ASTM F744M-10
数字集成电路扰乱的剂量速率阙值测定的标准试验方法【公制单位】

Standard Test Method for Measuring Dose Rate Threshold for Upset of Digital Integrated Circuits [Metric]

被代替

ASTM F744M-10 发布历史

ASTM F744M-10由美国材料与试验协会 US-ASTM 发布于 2010。

ASTM F744M-10 在中国标准分类中归属于: L56 半导体集成电路。

ASTM F744M-10的历代版本如下：

• 2016年 ASTM F744M-16 测量数字集成电路 (米制) 混乱用剂量率阀值的标准试验方法
• 2010年 ASTM F744M-10 数字集成电路扰乱的剂量速率阙值测定的标准试验方法【公制单位】
• 1997年 ASTM F744M-97(2003) 测量数字集成电路翻转剂量率阈值的标准试验方法[米制]
• 1997年 ASTM F744M-97 数字集成电路的干扰用剂量阈值测量的标准试验方法(米制)

数字集成电路指定其输入和输出工作在逻辑 1 或逻辑 0 状态。具有不满足这些电平中任一个的规范的电压电平的信号的出现（扰乱条件）可能导致数字系统中错误数据的生成和传播。了解导致数字集成电路混乱的辐射剂量率对于在脉冲辐射环境中运行的电子系统的设计、生产和维护至关重要。

1.1 本测试方法涵盖阈值水平的测量静态工作条件下导致数字集成电路混乱的辐射剂量率。辐射源是闪光 X 射线机 (FXR) 或电子直线加速器 (LINAC)。

1.2 测量精度取决于辐射场的均匀性以及辐射剂量测定和记录仪器的精度。

1.3 如果被测集成电路吸收的总辐射剂量超过某个预定水平，则该测试对于进一步的测试或本测试以外的目的可能是破坏性的。由于该水平取决于集成电路的类型和应用，因此测试各方必须就具体值达成一致（6.8）。

1.4 本测试方法包括设置、校准和测试电路评估程序。

1.5 本测试方法不包括批次鉴定和抽样程序。

1.6 由于不同设备类型的响应存在差异，本测试方法中未给出任何特定测试的初始剂量率，但必须由测试各方商定。

1.7 以 SI 单位表示的值应被视为标准值。本标准不包含其他计量单位。

1.8 本标准并不旨在解决与其使用相关的所有安全问题（如果有）。本标准的使用者有责任在使用前建立适当的安全和健康实践并确定监管限制的适用性。

标准号

ASTM F744M-10

发布

2010年

发布单位

美国材料与试验协会

替代标准

ASTM F744M-16

当前最新

ASTM F744M-16

 

 

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