DIN 50454-1-2000
半导体工艺材料的检验.Ⅲ-Ⅴ化合物单晶体错位的测定.第1部分:砷化镓

Testing of materials for semiconductor technology - Determination of dislocations in monocrystals of III-V-compound semi-conductors - Part 1: Gallium arsenide

DIN 50454-1-2000 发布历史

The standard specifies a method for the revelation of dislocations in monocrystals, bar-shaped of gallium arsenide specimens with polished, polished-etched, or sawed surfaceoriented in (111)-Ga and (100) crystal planes using structure etching and the determiantion of the density on the surface and the local distrubution of these dislocations.#,,#

DIN 50454-1-2000由德国标准化学会 DE-DIN 发布于 2000-07。

DIN 50454-1-2000 在中国标准分类中归属于: H83 化合物半导体材料，在国际标准分类中归属于: 29.045 半导体材料。

DIN 50454-1-2000的历代版本如下：

• 2000年07月 DIN 50454-1-2000 半导体工艺材料的检验.Ⅲ-Ⅴ化合物单晶体错位的测定.第1部分:砷化镓

非常抱歉，我们暂时无法提供预览，您可以试试： 免费下载 DIN 50454-1-2000 前三页，或者稍后再访问。

注意： 点击下载后，生成下载文件时间比较长，请耐心等待......

标准号

DIN 50454-1-2000

发布日期

2000年07月

实施日期

废止日期

无

中国标准分类号

H83

国际标准分类号

29.045

发布单位

德国标准化学会

适用范围

The standard specifies a method for the revelation of dislocations in monocrystals, bar-shaped of gallium arsenide specimens with polished, polished-etched, or sawed surfaceoriented in (111)-Ga and (100) crystal planes using structure etching and the determiantion of the density on the surface and the local distrubution of these dislocations.#,,#

DIN 50454-1-2000系列标准