GB/T 1551-1995
硅、锗单晶电阻率测定 直流两探针法

Test method for resistivity of silicon and germanium bars using a two-point probe

GBT1551-1995, GB1551-1995

2010-06

标准号
GB/T 1551-1995
别名
GBT1551-1995, GB1551-1995
发布
1995年
发布单位
国家质检总局
替代标准
GB/T 1551-2009
当前最新
GB/T 1551-2021
 
 
适用范围
本标准规定了用直流两探针测量硅和锗单晶锭电阻率的方法。 本标准适用于测量截面积均匀的圆形、方形或矩形单晶锭的电阻率。测量范围:硅单晶为10-3~104Ω·cm,锗单晶为5×10-4~102Ω·cm。试样长度与截面最大尺寸之比应不小于3:1

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