GB/T 1558-1997
硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法
Test method for substitutional atomic carbon content of silicon by infrared absorption
GBT1558-1997, GB1558-1997
2010-06
- 标准号
- GB/T 1558-1997
- 别名
- GBT1558-1997, GB1558-1997
- 发布
- 1997年
- 发布单位
- 国家质检总局
- 替代标准
- GB/T 1558-2009
- 当前最新
- GB/T 1558-2023
- 适用范围
- 本标准规定了硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法。 本标准适用于载流子浓度小于5×1016cm-3、室温电阻率大于0.1Ω·cm的硅单晶中代位碳原子浓度的测定。由于碳也可能存在于间隙位置，因而本方法不能测定总碳浓度。 本标准也适用于硅多晶中代位碳原子浓度的测定，其晶粒界间区的碳同样不能测定。 本标准测量碳原子浓度的有效范围为：室温下从硅中代位碳原子浓度1×1016at·cm-3（200PPba）到碳原子的最大溶解度，77K时下限降到5×1015at·cm（100PPba）。
GB/T 1558-1997相似标准
推荐
红外光谱法在硅中氧碳含量测定上的应用
依据G B/T 1558-2009和G B/T 1557-2006，红外光谱法可以在对单晶硅中代位碳和间隙氧进行定性的同时进行定量测定,具有快速、方便、准确的优点。 关键词： 红外光谱法 单晶硅 碳氧含量 定量测定 · 原理利用硅中代位碳原子和间隙氧原子分别在波数607.2cm -1和1107cm -1 有特征吸收，根据吸收峰的吸收系数来确定代位碳原子浓度和间隙氧原子的浓度。 ...
掺氮直拉单晶硅（Nitrogen-doped CZ Silicon, NCZ-Si）中氮的低温远红外测量
针对直拉单晶硅中杂质元素以及氮氧复合体的测量，布鲁克CryoSAS全自动、高灵敏度工业低温硅质量控制分析系统，通过测试位于中/远红外波段间隙氧（1136.3cm-1, 1205.6cm-1）[7]，代位碳(607.5cm-1)[6,7]，III-V族元素[4,5]以及氮氧复合体吸收谱带（249.8,240.4cm-1[1,2]），通过直接或间接计算获得相应元素含量值。...