GB/T 24580-2009
重掺n型硅衬底中硼沾污的二次离子质谱检测方法

Test method for measuring Boron contamination in heavily doped n-type silicon substrates by secondary ion mass spectrometry

GBT24580-2009, GB24580-2009


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GB/T 24580-2009

标准号
GB/T 24580-2009
别名
GBT24580-2009
GB24580-2009
发布
2009年
采用标准
SEMI MF 1528-1104 MOD
发布单位
国家质检总局
当前最新
GB/T 24580-2009
 
 
引用标准
ASTM E122
1.1本标准规定了重掺n型硅衬底中硼沾污的二次离子质谱测试方法。本标准适用于二次离子质谱法(SIMS)对重掺n型硅衬底单晶体材料中痕量硼沾污(总量)的测试。 1.2本标准适用于对锑、砷、磷的掺杂浓度<0.2%(l×10 atoms/cm的硅材料中硼浓度的检测。特别适用于硼为非故意掺杂的p型杂质,且其浓度为痕量水平(<5×10

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