DIN 50434:1986
半导体工艺材料的检验.对(111)和(100)表面采用蚀刻技术的单晶硅的晶体结构缺陷的测定
Testing of materials for semiconductor technology; detection of crystal defects in monocrystalline silicon using etching techniques on {111} and {100} surfaces
DIN 50434:1986 中，可能用到以下仪器设备
- 标准号
- DIN 50434:1986
- 发布
- 1986年
- 发布单位
- 德国标准化学会
- 当前最新
- DIN 50434:1986
- 该标准定义了通过{111}-和{100}-表面蚀刻技术确定单晶硅晶体学完整性的方法。它适用于电阻率低至 0.005cm 的 n 型或 p 型掺杂硅，位错密度在 100 至 100000 cm 范围内。#,,#
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