ASTM F374-00a
用单型程序直列式四点探针法测定硅外延层、扩散层、多晶硅层和离子注入层的薄膜电阻的测试方法

Standard Test Method for Sheet Resistance of Silicon Epitaxial, Diffused, Polysilicon, and Ion-implanted Layers Using an In-Line Four-Point Probe with the Single-Configuration Procedure

被代替

ASTM F374-00a 发布历史

ASTM F374-00a由美国材料与试验协会 US-ASTM 发布于 2000。

ASTM F374-00a 在中国标准分类中归属于: H81 半金属。

ASTM F374-00a 发布之时，引用了标准

• ASTM C28 石膏膏标准规格
• ASTM C31/C31M 现场制作和养护混凝土试样的标准规程
• ASTM D5127 电子学和半导体工业用超纯水的标准指南
• ASTM E1 ASTM温度计标准规范
• ASTM F1529 用直列式四点探测器和双配置程序评定薄膜电阻均匀性的标准试验方法*， 2023-07-05 更新
• ASTM F42 足球运动用保护头盔的减震特性的标准试验方法

* 在 ASTM F374-00a 发布之后有更新，请注意新发布标准的变化。

ASTM F374-00a的历代版本如下：

• 1970年 ASTM F374-02 ASTM F374-02
• 2000年 ASTM F374-00a 用单型程序直列式四点探针法测定硅外延层、扩散层、多晶硅层和离子注入层的薄膜电阻的测试方法

1.1 本测试方法涵盖直接测量直径大于 15.9 毫米（0.625 英寸）的硅薄层的平均薄层电阻，这些硅薄层是通过外延、扩散或注入在圆形硅片表面或下方形成的，具有与要测量的薄层相反的导电类型或通过在绝缘层上沉积多晶硅来测量。使用四探针的单一配置在晶片的中心进行测量，即电流通过外部引脚并用内部引脚测量产生的电势差。

1.2 这种测试方法是已知的适用于厚度至少为0.2×181m的薄膜。它可用于测量 10 至 5000 Ω（含）范围内的方块电阻。

1.2.1 测试方法的原理可扩展至覆盖更低或更高的方块电阻值；然而，除了 1.2 中给出的范围外，该方法的精度尚未针对薄层电阻范围进行评估。注1——直径的最小值通过几何修正系数与测量精度的公差有关。最小层厚度与测量过程中探头尖端穿透层的危险有关。

1.3 还给出了制备样品、测量其尺寸以及在测量过程中确定样品温度的程序。该方法包含适合圆形几何形状的校正因子缩写表，以便可以方便地进行适当的计算。注2——该测试方法的原理也适用于其他半导体材料，但尚未确定适当的条件和预期的精度。也可以测量其他几何形状，但除非已知适当的几何校正因子，否则只能使用使用类似几何条件的比较测量。 注 3——提到了测试条件的一些放宽，以帮助将该方法的原理应用于非裁判员应用程序，尚未开发出完整的非裁判方法。给出的宽松测试条件仅为一致条件，尚未探讨其对测量精密度和准确度的影响。

1.4 以SI 单位表示的值应视为标准。括号中给出的值仅供参考。

1.5 本标准并不旨在解决与其使用相关的所有安全问题（如果有）。本标准的使用者有责任在使用前建立适当的安全和健康实践并确定监管限制的适用性。具体危险说明在第 9 节中给出。

标准号

ASTM F374-00a

发布

2000年

发布单位

美国材料与试验协会

替代标准

ASTM F374-02

当前最新

ASTM F374-02

 

 

引用标准

ASTM C28 ASTM C31/C31M ASTM D5127 ASTM E1 ASTM F1529 ASTM F42

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