△Element GD Plus在高纯硅检测中可实现的杂质元素检出限(点击查看大图)溅射靶材是半导体制程中非常关键的材料,无论是前段制程中的二极管结构构建还是中后段制程中的线路互联,溅射靶材都是必备材料。溅射靶材中痕量杂质的低检出限分析无疑是非常必要的。Element GD Plus由于其自身的优势,可轻松胜任各种高纯溅射靶材的高效检测。如常见的铜,钛,钽,钼,铝等高纯溅射靶材。...
半导体杂质检测难?即使有ICP-MS分析检测技术,也存在诸多问题,那么,如何突破这些难点,快来看看专家怎么说,还有针对不同半导体材料专门制定的解决方案等你来拿,别错过!对Fab工厂而言,控制晶圆、电子化学品、电子特气和靶材等原材料中的无机元素杂质含量至关重要,即便是超痕量的杂质都有可能造成器件缺陷。...
针对半导体行业需求,可实现高纯(≥5N)铜、铝、钛、钽、钼等高纯溅射靶材中70种以上杂质元素快速检测;硅、碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等基材从原料至晶圆的全元素杂质检测;SiC等外延片镀层化学成分及杂质含量分布。...
杨柳“ 对Fab工厂而言,控制晶圆、电子化学品、电子特气和靶材等原材料中的无机元素杂质含量至关重要,即便是超痕量的杂质都有可能造成器件缺陷。然而半导体杂质含量通常在ppt级,ICP-MS分析时用到的氩气及样品基体都很容易产生多原子离子干扰,标准模式、碰撞模式下很难在高本底干扰的情况下分析痕量的目标元素。...
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