定量测定,具有快速、方便、准确优点。 关键词: 红外光谱法  单晶  含量  定量测定  · 原理利用代位碳原子和间隙氧原子分别在波数607.2cm -1和1107cm -1 有特征吸收,根据吸收吸收系数来确定代位碳原子浓度和间隙氧原子浓度。    ...

掺氮直拉单晶(Nitrogen-doped CZ Silicon, NCZ-Si)低温远红外测量

针对直拉单晶杂质元素以及氮氧复合体测量,布鲁克CryoSAS全自动、高灵敏度工业低温质量控制分析系统,通过测试位于/远红外波段间隙氧(1136.3cm-1, 1205.6cm-1)[7],代位(607.5cm-1)[6,7],III-V族元素[4,5]以及氮氧复合体吸收谱带(249.8,240.4cm-1[1,2]),通过直接或间接计算获得相应元素含量值。...

氧、二次离子质谱(SIMS)分析

固态溶解度可达4×1018/cm3,主要来源于多晶呈替代位置,是中性等电子杂质,但易与氧和缺陷构成复合体,诱生其他缺陷,是有害杂质,当浓度很高时会导致P-N结过早击穿。因此,有效控制晶体氧、含量是非常重要红外吸收光谱法由于制样简单、测试快捷准确,成为商业生产硅片中氧、含量测定特征技术。...

展会预告|与您相约SEMICON CHINA 2023

;声子光谱、半导体材料带隙,低维异质结构厚度以及电子特性研究;外延层厚度分析:同质外延,异质外延,单层,多层;红外光电探测器器件光谱响应表征:光电流谱;红外发光器件、激光器等电致发光器件中心波长、线宽、带宽表征:ICL,QCL,VCSEL;工业高纯晶体质量控制:间隙氧,代位,III_VI族杂质元素分析;光伏晶体质量控制:间隙氧,代位,施主,受主元素含量;切割前晶棒、含量轴向分布分析...


谁引用了GB/T 1558-2023 更多引用





Copyright ©2007-2022 ANTPEDIA, All Rights Reserved
京ICP备07018254号 京公网安备1101085018 电信与信息服务业务经营许可证:京ICP证110310号