DIN 50448:1998由德国标准化学会 DE-DIN 发布于 1998-01。
DIN 50448:1998 在中国标准分类中归属于: H80 半金属与半导体材料综合,在国际标准分类中归属于: 29.045 半导体材料。
DIN 50448:1998 半导体工艺材料试验.使用电容式探测器对半绝缘半导体切片电阻率的无接触测定的最新版本是哪一版?
最新版本是 DIN 50448:1998 。
本文档涵盖了高欧姆电阻、半绝缘半导体切片的电阻率非接触式测定。
材料的电阻率表示为:用式(4-1-4)计算的Pi与实际测得的Pi相差极大,因为在实际上没有真正无杂质的纯晶体。电子密度Ni与温度关系较大,随温度变化快。Ni与μe(h)比较,μe(h)随温度变化较慢一些:6.几种材料的禁带度禁带宽度越宽,晶体的使用温度越高,0.66eV(低温)→1.45eV(室温)→2.8eV(高温)。锗原子序数为32,碘化钠原子序数为11、53,因此两个探测器探测效率相差不多。...
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STM样品的制备:作为一种表面分析技术,STM适用于各种导电样品的表面结构研究。样品必须具有一定程度的导电性;1、对于金属、半导体的样品材料,首先要对其进行抛光处理,然后在真空或者超真空条件下,对样品进行热处理(退火)、离子溅射轰击等处理,以便获得除去表面污物的平整的原子级表面晶面。2、对于半导体,需要采用加热去氧化的工艺除去表面的氧化物。...
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