DIN 50454-1-2000
半导体工艺材料的检验.Ⅲ-Ⅴ化合物单晶体错位的测定.第1部分:砷化镓

Testing of materials for semiconductor technology - Determination of dislocations in monocrystals of III-V-compound semi-conductors - Part 1: Gallium arsenide

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标准号

DIN 50454-1-2000

发布日期

2000年07月

实施日期

废止日期

无

中国标准分类号

H83

国际标准分类号

29.045

发布单位

DE-DIN

适用范围

The standard specifies a method for the revelation of dislocations in monocrystals, bar-shaped of gallium arsenide specimens with polished, polished-etched, or sawed surfaceoriented in (111)-Ga and (100) crystal planes using structure etching and the determiantion of the density on the surface and the local distrubution of these dislocations.#,,#

DIN 50454-1-2000系列标准