ASTM F374-00a
用单型程序直列式四点探针法测定硅外延层、扩散层、多晶硅层和离子注入层的薄膜电阻的测试方法
Standard Test Method for Sheet Resistance of Silicon Epitaxial, Diffused, Polysilicon, and Ion-implanted Layers Using an In-Line Four-Point Probe with the Single-Configuration Procedure
哪些标准引用了ASTM F374-00a
找不到引用ASTM F374-00a 用单型程序直列式四点探针法测定硅外延层、扩散层、多晶硅层和离子注入层的薄膜电阻的测试方法 的标准
- 标准号
- ASTM F374-00a
- 发布
- 2000年
- 发布单位
- 美国材料与试验协会
- 替代标准
- ASTM F374-02
- 当前最新
- ASTM F374-02
- 引用标准
- ASTM C28 ASTM C31/C31M ASTM D5127 ASTM E1 ASTM F1529 ASTM F42
- 1.1 本测试方法涵盖直接测量直径大于 15.9 毫米（0.625 英寸）的硅薄层的平均薄层电阻，这些硅薄层是通过外延、扩散或注入在圆形硅片表面或下方形成的，具有与要测量的薄层相反的导电类型或通过在绝缘层上沉积多晶硅来测量。使用四探针的单一配置在晶片的中心进行测量，即电流通过外部引脚并用内部引脚测量产生的电势差。 1.2 这种测试方法是已知的适用于厚度至少为...
推荐
半导体专业术语含义
在生产光电单元时，乙硅烷常用于沉积多晶硅薄膜。66. drive-in：推阱，指运用高温过程使杂质在硅片中分布扩散。67. dry etch：干刻，指采用反应气体或电离气体除去硅片某一层次中未受保护区域的混合了物理腐蚀及化学腐蚀的工艺过程。68. effective layer thickness：有效层厚，指在外延片制造中，载流子密度在规定范围内的硅锭前端的深度。69....
芯片制作工艺流程
杂质的扩散浓度取决于与温度有关的扩散系数D的大小和扩散时间的长短。硅集成电路工艺中，往往采用硼作为P型杂质，磷作为N型杂质。它们固溶度高，均10 20 cm –3。除此之外，还使用砷和锑等系数小的杂质，这对于不希望产生杂质再分布的场合是有效的。杂质扩散层的基本特性参数是方块电阻RF和结果Xj。RF可用四探针测量法。...