ASTM F374-00a
用单型程序直列式四点探针法测定硅外延层、扩散层、多晶硅层和离子注入层的薄膜电阻的测试方法
Standard Test Method for Sheet Resistance of Silicon Epitaxial, Diffused, Polysilicon, and Ion-implanted Layers Using an In-Line Four-Point Probe with the Single-Configuration Procedure
- 标准号
- ASTM F374-00a
- 发布
- 2000年
- 发布单位
- 美国材料与试验协会
- 替代标准
- ASTM F374-02
- 当前最新
- ASTM F374-02
- 引用标准
- ASTM C28 ASTM C31/C31M ASTM D5127 ASTM E1 ASTM F1529 ASTM F42
- 1.1 本测试方法涵盖直接测量直径大于 15.9 毫米（0.625 英寸）的硅薄层的平均薄层电阻，这些硅薄层是通过外延、扩散或注入在圆形硅片表面或下方形成的，具有与要测量的薄层相反的导电类型或通过在绝缘层上沉积多晶硅来测量。使用四探针的单一配置在晶片的中心进行测量，即电流通过外部引脚并用内部引脚测量产生的电势差。 1.2 这种测试方法是已知的适用于厚度至少为...
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