材料的电阻率表示为:用式(4-1-4)计算的Pi与实际测得的Pi相差极大,因为在实际上没有真正无杂质的纯晶体。电子密度Ni与温度关系较大,随温度变化快。Ni与μe(h)比较,μe(h)随温度变化较慢一些:6.几种材料的禁带度禁带宽度越宽,晶体的使用温度越高,0.66eV(低温)→1.45eV(室温)→2.8eV(高温)。锗原子序数为32,碘化钠原子序数为11、53,因此两个探测器探测效率相差不多。...
校准规范JJF(有色金属) 0001-2021慢应变速率应力腐蚀试验机校准规范JJF(有色金属) 0002-2021激光诱导击穿光谱仪校准规范JJF(有色金属) 0003-2021周期浸润试验箱校准规范JJF(有色金属) 0004-2021材料力学性能测试用非接触式视频引伸计校准规范JJF(有色金属) 0005-2021有色金属材料用多维探测器X射线衍射仪校准规范JJF(建材)176-2021低辐射镀膜玻璃膜面辐射率测试仪校准规范...
STM样品的制备:作为一种表面分析技术,STM适用于各种导电样品的表面结构研究。样品必须具有一定程度的导电性;1、对于金属、半导体的样品材料,首先要对其进行抛光处理,然后在真空或者超真空条件下,对样品进行热处理(退火)、离子溅射轰击等处理,以便获得除去表面污物的平整的原子级表面晶面。2、对于半导体,需要采用加热去氧化的工艺除去表面的氧化物。...
STM样品的制备:作为一种表面分析技术,STM适用于各种导电样品的表面结构研究。样品必须具有一定程度的导电性;1、对于金属、半导体的样品材料,首先要对其进行抛光处理,然后在真空或者超真空条件下,对样品进行热处理(退火)、离子溅射轰击等处理,以便获得除去表面污物的平整的原子级表面晶面。2、对于半导体,需要采用加热去氧化的工艺除去表面的氧化物。...
Copyright ©2007-2022 ANTPEDIA, All Rights Reserved
京ICP备07018254号 京公网安备1101085018 电信与信息服务业务经营许可证:京ICP证110310号