GB/T 6617-1995
硅片电阻率测定 扩展电阻探针法
Test method for measuring resistivity of silicon wafers using spreading resistance probe
GB/T 6617-1995 发布历史
本标准规定了硅片电阻率的扩展电阻探针测量方法。 本标准适用于测量晶体取向与导电类型已知的硅片的电阻率和测量与衬底同型或反型的硅外延层的电阻率。测量范围：10～10Ω·cm。
GB/T 6617-1995由国家质检总局 CN-GB 发布于 1995-04-18，并于 1995-12-01 实施，于 2010-06-01 废止。
GB/T 6617-1995 在中国标准分类中归属于: H21 金属物理性能试验方法。
GB/T 6617-1995的历代版本如下：
- 1995年04月18日 GB/T 6617-1995 硅片电阻率测定 扩展电阻探针法
- 2009年10月30日 GB/T 6617-2009 硅片电阻率测定 扩展电阻探针法
GB/T 6617-1995 硅片电阻率测定 扩展电阻探针法 于 2009-10-30 变更为 GB/T 6617-2009 硅片电阻率测定 扩展电阻探针法。
- 标准号
- GB/T 6617-1995
- 发布日期
- 1995年04月18日
- 实施日期
- 1995年12月01日
- 废止日期
- 2010-06-01
- 中国标准分类号
- H21
- 国际标准分类号
- 29.040.30
- 发布单位
- CN-GB
- 代替标准
- GB/T 6617-2009
- 适用范围
- 本标准规定了硅片电阻率的扩展电阻探针测量方法。 本标准适用于测量晶体取向与导电类型已知的硅片的电阻率和测量与衬底同型或反型的硅外延层的电阻率。测量范围：10-3～102Ω·cm。