GB/T 6617-1995
硅片电阻率测定 扩展电阻探针法
Test method for measuring resistivity of silicon wafers using spreading resistance probe
哪些标准引用了GB/T 6617-1995
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- 标准号
- GB/T 6617-1995
- 发布日期
- 1995年04月18日
- 实施日期
- 1995年12月01日
- 废止日期
- 2010-06-01
- 中国标准分类号
- H21
- 国际标准分类号
- 29.040.30
- 发布单位
- CN-GB
- 代替标准
- GB/T 6617-2009
- 适用范围
- 本标准规定了硅片电阻率的扩展电阻探针测量方法。 本标准适用于测量晶体取向与导电类型已知的硅片的电阻率和测量与衬底同型或反型的硅外延层的电阻率。测量范围：10-3～102Ω·cm。