ASTM F1726-97
硅片结晶完整性分析的标准导则
Standard Guide for Analyis of Crystallographic Perfection of Silicon Wafers
- 标准号
- ASTM F1726-97
- 发布
- 1997年
- 发布单位
- 美国材料与试验协会
- 替代标准
- ASTM F1726-02
- 当前最新
- ASTM F1726-02
- 引用标准
- ASTM D5127 ASTM F1241 ASTM F1809 ASTM F1810 ASTM F523 ASTM F95
- 适用范围
- 1.1 本指南涵盖了未图案化抛光和外延硅片中晶体缺陷密度的测定。外延硅晶片可能会出现位错、小丘、浅凹坑或外延堆垛层错，而抛光晶片可能会出现多种形式的晶体缺陷或表面损伤。这种做法的使用基于按规定顺序应用多个参考标准来揭示和计算微观缺陷或结构。
1.2 本实践适用的材料可能由参考文件的限制来定义。
1.2.1 这种做法适用于沿 (111) 或 (100) 方向生长并掺杂 p 或 n 型且电阻率大于 0.0005 Ω-cm 的外延或抛光晶圆。
1.2.2 本做法适用于层厚大于0.5×181m的外延片。
1.3 本标准并不旨在解决与其使用相关的所有安全问题（如果有）。本标准的使用者有责任在使用前建立适当的安全和健康实践并确定监管限制的适用性。