DIN 50448:1998
半导体工艺材料试验.使用电容式探测器对半绝缘半导体切片电阻率的无接触测定

Testing of materials for semiconductor technology - Contactless determination of the electrical resistivity of semi-insulating semi-conductor slices using a capacitive probe


标准号
DIN 50448:1998
发布
1998年
发布单位
德国标准化学会
当前最新
DIN 50448:1998
 
 
适用范围
本文档涵盖了高欧姆电阻、半绝缘半导体切片的电阻率非接触式测定。

DIN 50448:1998相似标准


推荐

半导体探测器基础知识

材料电阻率表示为:用式(4-1-4)计算Pi与实际测得Pi相差极大,因为在实际上没有真正无杂质纯晶体。电子密度Ni与温度关系较大,随温度变化快。Ni与μe(h)比较,μe(h)随温度变化较慢一些:6.几种材料禁带度禁带宽度越宽,晶体使用温度越高,0.66eV(低温)→1.45eV(室温)→2.8eV(高温)。锗原子序数为32,碘化钠原子序数为11、53,因此两个探测器探测效率相差不多。...

123项行业计量技术规范报批公示

校准规范JJF(有色金属) 0001-2021慢应变速率应力腐蚀试验机校准规范JJF(有色金属) 0002-2021激光诱导击穿光谱仪校准规范JJF(有色金属) 0003-2021周期浸润试验箱校准规范JJF(有色金属) 0004-2021材料力学性能测试用非接触式视频引伸计校准规范JJF(有色金属) 0005-2021有色金属材料用多维探测器X射线衍射仪校准规范JJF(建材)176-2021低辐射镀膜玻璃膜面辐射率测试仪校准规范...

学术干货 | 送你一份超全SEM&STM&TEM测试制样攻略,拿走不谢

STM样品制备:作为一种表面分析技术,STM适用于各种导电样品表面结构研究。样品必须具有一定程度导电性;1、对于金属、半导体样品材料,首先要对其进行抛光处理,然后在真空或者超真空条件下,对样品进行热处理(退火)、离子溅射轰击等处理,以便获得除去表面污物平整原子级表面晶面。2、对于半导体,需要采用加热去氧化工艺除去表面的氧化物。...

一文看懂四大电镜原理与测试制样攻略【动图】

STM样品制备:作为一种表面分析技术,STM适用于各种导电样品表面结构研究。样品必须具有一定程度导电性;1、对于金属、半导体样品材料,首先要对其进行抛光处理,然后在真空或者超真空条件下,对样品进行热处理(退火)、离子溅射轰击等处理,以便获得除去表面污物平整原子级表面晶面。2、对于半导体,需要采用加热去氧化工艺除去表面的氧化物。...


DIN 50448:1998 中可能用到的仪器设备


谁引用了DIN 50448:1998 更多引用





Copyright ©2007-2022 ANTPEDIA, All Rights Reserved
京ICP备07018254号 京公网安备1101085018 电信与信息服务业务经营许可证:京ICP证110310号