GB/T 6617-1995
硅片电阻率测定 扩展电阻探针法
Test method for measuring resistivity of silicon wafers using spreading resistance probe
GBT6617-1995, GB6617-1995
2010-06
说明：
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- 标准号
- GB/T 6617-1995
- 别名
- GBT6617-1995
GB6617-1995 - 发布
- 1995年
- 发布单位
- 国家质检总局
- 替代标准
- GB/T 6617-2009
- 当前最新
- GB/T 6617-2009
- 本标准规定了硅片电阻率的扩展电阻探针测量方法。 本标准适用于测量晶体取向与导电类型已知的硅片的电阻率和测量与衬底同型或反型的硅外延层的电阻率。测量范围：10-3～102Ω·cm。