GB/T 24580-2009
重掺n型硅衬底中硼沾污的二次离子质谱检测方法
Test method for measuring Boron contamination in heavily doped n-type silicon substrates by secondary ion mass spectrometry
GB/T 24580-2009 中，可能用到以下仪器设备
- 标准号
- GB/T 24580-2009
- 发布日期
- 2009年10月30日
- 实施日期
- 2010年06月01日
- 废止日期
- 无
- 中国标准分类号
- H80
- 国际标准分类号
- 29.045
- 发布单位
- CN-GB
- 引用标准
- ASTM E122
- 适用范围
- 1.1本标准规定了重掺n型硅衬底中硼沾污的二次离子质谱测试方法。本标准适用于二次离子质谱法(SIMS)对重掺n型硅衬底单晶体材料中痕量硼沾污(总量)的测试。
1.2本标准适用于对锑、砷、磷的掺杂浓度<0.2%(l×10
atoms/cm 的硅材料中硼浓度的检测。特别适用于硼为非故意掺杂的p型杂质，且其浓度为痕量水平(<5×10 atoms/cm )的硅材料的测试。 1.3本标准适用于检测砌沾污浓度大于SIMS仪器检测限(根据仪器的型号不同，检测限大约在5×10 atoms/cm ～5×10 atoms/cm )两倍的硅材料。 1.4原则上，本标准对于不同表面情况的样品都适用，但是本标准中的精度估算值是从表面抛光样品的测试数据中得到的。