DIN 50454-1-2000
半导体工艺材料的检验.Ⅲ-Ⅴ化合物单晶体错位的测定.第1部分:砷化镓

Testing of materials for semiconductor technology - Determination of dislocations in monocrystals of III-V-compound semi-conductors - Part 1: Gallium arsenide


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标准号
DIN 50454-1-2000
发布日期
2000年07月
实施日期
废止日期
中国标准分类号
H83
国际标准分类号
29.045
发布单位
德国标准化学会
适用范围
The standard specifies a method for the revelation of dislocations in monocrystals, bar-shaped of gallium arsenide specimens with polished, polished-etched, or sawed surfaceoriented in (111)-Ga and (100) crystal planes using structure etching and the determiantion of the density on the surface and the local distrubution of these dislocations.#,,#

DIN 50454-1-2000系列标准





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