GB/T 24580-2009
重掺n型硅衬底中硼沾污的二次离子质谱检测方法
Test method for measuring Boron contamination in heavily doped n-type silicon substrates by secondary ion mass spectrometry
GBT24580-2009, GB24580-2009
GB/T 24580-2009 发布历史
GB/T 24580-2009由国家质检总局 CN-GB 发布于 2009-10-30，并于 2010-06-01 实施。
GB/T 24580-2009 在中国标准分类中归属于: H80 半金属与半导体材料综合，在国际标准分类中归属于: 29.045 半导体材料。
GB/T 24580-2009 采用标准及采用方式
- MOD SEMI MF 1528-1104
GB/T 24580-2009 发布之时，引用了标准
- ASTM E122 计算样本量以估计的标准实践 具有指定的容差 批次或过程特征的平均值
GB/T 24580-2009的历代版本如下：
- 2009年 GB/T 24580-2009 重掺n型硅衬底中硼沾污的二次离子质谱检测方法
1.1本标准规定了重掺n型硅衬底中硼沾污的二次离子质谱测试方法。本标准适用于二次离子质谱法(SIMS)对重掺n型硅衬底单晶体材料中痕量硼沾污(总量)的测试。 1.2本标准适用于对锑、砷、磷的掺杂浓度
- 标准号
- GB/T 24580-2009
- 别名
- GBT24580-2009
GB24580-2009 - 发布
- 2009年
- 采用标准
- SEMI MF 1528-1104 MOD
- 发布单位
- 国家质检总局
- 当前最新
- GB/T 24580-2009
- 引用标准
- ASTM E122
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