GB/T 19444-2004
硅片氧沉淀特性的测定-间隙氧含量减少法
Oxygen precipitation characterization of silicon wafers by measurement of interstitial oxygen reduction
GBT19444-2004, GB19444-2004
GB/T 19444-2004 中，可能用到以下仪器设备
- 标准号
- GB/T 19444-2004
- 别名
- GBT19444-2004
GB19444-2004 - 发布
- 2004年
- 采用标准
- ASTM F1239-94 IDT
- 发布单位
- 国家质检总局
- 当前最新
- GB/T 19444-2004
- 本标准规定了由测量硅片间隙氧含量的减少量来检验硅片氧沉淀特性的方法原理、取样规则、热处理程序、试验步骤、数据计算等内容。 本标准用于定性比较两批或多批集成电路用硅片间隙氧沉淀特性。
GB/T 19444-2004相似标准
推荐
掺氮直拉单晶硅（Nitrogen-doped CZ Silicon, NCZ-Si）中氮的低温远红外测量
在半导体材料领域，硅基半导体材料目前产量最大、应用最广，90%以上的半导体产品仍用单晶硅作为衬底材料制作。目前大尺寸硅片已成为硅片市场最主流的产品。硅片生产中在拉晶过程中，需要解决氧含量及径向均匀性、杂质的控制、缺陷控制、氧沉淀控制、电阻值定量、掺杂及径向均匀性等众多问题，同时对检测表征等保障技术也提出了更高的要求。...
红外光谱法在硅中氧碳含量测定上的应用
依据G B/T 1558-2009和G B/T 1557-2006，红外光谱法可以在对单晶硅中代位碳和间隙氧进行定性的同时进行定量测定,具有快速、方便、准确的优点。 关键词： 红外光谱法 单晶硅 碳氧含量 定量测定 · 原理利用硅中代位碳原子和间隙氧原子分别在波数607.2cm -1和1107cm -1 有特征吸收，根据吸收峰的吸收系数来确定代位碳原子浓度和间隙氧原子的浓度。 ...
氧氮分析仪测定石墨烯中的氧含量
引言石墨烯是由碳元素组成的二维蜂窝状点阵结构材料。由于其具有良好的电子传输能力、导热性、高强度、超轻薄、超大比表面积等特性，在电池材料方面有广泛的应用。石墨烯中氧的含量对材料的结构和性能有很大的影响，准确测定石墨烯中的氧非常重要。材料中氧的测定方法有库仑法，氢损法，脉冲加热惰气熔融-红外法。...