DIN 50434:1986
半导体工艺材料的检验.对(111)和(100)表面采用蚀刻技术的单晶硅的晶体结构缺陷的测定
Testing of materials for semiconductor technology; detection of crystal defects in monocrystalline silicon using etching techniques on {111} and {100} surfaces
- 标准号
- DIN 50434:1986
- 发布
- 1986年
- 发布单位
- 德国标准化学会
- 当前最新
- DIN 50434:1986
- 适用范围
- This standard defines a method for the determination of the crystallographic perfection of mono-crystalline silicon by etch techniques on {111}- and {100}-surfaces. It is applicable to n-type or p-typed doped silicium with specific resistance down to 0,005
cm and to dislocation densities within 100 and 100000 cm<(hoch)-2>.#,,#
DIN 50434:1986相似标准
推荐
氢气作反应气︱用于半导体行业的ICP-MS分析
过氧化氢作为强氧化剂，可用于清洗硅片、去除光刻硝酸和氢氟酸混合物混合物用于蚀刻单晶硅和多晶硅硫酸与过氧化氢的混合物可用于晶圆加工过程的清洗盐酸用于去除硅片表面的有机和金属残留等杂质随着半导体器件性能的持续提高，对杂质的控制要求也更加严格，所用化学品中的痕量的杂质会影响最终产品的性能和产量。...
晶圆制备——如何从沙子到wafer？（一）
在晶格中Si-Si键的长度是2.352A，固体密度是2.33g/cm3，熔点是1414C，正四面体结构。说起晶格，自然就有晶向和晶面的概念，我们的半导体晶向有，和三种晶向，晶面自然就有[100]，[110]和[111]三种，分别如下图所示。...
半导体材料检测种类总结，你知道哪些？
检测方法目前半导体材料检测分析的重点逐渐转向对半导体薄膜，特别是薄膜的表面、异质结界面性质研究和对薄膜材料的组甜和结构分析。新型测试分析方法如结电容技术，激光光谱技术，俄歇电子能谱、二次离子质谱和电子显微分析技术等的建立与不断完善，为深入研究杂质和缺陷在半导体材料中的行为、杂质与缺陷相互作用、表面、界面质量、混晶组份以及结梅缺陷等提供了有力手段，促进了半导体材料及物理学的发展。...
半导体材料检测种类、项目与方法
检测方法目前半导体材料检测分析的重点逐渐转向对半导体薄膜，特别是薄膜的表面、异质结界面性质研究和对薄膜材料的组甜和结构分析。新型测试分析方法如结电容技术，激光光谱技术，俄歇电子能谱、二次离子质谱和电子显微分析技术等的建立与不断完善，为深入研究杂质和缺陷在半导体材料中的行为、杂质与缺陷相互作用、表面、界面质量、混晶组份以及结梅缺陷等提供了有力手段，促进了半导体材料及物理学的发展。...